ESD保护结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种ESD保护结构，包括：全耗尽绝缘体上硅，由下至上包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；硅化物层，形成于埋氧层的上表面，且形成于顶层硅的两侧；栅氧层，形成于顶层硅的上表面；隔离层，形成于部分硅化物层的上表面，且形成于栅氧层的两侧；控制栅，形成于部分栅氧层的上表面；可编程栅，形成于部分栅氧层及与其邻接的部分隔离层的上表面，且形成于控制栅的两侧，其中可编程栅与控制栅之间具有间距；源极，形成于顶层硅一侧的硅化物层的上表面，且形成于隔离层远离可编程栅的一侧；漏极，形成于顶层硅另一侧的硅化物层的上表面，且形成于隔离层远离可编程栅的一侧。通过本发明专利技术提供的ESD保护结构，解决了现有结构静态漏电较高的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
ESD保护结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种ESD保护结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]芯片的静电防护（Electrostatic discharge，ESD）一直是很重要的环节，传统的可控硅防护等结构可以使得芯片耐ESD，然而这些器件的静态漏电较高（芯片正常工作时ESD器件的静态漏电），难以满足超低漏电的需求，如超低偏置电流放大器等高精度仪表放大器的漏电需求。
[0003]因此，设计一种超低漏电的ESD保护结构，已成为本领域技术人员迫切需要解决的技术问题之一。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种ESD保护结构及其制备方法，用于解决现有ESD保护结构静态漏电较高的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种ESD保护结构，所述ESD保护结构包括：全耗尽绝缘体上硅，由下至上依次包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；硅化物层，形成于所述埋氧层的上表面，且形成于所述顶层硅的两侧；栅氧层，形成于所述顶层硅的上表面；隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构包括：全耗尽绝缘体上硅，由下至上依次包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；硅化物层，形成于所述埋氧层的上表面，且形成于所述顶层硅的两侧；栅氧层，形成于所述顶层硅的上表面；隔离层，形成于部分所述硅化物层的上表面，且形成于所述栅氧层的两侧；控制栅，形成于部分所述栅氧层的上表面；可编程栅，形成于部分所述栅氧层及与其邻接的部分所述隔离层的上表面，且形成于所述控制栅的两侧，其中，所述可编程栅与所述控制栅之间具有间距；源极，形成于所述顶层硅一侧的所述硅化物层的上表面，且形成于所述隔离层远离所述可编程栅的一侧；漏极，形成于所述顶层硅另一侧的所述硅化物层的上表面，且形成于所述隔离层远离所述可编程栅的一侧。2.根据权利要求1所述的ESD保护结构，其特征在于，所述控制栅形成于所述栅氧层的中心位置；两个所述可编程栅对称形成于所述控制栅的两侧，且沿所述栅氧层和所述隔离层的邻接处对称。3.根据权利要求1所述的ESD保护结构，其特征在于，所述硅化物层由下至上依次包括硅化物及金属硅化物，所述金属硅化物的功函数位于硅禁带的中央；所述控制栅、所述可编程栅、所述源极及所述漏极的材质相同，为功函数位于硅禁带中央的金属。4.根据权利要求1所述的ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构为N型器件，进行ESD保护时，所述源极作为阴极接地，所述漏极、所述控制栅及所述可编程栅彼此相连并作为阳极接入正向ESD脉冲。5.根据权利要求1所述的ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构为P型器件，进行ESD保护时，所述漏极作为阴极接负向ESD脉冲，所述源极、所述控制栅及所述可编程栅彼此相连并作为阳极接入电源电压。6.根据权利要求1所述的ESD保护结构，其特征在于，所述ESD...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘尧，李建平，刘筱伟，班桂春，刘海彬，刘森，
申请(专利权)人：微龛广州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：