一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法、旁路电容和功放芯片技术

本发明专利技术公开了一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法、旁路电容和功放芯片，方法包括以下步骤：获取正面具有GaN外延层的衬底；在所述GaN外延层上方制作上电极层；对衬底背面进行背孔刻蚀以形成盲孔，刻蚀深度止于GaN外延层，所述盲孔位于所述上电极层下方；在所述盲孔内进行金属化，以形成下电极层。本发明专利技术上电极层位于下电极层正上方，减少了下电极互连线，使得其占用芯片面积少，寄生电感小；同时采用高温外延层GaN，相较低温外延生长的多晶介质，损耗小，故Q值高，发热少；GaN的导热特性也优于低温外延层，故承受射频功率大；高温外延层的厚度均匀且精确，可以在不影响电容良率的前提下严格精准控制电容大小。率的前提下严格精准控制电容大小。率的前提下严格精准控制电容大小。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法、旁路电容和功放芯片


[0001]本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法、旁路电容和功放芯片。

技术介绍

[0002]功率放大器是利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波，即交流信号电流，三极管的集电极电流永远是基极电流的A倍，A是三极管的交流放大倍数，应用这一点，若将小信号注入基极，则集电极流过的电流会等于基极电流的A倍，然后将这个信号用隔直电容隔离出来，就得到了电流(或电压)是原先的A倍的大信号，这现象成为三极管的放大作用。而经过不断的电流放大，就完成了功率放大。功率放大器通常由3部分组成：前置放大器、驱动放大器、末级功率放大器。功放芯片则是实现功率放大器的一种芯片。
[0003]而对于功放芯片，芯片用到很多旁路的匹配电容，现有技术多采用MIM(金属
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介质
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金属)结构实现片上电容。其具体结构参见图1，整体制作工艺流程如下：在具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：获取正面具有GaN外延层的衬底；在所述GaN外延层上方制作上电极层；对衬底背面进行背孔刻蚀以形成盲孔，刻蚀深度止于GaN外延层，所述盲孔位于所述上电极层下方；在所述盲孔内进行金属化，以形成下电极层。2.根据权利要求1所述的一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法，其特征在于：所述获取正面具有GaN外延层的衬底包括：所述衬底上本身具有GaN外延层；或者：在衬底上制备GaN外延层。3.根据权利要求1所述的一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法，其特征在于：在所述GaN外延层上方制作上电极层的同时，制备芯片电路。4.根据权利要求1所述的一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法，其特征在于：所述在所述盲孔内进行金属化，以形成下电极层包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：何泽涛，黎明，魏小洋，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：