本发明提供一种LC振荡器电路，包括LC振荡器、温度检测模块及边界设定模块；LC振荡器用于在设定电压范围内进行锁定并产生振荡频率；温度检测模块用于获取与当前温度相关的电压，并将其分别与N个呈递增变化的电压阈值进行比较以产生比较结果；边界设...

本发明提供一种电容失配校准方法及电路，包括：第一电容阵列、第二电容阵列及参考电容，其中：第一电容阵列、第二电容阵列及参考电容的上极板均连接在一起；基于工作状态切换第一电容阵列的下极板、第二电容阵列的下极板及参考电容的下极板的电压值，以此...

本发明提供一种ESD保护结构，包括：全耗尽绝缘体上硅，由下至上包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；硅化物层，形成于埋氧层的上表面，且形成于顶层硅的两侧；栅氧层，形成于顶层硅的上表面；隔离层，形成于部分硅化物层的上表面，且形成于栅氧层的两侧；控制...

本发明提供一种逐次逼近型模数转换器，包括DAC电路、比较电路及SAR逻辑电路；DAC电路包括结构相同的第一、第二DAC模块，包括高、中、低及并列低权重位段，用于对输入电压进行采样和转换，并在转换阶段，依次执行高权重位段的转换、中权重位段...

本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及转换方法，包括：第一、第二数模转换模块分别接收正相输入信号及反相输入信号，并数模转换；差分比较模块，将第一、第二数模转换模块的输出信号比较，输出第一比较结果；第一校验比较模块，将第一数模转换模块的输出...

本发明提供一种开环小数分频器，包括调制模块，用于根据小数分频系数产生输出比特位和量化误差，并通过将输出比特位与整数分频系数相加产生分频控制信号；分频模块，连接调制模块的输出端，用于根据分频控制信号在N/N+1分频比之间进行切换，并对输入...

本发明提供一种具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法，该SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；埋氧层及硅器件层中形成有贯穿埋氧层及至少部分厚度的硅器件层的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定；硅器件层包括至...

本发明提供一种频率峰值调谐电路及系统，所述频率峰值调谐电路包括：峰化电感、峰化电容及调谐开关管；其中，所述峰化电感的第一端连接所述峰化电容的第一端并接入工作电压，所述峰化电感的第二端连接所述调谐开关管的第一连接端并作为调谐接入端；所述调...

本发明提供一种半导体结构、器件及其制备方法，在所述半导体结构中形成所述中间隔断层，其中，所述中间隔断层为由具有不同导电类型的第一导电类型层及第二导电类型层构成，所述第一导电类型层及所述第二导电类型层相接触，且所述第一导电类型层与所述第二...

本发明提供一种基于背偏调制的半导体器件、制备方法及系统，通过具有双绝缘层的基底，可制备具有背偏电极及中间层的半导体器件，且在半导体器件中，中间层位于绝缘层之间，并与背偏电极电连接，从而通过对功率管的静态漏电监测，可确定功率管的散热背偏，...

本发明提供一种模数转换器及权重电容校准方法，包括：逐次逼近型模数转换模块，接收输入信号，并对所述输入信号进行模数转换；锁频环模块，连接所述逐次逼近型模数转换模块中各权重电容单元，分别测量各权重电容的容值，并产生相应的频率信号；计数控制模...

本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制作方法，所述ESD保护结构包括：具有第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极；栅结构，设置于所述体...

本发明提供一种光接收模组及均衡补偿方法，包括：光电探测器，一端接收偏置电压，另一端连接无源均衡器的输入端；无源均衡器，对光电探测器输出信号中第一预设频率的信号成分进行补偿；均衡跨阻放大器，对无源均衡器输出信号中第二预设频率的信号成分进行...

本发明提供一种跨阻放大器电路，包括：信号检测模块，用于检测输出电压信号的电压大小或信号强度，并根据检测结果产生控制偏压；自动增益控制模块，连接信号检测模块的输出端，用于在初始电压的基础上，根据控制偏压产生增益切换控制电压，其中，增益切换...

本发明公开了一种三维单片集成电路结构及其制备方法，属于集成电路领域。本发明所述三维单片集成电路结构的制备方法在器件层间隙设置空洞，并在空洞中引入具有高散热性的碳纳米管材料作为散热基体，不仅契合器件层低温键合的温度要求，提升整体集成电路的...

本发明提供一种横向绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法，该晶体管结构包括基底、栅介质层、栅导电层、阴极电极层及阳极电极层，其中，基底包括Y方向上依次堆叠的第一半导体层、第一绝缘层、第二半导体层，所述第二半导体层包括在X方向上间隔设置的P型阱...

本发明提供一种ESD仿真方法及仿真电路，包括：1）获取ESD保护器件的工作特性曲线及击穿特性曲线，基于特性曲线设置测试激励；2）对设置有ESD保护器件的待保护电路施加模拟ESD放电脉冲进行仿真，通过仿真获取待保护电路受所述模拟ESD放电...

本发明提供一种具有高散热性能的SOI晶圆及其制备方法，SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；体硅晶圆靠近埋氧层的一侧形成有预设深度的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定，高热导率材料为碳纳米管或二硫化钼。...

本发明提供一种振荡器、芯片及电子设备，包括：振荡信号产生模块、差分转单端模块及反馈控制模块；所述振荡信号产生模块连接于所述反馈控制模块的输出端，基于所述反馈控制模块输出的第一电流及第二电流交替调整两路差分通路上对管的源极电压，以产生差分...

本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制备方法，所述ESD保护结构包括：第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极，所述源极上设置有隔离层；...