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本发明公开了一种集成电路的大功率旁路电容结构的制作方法、旁路电容和功放芯片，方法包括以下步骤：获取正面具有GaN外延层的衬底；在所述GaN外延层上方制作上电极层；对衬底背面进行背孔刻蚀以形成盲孔，刻蚀深度止于GaN外延层，所述盲孔位于所述上...
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