本发明提供一种温度自适应模数转换器

本发明提供一种差分输入的电路、差分对失配噪声补偿电路及方法，包括：第一、第二MOS管模块构成差分对，均包括a个MOS管，a为大于等于1的自然数；其中，第一MOS管模块中各MOS管并联；第二MOS管模块中各MOS管并联；第一、第二MOS管...

本发明提供一种模数转换器校准方法及模数转换器，包括：分别测量比较器的正向输入端以及反向输入端的第一误差电压以及第二误差电压，基于第一误差电压及第二误差电压做差计算得到所述模数转换器的电容阵列误差电压以及所述电容阵列误差电压的极性，向所述...

本发明提供一种可编程增益放大器、模数转换器及芯片，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、运算放大器以及电流补偿模块；其中；电流补偿模块的输入端连接运算放大器的反向输入端，输出端连接运算放大器的反向输出端，将所述运算放大器的反向输...

本发明提供一种垂直型双极性结型晶体管及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底，基底包括自下而上依次层叠的衬底层、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层，将器件层转变为绝缘介质层，形成第一、第二沟槽于绝缘介质层中，形成第三、第四沟槽于...

本发明提供一种薄膜电阻测量结构、测量方法以及测量系统，包括：第一电阻测量模块以及第二电阻测量模块；所述第一电阻测量模块包括第一旁路电阻测量单元及第二旁路电阻测量单元，用于得到旁路电阻的阻值；第二电阻测量模块包括M个串联设置的测量单元，用...

本发明提供一种参考电压驱动电路、模数转换器、芯片及驱动方法，包括：运算放大器、RC滤波器、上电加速模块以及参考缓冲器；运算放大器的正向输入端连接参考电压，反向输入端与输出端连接；RC滤波器的输入端连接运算放大器的输出端，用于对运算放大器...

本发明提供一种SCR型ESD防护器件、电子装置及制备方法，通过间隔设置的第五N型接触，以及通过对第五N型接触的尺寸、间隔距离和数量的设置，可控制NPN管向PNP管基区注入电流的大小，从而调控正反馈发生时对应的维持电压；进一步的，还可以在...

本发明提供一种纵向双极型晶体管及其制作方法，纵向双极型晶体管设置于P型衬底上且包括：位于所述P型衬底上部的N型埋层和P型埋层，以及位于所述N型埋层下方的N型深阱，所述N型埋层设置于所述N型深阱与所述N型外延层之间，所述P型埋层设置成包围...

本发明提供一种双极型晶体管结构及制作方法，包括P型衬底、深N阱、N型外延层、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，电极引出端注入区包括依次间隔排列的第一基极引出端注入区、第一集电极引出端注入区、发射极引出端注入区、第二集电极引出端注...

本发明提供一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法，本发明通过在薄膜电阻下方设置隔离沟槽，利用隔离沟槽中设置的导热复合结构，使所述薄膜电阻与所述导热复合结构发生热交换，所述导热复合结构进一步通过其与散热孔形成导热接触将热量疏散，有效提高薄膜...

本发明提供一种双极型晶体管结构及其制作方法，包括P型衬底、N型外延层、分隔结构、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，分隔结构将所述P型衬底及N型外延层中分隔出第一区域与第二区域，电极引出端注入区包括基极引出端注入区、集电极引出端注...

本发明提供一种薄膜电阻结构，包括从下往上依次叠置的衬底、N型层、噪声抑制层、介质层及电阻层，其中，所述噪声抑制层包括在水平方向上交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层。本发明的薄膜电阻结构主要利用噪声抑制层中的交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层...

本发明提供一种ESD防护结构及器件至少包括：衬底；N阱，设置于衬底的上方；第一浅槽隔离区、第二浅槽隔离区及第三浅槽隔离区，依次横向排布于N阱的上方；第一PESD区，设置于N阱的上方；第二PESD区，设置于N阱的上方；第一N型重掺杂区与第...

本发明提供一种预放大器，包括：第一输入管、第二输入管、第一负载电容、第二负载电容、第一开关、第二开关、第三开关及第四开关；第一输入管及第二输入管的栅端连接差分输入信号，第一输入管及第二输入管的源端接地，第一输入管的漏端通过串联的第一开关...

本发明提供一种薄膜电阻测量结构及测量方法包括：寄生电阻测量模块及旁路电阻测量模块，寄生电阻测量模块包括M个寄生电阻测量单元，用于测量寄生电阻与薄膜电阻阻值，同一端的测试点彼此电连接；每个测试点设置有对应的金属层；旁路电阻测量模块包括N个...

本发明提供一种带隙基准电路，包括：基准产生模块，用于根据温度系数修调值对正温度系数电压和负温度系数电压进行叠加并产生带隙基准电压；温度系数修调模块，与所述基准产生模块相连接，用于根据负温度系数电压转换的第一时钟对正温度系数电压转换的第二...

本发明公开了一种可控硅静电放电保护结构，包括：衬底、N阱、第一隔离槽、第二隔离槽、第三隔离槽、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第一ESD注入层和第二ESD注入层；N阱设置在衬底的表面区域；N阱从一端到另一...

本发明提供一种电阻型DAC电路结构及数模转换器包括：整数倍权电阻模块及分数倍权电阻模块，其中：基于电阻型DAC电路结构输出的加权模拟信号与单位电阻的比值选择整数倍权电阻模块或分数倍权电阻模块中至少一个，以输出对应的加权模拟信号；将输入的...

本发明提供一种用于薄膜晶体管的ESD防护器件结构及制备方法，提供自下而上依次叠置衬底、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层的基底，并在衬底中形成与第一绝缘层相接触的第一导电类型层及第二导电类型层，从而通过第一导电类型层及第二导电类型层...