【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池，尤其涉及一种光伏组件及其太阳能电池、太阳能电池的正面接触结构与制备方法。
技术介绍
1、光伏组件( 也称为太阳能电池板) 是光伏发电系统的重要组件。通常，光伏组件设置在光伏组件支架上，支撑有光伏组件的多个光伏组件支架排列成预定的阵列，并通过电连接而形成光伏发电系统。为了使光伏发电系统获得较高的发电效率，通常通过如优化光伏组件支架的结构形式，来提高太阳光辐射利用率。当前，光伏组件支架的结构形式主要有两种：
2、第一种结构形式为固定安装形式。具体来说，当将光伏组件安装到光伏组件支架上时，光伏组件具有固定不变的倾角，因此随着太阳位置的变化，光伏组件不能对太阳的位置进行跟踪。
3、第二种结构形式为单轴跟踪安装方式。具体来说，当将光伏组件安装到光伏组件支架上时，光伏组件只能跟踪太阳移动的方位角或高度角中的一个方向。
4、但是上述光伏组件仍然无法实现同时根据太阳的方位角及高度角进行调节，从而实现零度的入射角，这成为了本领域中亟待解决的技术问题。
5、此外，在限制硅基太阳能电池电池效率的诸多因素中，金属电极与硅基区的接触复合是影响光电转换效率的关键因素。隧穿氧化层钝化接触太阳能电池（tunnel oxidepassivated contact solar cell，topcon电池）是目前最具发展前景和具有效率优势的太阳能电池结构之一，该电池通常在硅片背面制备1-2 nm超薄隧穿氧化物层，然后在超薄隧穿氧化物层表面沉积50-150 nm的掺杂多晶硅层，二者共同形成了钝化
6、另外，受限于多晶硅层寄生吸收系数高的问题，目前多晶硅层的钝化接触结构主要应用于topcon电池的背面。有报道指出可降低多晶硅的厚度降低寄生吸收，而薄poly导致钝化效果恶化。基于此，现有的topcon电池中，通常采用硼扩散方式在硅片正面形成pn结，表面增加氢化介质层钝化形成电池结构，最后通过印刷金属电极、烧结，最终在硅片的正面形成欧姆接触。然而这种结构的问题在于为了满足金属电极与硅基区的接触，需要烧穿氢化介质层实现金属电极和硅基区的直接接触，但会导致金属区的表面复合偏高、金属区接触损失过大，限制太阳能电池的转换性能。
技术实现思路
1、1. 要解决的问题
2、本专利技术的目的之一在于提供一种光伏组件，所述光伏组件能够实现同时能够跟踪太阳的方位角及高度角，有通过光伏组件来提高太阳光辐射利用率；
3、本专利技术另外的目的是提供一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池（以下简称topcon电池）的正面接触结构以及具有所示正面接触结构的太阳能电池，旨在提高太阳能电池的转换效率；同时，本专利技术还提供了所述太阳能电池的正面接触结构以及太阳能电池的制备工艺。
4、2. 技术方案
5、为了解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：
6、根据本专利技术的目，本专利技术第一方面提供了一种太阳能电池，尤其涉及隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的正面接触结构，所述正面接触结构包括设置在基区硅片正面的第一扩散区、第一电极区以及第一电极；
7、所述第一扩散区包括：设置在基区硅片正面的第一掺杂层；
8、与所述第一掺杂层接触的第一介质层；
9、与所述第一介质层接触的第一遂穿氧化层；
10、与所述第一遂穿氧化层接触的第一多晶硅层；
11、其中，所述第一多晶硅层具有不超过20nm的厚度，并且所述第一多晶硅层具有与所述第一掺杂层相同的极性；
12、所述第一电极区包括：与所述第一掺杂层接触的遂穿氧化层；
13、与所述遂穿氧化层接触的多晶硅层；
14、第一电极与所述多晶硅层接触；或者，所述第一电极穿过位于电极区的遂穿氧化层、多晶硅层，然后与第一掺杂层接触；
15、其中，位于第一电极区的所述多晶硅层具有不超过20nm的厚度，并且具有与所述第一掺杂层相同的极性。
16、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述的第一电极为金属电极，所述金属电极包括银电极、铜电极、铝电极、锡包铜电极、银包铜电极中的任意一种或者两种及以上。
17、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一电极区的且与所述第一电极相接触的部分呈金字塔状和/或v型槽状。
18、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，位于所述第一电极区的遂穿氧化层与所述第一介质层的边缘相接。
19、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一多晶硅层具有5~20nm的厚度。
20、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一多晶硅层为掺杂多晶硅，所述第一多晶硅层具有3e19cm-3~7e19cm-3的掺杂浓度。
21、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，位于所述第一电极区的多晶硅层具有5~20nm的厚度。
22、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，位于所述第一电极区的多晶硅层为掺杂多晶硅，所述多晶硅层具有3e19cm-3~7e19cm-3的掺杂浓度。
23、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一遂穿氧化层具有0~1.5nm的厚度，优选具有0.5~1.5nm的厚度。
24、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一介质层包括氧化层、氮化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。
25、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一介质层具有2~90nm的厚度。
26、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一介质层包括与所述第一掺杂层接触的氧化层；以及，与所述氧化层接触的氮化硅层；
27、其中，所述氧化层具有2~10nm的厚度；
28、所述氮化硅层具有60~80nm的厚度。
