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本发明提供一种ESD保护结构，包括：全耗尽绝缘体上硅，由下至上包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；硅化物层，形成于埋氧层的上表面，且形成于顶层硅的两侧；栅氧层，形成于顶层硅的上表面；隔离层，形成于部分硅化物层的上表面，且形成于栅氧层的两侧；控制栅，...
该专利属于微龛（广州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微龛（广州）半导体有限公司授权不得商用。

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