高精度的薄膜电阻装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法，本发明专利技术通过在薄膜电阻下方设置隔离沟槽，利用隔离沟槽中设置的导热复合结构，使所述薄膜电阻与所述导热复合结构发生热交换，所述导热复合结构进一步通过其与散热孔形成导热接触将热量疏散，有效提高薄膜电阻周边环境的导热效率；通过设置散热孔及其内部设置有导热性良好的金属，薄膜电阻的周围提供额外的热耗散通道，使得薄膜电阻的工作温度保持在低温度漂移的环境下，还能够抑制大负载的持续时间内薄膜电阻的阻值漂移，从而减少薄膜电阻精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。

【技术实现步骤摘要】
高精度的薄膜电阻装置及其制备方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅基集成薄膜电阻是许多模拟集成电路重要的元件，例如有源滤波器、R型数模转换器、带隙基准电路和仪表放大器。这些模拟电路的性能，诸如工艺波动、温度系数、电压系数等，受到集成电阻的电学特性强烈影响。诸如专用的匹配的版图技术的一些技术被提出以促进集成电阻的电学特性，但是这些技术手段对集成电阻整体电学性能的提升有限。为此，诸如铬硅系(CrSi)、和镍铬系(NiCr)等金属被用于制作薄膜电阻以实现低电阻温度系数和电阻漂移。
[0003]DAC和ADC精度和分辨率的高低主要取决于器件内部的电阻网络，电阻网络性能的分析研究和制作，一直是模拟器件研制和生产的关键技术，特别是薄膜电路主要应用于高频微波和毫米波领域，其对集成薄膜电阻的阻值精度和外形质量提出了越来越高的要求。现有工艺中，金属薄膜电阻采用磁控溅射或离子镀、光刻以及离子刻蚀工艺制作在晶圆上，所制作的金属薄膜电阻具有精度高、线性度好、低温度系数、可激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度的薄膜电阻装置，其特征在于，包括：基板，所述基板上设置有器件层和隔离层；多个隔离沟槽，每个隔离沟槽贯穿所述隔离层形成且内部设置有导热复合结构，所述导热复合结构包括位于所述隔离沟槽底部的高热导率的低维纳米材料；薄膜电阻，位于所述隔离层上，所述薄膜电阻设置成与所述隔离沟槽交叠以使所述导热复合结构与所述薄膜电阻发生热交换，由此将所述薄膜电阻产生的热量传导至所述导热复合结构，所述薄膜电阻的两端设置有接触电极；散热孔，所述散热孔通过与所述导热复合结构形成导热接触将热量疏散。2.根据权利要求1所述的薄膜电阻装置，其特征在于：所述低维纳米材料包括石墨烯、碳纳米管和二硫化钼中的一种。3.根据权利要求1所述的薄膜电阻装置，其特征在于：所述导热复合结构包括自所述隔离沟槽的底部垂直定向的碳纳米管阵列以及填充于所述碳纳米管之间间隙的绝缘填充物，所述绝缘填充物包括TEOS氧化物。4.根据权利要求1所述的薄膜电阻装置，其特征在于：所述隔离沟槽内还设置有位于所述导热复合结构之上的导热绝缘胶，所述导热复合结构与所述薄膜电阻通过设置于两者之间的所述导热绝缘胶发生热交换，所述导热绝缘胶包括导热硅胶。5.根据权利要求1所述的薄膜电阻装置，其特征在于：所述薄膜电阻设置成其宽度方向与所述隔离沟槽的延伸方向一致。6.根据权利要求1或3所述的薄膜电阻装置，其特征在于：所述基板选用为硅基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘尧，刘筱伟，杨超，尹杰，段花花，刘森，
申请(专利权)人：微龛广州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：