一种集成栅极电阻的功率器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种集成栅极电阻的功率器件及其制造方法，涉及半导体集成电路制造技术领域，该器件包括：器件层包括栅极层，栅极层包括若干条形栅极和N个多晶硅条；功率器件还包括位于所述栅极层表面的绝缘层以及位于绝缘层表面金属层，金属层包括栅极总线、栅极金属、第一熔丝和第二熔丝；其中，栅极总线连接各个条形栅极的两端；各个多晶硅条的一端通过所述第一熔丝连接所述栅极总线，各个多晶硅条的另一端和所述栅极金属相连，栅极金属通过第二熔丝连接所述栅极总线；功率器件还包括位于金属层表面的钝化层、位于第一熔丝的上方的第一窗口和位于第二熔丝上方的第二窗口；有效的降低了功率器件的制造成本。了功率器件的制造成本。了功率器件的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种集成栅极电阻的功率器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造
，特别涉及一种集成栅极电阻的功率器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]栅极电阻(Rg)是隔离层器件的一个比较重要的参数，栅极电阻能够衰减栅极上出现的震荡，但也降低了转换效率；驱动频率越高，对转换效率的要求也越高，就需要比较小的栅极电阻，但是，过小的栅极电阻又会出现较高的电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)干扰，因此，需要根据不同的应用场合来设计具有不同栅极电阻的功率器件。
[0003]为了满足不同场合对具有不同栅极电阻功率器件的需求，通常需要在器件的栅极端外置一个分立电阻，而增加外置分立电阻会增加成本；为了解决上述问题，现有技术中常规的做法是在功率器件得到栅极多晶硅上集成一个多晶电阻条，将外置的分立电阻集成到功率器件内部，在一定程度上节约成本；但是，实际应用中，不同的应用场合对功率器件的栅极电阻的要求也是不同的，如果要修改栅极电阻，只能重新设计栅极电阻条的长宽比来改变栅极电阻，这就需要重新设计光罩，重新本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成栅极电阻的功率器件，其特征在于，包括：器件层；所述器件层包括栅极层，所述栅极层包括若干条形栅极和N个多晶硅条，各个所述条形栅极的端部连接在一起，N为大于零的整数；所述功率器件还包括位于所述栅极层表面的绝缘层以及位于所述绝缘层表面金属层，所述金属层包括栅极总线、栅极金属、第一熔丝和第二熔丝；其中，所述栅极总线连接各个所述条形栅极的两端；各个所述多晶硅条的一端通过所述第一熔丝连接所述栅极总线，各个所述多晶硅条的另一端和所述栅极金属相连，所述栅极金属通过所述第二熔丝连接所述栅极总线；所述功率器件还包括位于所述金属层表面的钝化层、位于所述第一熔丝的上方的第一窗口和位于所述第二熔丝上方的第二窗口，所述的窗口用于为熔断所述第一熔丝和/或所述第二熔丝的操作提供操作窗，以在熔断所述的熔丝后得到调整阻值的栅极电阻。2.根据权利要求1所述的集成栅极电阻的功率器件，其特征在于，各个所述多晶硅条的两端对应的所述绝缘层内设置有条形金属柱，其中一端的所述条形金属柱的两端分别连接所述第一熔丝和所述多晶硅条，另一端的所述条形金属柱的两端分别连接所述栅极金属和所述多晶硅条。3.根据权利要求1所述的集成栅极电阻的功率器件，其特征在于，所述多晶硅条的长度相同，宽度相等或不等；所述多晶硅条的宽度大于10μm，各个所述多晶硅条之间的间距大于1.0μm。4.根据权利要求1所述的集成栅极电阻的功率器件，其特征在于，所述第一熔丝和所述第二熔丝的宽度为1.0μm
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3.0μm，长度为10μm
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20μm。5.根据权利要求1所述的集成栅极电阻的功率器件，其特征在于，所述第一窗口和所述第二窗口为矩形窗口，所述矩形窗口的宽度大于8.0μm。6.一种集成栅极电阻的功率器件的制造方法，其特征在于，包括：制作栅极掩膜版；制作功率器件的器件层，所述器件层包括通过所述栅极掩膜版制作的包含有若干条端部连接在一起的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石金成，杨小华，
申请(专利权)人：深圳市创芯微微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：