带隙基准电路及带隙基准电压的温度补偿方法技术

本发明专利技术提供一种带隙基准电路，包括：基准产生模块，用于根据温度系数修调值对正温度系数电压和负温度系数电压进行叠加并产生带隙基准电压；温度系数修调模块，与所述基准产生模块相连接，用于根据负温度系数电压转换的第一时钟对正温度系数电压转换的第二时钟进行计数，并根据计数结果得到当前温度下的温度系数理论值，再根据所述温度系数理论值对所述基准产生模块的温度系数进行修调得到所述温度系数修调值。通过本发明专利技术提供的带隙基准电路，解决了现有带隙基准电压因负温度系数电压存在二阶温度系数所导致的精度不高的问题。在二阶温度系数所导致的精度不高的问题。在二阶温度系数所导致的精度不高的问题。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路及带隙基准电压的温度补偿方法


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种带隙基准电路及带隙基准电压的温度补偿方法。

技术介绍

[0002]带隙基准电压(Bandgap voltage reference，VBG)是片内参考电压的一个主要来源，其作为ADC(模数转换器)模块或者内部LDO(低压差线性稳压器)模块的参考源，对整个芯片系统起着举足轻重的作用；ADC模块如果参考不准，那么高精度ADC的设计则无从谈起；而内部LDO模块如果参考不准，则会导致输出电压变化过大，使得数字的时序发生紊乱或功能异常。
[0003]理想情况下，带隙基准电压不随温度、电压以及工艺偏差而变化；但是，带隙基准电压是由一个正温度系数电压和一个负温度系数电压相加得到，其中，正温度系数电压可以做得比较线性，即与温度完全成正比，但负温度系数电压不仅存在一阶温度系数，还存在着二阶温度系数，因此无法做到完全线性，这就导致带隙基准电压输出随温度变化呈一个抛物线。
[0004]鉴于此，如何削弱二阶温度系数对负温度系数电压的影响，从而提高带隙基准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括：基准产生模块，用于根据温度系数修调值对正温度系数电压和负温度系数电压进行叠加并产生带隙基准电压；温度系数修调模块，与所述基准产生模块相连接，用于根据负温度系数电压转换的第一时钟对正温度系数电压转换的第二时钟进行计数，并根据计数结果得到当前温度下的温度系数理论值，再根据所述温度系数理论值对所述基准产生模块的温度系数进行修调得到所述温度系数修调值。2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述基准产生模块包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管；所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管的源极均连接电源电压，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管的栅极彼此相连并连接所述运算放大器的输出端，所述第一MOS管的漏极连接所述运算放大器的同相输入端和所述第一电阻的第一端，所述第二MOS管的漏极连接所述运算放大器的反相输入端和所述第二晶体管的发射极，所述第三MOS管的漏极连接所述第二电阻的第一端并产生所述带隙基准电压；所述第一电阻的第二端连接所述第一晶体管的发射极，所述第二电阻的第二端连接所述第三晶体管的发射极，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的基极均连接各自的集电极并接地；其中，所述第一电阻和/或所述第二电阻为可调电阻。3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一电阻为固定电阻，所述第二电阻为可调电阻。4.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管的宽长比为1:N:1，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的发射极面积比为1:1:1。5.根据权利要求1
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4任一项所述的带隙基准电路，其特征在于，所述温度系数修调模块包括：第一转换单元，接收所述负温度系数电压，用于将所述负温度系数电压转换为第一时钟，其中，所述第一时钟具有第一时钟频率；第二转换单元，接收所述正温度系数电压，用于将所述正温度系数电压转换为第二时钟，其中，所述第二时钟具有第二时钟频率；计数单元，连接所述第一转换单元和所述第二转换单元的输出端，用于根据所述第一时钟对所述第二时钟进行计数并产生计数结果；修调控制单元，连接所述计数单元的输出端，用于根据所述计数结果得到当前温度下的所述温度系数理论值，并根据所述温度系数理论值产生修调控制信号，以对所述基准产生模块的温度系数进行修调控制。6.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一转换单元包括第一压控振荡器，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘尧，史林森，关宇轩，陈达伟，梁国豪，刘森，
申请(专利权)人：微龛广州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：