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本发明公开了一种集成栅极电阻的功率器件及其制造方法，涉及半导体集成电路制造技术领域，该器件包括：器件层包括栅极层，栅极层包括若干条形栅极和N个多晶硅条；功率器件还包括位于所述栅极层表面的绝缘层以及位于绝缘层表面金属层，金属层包括栅极总线、栅...
该专利属于深圳市创芯微微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市创芯微微电子有限公司授权不得商用。

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