29、如在此所述的氧化层包括氧化铝（al2o3）和/或二氧化硅（sio2）。
30、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一介质层具有1.9~2.1的折射率。
31、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的太阳能电池的正面接触结构，所述第一掺杂层为p型掺杂层；
32、和/或，所述第一掺杂层具有120~350 ohm/sq的方阻。
33、根据本专利技术目的，本专利技术第二方面提供如本专利技术第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.太阳能电池的正面接触结构，所述电池为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，所述太阳能电池可以应用于太阳能电池板，其特征在于，所述正面接触结构包括设置在基区硅片正面的第一扩散区、第一电极区以及第一电极；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，位于所述第一电极区的遂穿氧化层与所述第一介质层的边缘相接。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一多晶硅层具有5~20nm的厚度；
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一遂穿氧化层具有0.5~1.5nm的厚度。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一介质层包括氧化层、氮化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合；
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一介质层包括与所述第一掺杂层接触的氧化层；
7.根据权利要求5所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一介质层具有1.9-2.1的折射率。
8.根据权利要求5所述的太
9. 根据权利要求5所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层具有120~350 ohm/sq的方阻。
10.太阳能电池的正面接触结构的制备方法，其特征在于，包括：
11.太阳能电池，所述电池为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括：基区硅片；
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二多晶硅层具有50~150nm的厚度。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二介质层具有2~90nm的厚度；所述第二介质层包括氧化层、氮化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二介质层具有1.9~2.1的折射率。
15.太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤A1：对基区硅片的表面进行结构化处理；
16.一种光伏组件，所述光伏组件包括具有固定框架的太阳能电池板，其特征在于，所述光伏组件还包括用于安装太阳能电池板的支架；所述支架包括中心支撑结构和支向支撑结构：所述中心支撑结构包括中心柱以及万向旋转接头，所述中心柱通过万向旋转接头与所述太阳能电池板的框架连接；所述支向支撑结构包括支柱以及万向旋转接头，所述支柱通过万向旋转接头与所述太阳能电池板的框架连接；其中，所述支向支撑结构的数量为3~6，环绕中心柱形成分散；
17. 根据权利要求16 所述的光伏组件支架，其特征在于，所述中心柱的高度可调节；所述支柱的高度可调节。
18. 根据权利要求16 所述的光伏组件支架，其特征在于，所述支向支撑结构的数量为3个，环绕中心柱形成分散，相邻两支向支撑结构的支柱之间的夹角为100~130°。
...【技术特征摘要】
1.太阳能电池的正面接触结构，所述电池为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，所述太阳能电池可以应用于太阳能电池板，其特征在于，所述正面接触结构包括设置在基区硅片正面的第一扩散区、第一电极区以及第一电极；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，位于所述第一电极区的遂穿氧化层与所述第一介质层的边缘相接。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一多晶硅层具有5~20nm的厚度；
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一遂穿氧化层具有0.5~1.5nm的厚度。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一介质层包括氧化层、氮化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合；
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一介质层包括与所述第一掺杂层接触的氧化层；
7.根据权利要求5所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一介质层具有1.9-2.1的折射率。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层为p型掺杂层。
9. 根据权利要求5所述的太阳能电池的正面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂层具有120~350 ohm/sq的方阻。
10.太阳能电池的正面接触结构的制备方法，其特征在于，包括：
11.太阳能...
【专利技术属性】
技术研发人员：张满良，付少剑，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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