本申请公开了一种存储单元、存储块以及存储器。存储单元包括半导体组件、控制栅以及至少一个基底电极。其中，半导体组件包括源区半导体、漏区半导体以及沟道半导体，沟道半导体设置在源区半导体和漏区半导体之间，并与源区半导体和漏区半导体并排设置。控...

本申请公开了存储块、存储单元组以及存储器件。其中，存储块包括存储阵列，存储阵列包括多个堆叠条状结构和多个半导体结构，多个堆叠条状结构沿列方向间隔分布，每个堆叠条状结构沿行方向延伸，且包括沿高度方向交替层叠的绝缘条和导电条，每两个相邻的堆...

本发明提供了一种半导体器件及其擦除方法和擦除掉电验证方法，在擦除存储体之前，编程相应的验证功能区的一部分验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一部分所述验证数据存储位，若所述存储体擦除成功，则也会成功编程相应的...

本申请提供一种存储块及其制程方法。存储块包括：存储阵列中的每个存储子阵列层包括层叠的漏区、沟道和源区半导体层；漏区、沟道和源区半导体层分别包括沿行方向分布、沿列方向延伸的多条漏区、沟道和源区半导体条；多层存储子阵列层中的一列漏区、沟道和...

本申请提供一种存储块及其制程方法、存储单元。该方法包括：提供一半导体基材；在半导体基材上开设多个字线孔洞，以将半导体基材上的每层存储子阵列层沿行方向分割成多列漏区、沟道和源区半导体条；在每一字线孔洞中暴露出漏区、沟道和源区半导体条的部分...

本申请提供一种存储块、存储器件及存储单元。该存储块包括存储阵列，包括呈三维阵列分布的多个存储单元，存储阵列包括沿高度方向依次层叠的多个存储子阵列层，每个存储子阵列层包括沿高度方向层叠的漏区半导体层、沟道半导体层和源区半导体层；每个存储子...

本申请提供一种存储块及其制程方法、存储单元。该方法包括：提供一半导体基材；在半导体基材上开设多个字线孔洞，以将半导体基材上的每层存储子阵列层沿行方向分割成多列漏区、沟道和源区半导体条；利用字线孔洞在暴露出沟道半导体条的部分的至少一侧形成...

本申请提供一种存储块的控制方法。该方法包括：对存储块中的多行字线中的至少一行字线的至少部分执行行选择，以选中存储块中的每层存储子阵列层中对应的选中行的一行存储单元中的至少部分；对多层存储子阵列层中的至少一层存储子阵列层的至少一列存储单元...

本申请提供了一种涂胶腔室及涂胶设备。所述涂胶设备包括承载台，且所述承载台具有用于承载待加工元件的承载面，所述涂胶腔室包括第一壳体，用于收容所述承载台部分；第二壳体，罩设于所述第一壳体上，并与所述第一壳体间隔设置以形成收容腔，所述收容腔用...

本技术提供了一种流体泄露检测装置及半导体工艺设备，所述流体泄露检测装置用于检测相邻两条管路连接处的法兰扣合处是否发生流体泄露，所述流体泄露检测装置包括卡环本体和传感器，所述卡环本体的内壁设置有导流槽；在所述卡环本体安装在所述相邻两条管路...

本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：存储阵列结构，包括多个存储串、多个局部位线和多个全局位线；以及，位于所述存储阵列结构上的外围结构，包括多个局部位线选择模块和至少一个全局位线选择模块；其中，每个局部位线与至少一个存储串对应...

本发明提供了一种背照式图像传感器及其制造方法，所述背照式图像传感器包括衬底、刻蚀停止层和金属材料层和焊垫，衬底中形成有导电组件、导电柱和凹槽，导电柱填充在从凹槽底面穿通至导电组件的顶面的穿通孔中，并电性连接导电组件，刻蚀停止层和金属材料...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底和形成于所述衬底正面的器件层，所述器件层中形成有金属互连结构，所述衬底与所述器件层之间形成有绝缘层，所述衬底的背面形成有通孔，所述通孔贯穿所述衬底，所述衬底的背面和正面为相...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽从第一衬底第一表面延伸至第一衬底内，第二沟槽至少部分从第一沟槽底面延伸至第一衬底内；随形覆盖绝缘介质层于第一沟槽和第二沟槽的表面；去除第一...

本发明提供了一种贴膜设备及膜量监控方法，所述贴膜设备包括：贴覆装置，所述贴覆装置用于承载胶带并将所述胶带输送至待粘贴器件上；以及，至少两个膜量监控装置，所述至少两个膜量监控装置均用于监测所述胶带的剩余膜量，所述至少两个膜量监控装置包括第...

本申请提供一种半导体器件的沟槽制备方法及半导体器件。该半导体器件的沟槽制备方法沿从衬底的表面至衬底内部的方向上，在衬底中开设沟槽；在沟槽内形成牺牲介质；在衬底的表面和牺牲介质的表面上形成第一介质层；在第一介质层中开设第一通孔，其中，第一...

本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括：衬底、栅氧层和栅极层；浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构所包围的所述衬底为有源区，所述栅氧层和所述栅极层自下向上形成于部分所述有源区上，所述有源区的面积与所述栅极层的面积...

本发明提供了一种半导体测试结构及半导体测试方法，所述半导体测试结构包括：测试结构，包括待测结构和第一焊盘，所述待测结构形成于待测半导体结构中，所述第一焊盘形成于所述待测半导体结构中，所述第一焊盘与所述待测结构电连接；第二焊盘，形成于所述...

本发明提供了一种存储器的控制方法，包括执行读取命令，读取数据之后获取存储器可用于输出的空闲端口及ECC状态信息，然后利用空闲端口输出ECC状态信息。本发明可以利用存储器的空闲端口输出ECC状态信息，无需设置一个独立的输出端口输出ECC状...

本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括测试结构，测试结构包括衬底、位于所述衬底表面一侧的介质层、至少形成于所述衬底中的第一通孔、以及形成于所述介质层中的导电层，所述第一通孔周围的衬底和所述导电层分别作为电容结构...