本发明所涉及的磁壁利用型自旋MOSFET(100)的特征在于：具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；沟道层(5)；磁化自由层(6)，以被设置于沟道层的...

本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(...

本发明提供一种可薄型至可内置于IC卡等的薄型电子设备内的水平的电化学器件及其制造方法。电化学器件具有：以夹持隔离片(11)的方式叠层有一对内部电极(16、26)的元件主体(10)；覆盖元件主体(10)的外装片(4)；以元件主体(10)被...

本发明目的在于提供相对介电常数大的多晶介电体薄膜及电容元件，其主要组成为钙钛矿型氮氧化物，所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn(a1+b1+o+n＝5)表示，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。

本发明涉及一种具有磁铁以及线圈的电动机。在磁铁中，将T1(℃)下的剩余磁通密度记为Br1(mT)；将T2(℃)下的剩余磁通密度记为Br2(T2)；将T3(℃)下的剩余磁通密度记为Br3(mT)。设定：T1＝20；T2＝100；T3＝22...

本发明提供一种线圈单元，即使在供电线圈(10)和受电线圈(20)的平面的位置关系产生偏差的情况下，也能够抑制供电线圈(10)的感应系数的变化。一种线圈单元(Lr)，其具备：以比供电线圈(10)小的卷绕面积以在中央具有开口部(20a)的方...

本发明提供了一种磁传感器，其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠，元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1)，并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串...

本发明涉及一种压粉磁芯，其中：含有金属磁性材料及树脂；存在绝缘膜，其与金属磁性材料的表面相接并包覆金属磁性材料；绝缘膜具有第一膜及第二膜；在将与金属磁性材料的表面相接的膜设为第一膜，将与第一膜的表面相接的膜设为第二膜的情况下，第一膜的密...

一种压粉磁芯，其含有金属磁性材料及树脂。存在覆盖金属磁性材料的绝缘膜。在金属磁性材料和绝缘膜之间存在与金属磁性材料的表面及绝缘膜相接的中间层。将金属磁性材料整体设为100wt％时，金属磁性材料含有85～99.5wt％的Fe、0.5～10...

本发明涉及键输入装置。键输入装置具备：键顶，其通过按压操作而能够升降移动；第一基材，其具有位于键顶侧的第一面及与该第一面相对的第二面，支承键顶并且设置为能够与键顶一起升降移动；第二基材，其设置于键顶的升降移动方向上的键顶和第一基材之间，...

本发明涉及一种压粉磁芯，其中含有金属磁性材料及树脂。在压粉磁芯的表面存在微粒。

本发明提供一种d33大的压电组合物。压电组合物(2)具有多个晶粒(4)，压电组合物(2)含有铋、铁、钡、钛和氧，晶粒(4)包含核(6)和包覆核(6)的壳(8)，核(6)中的铋的含量的平均值表示为CCORE质量％，壳(8)中的铋的含量的平...

本发明提供压电常数d33大、居里温度Tc高的压电组合物。压电组合物(2)具备多个晶粒(4)，压电组合物(2)含有铋、铁、钡、钛和氧，晶粒(4)包括核(6)和铋的含量大于核(6)且包覆核(6)的壳(8)，露出于压电组合物(2)的截面(2c...

本发明提供即使在使用需要指向性的频带的情况下也能够以更宽的角度进行通信的天线装置。具备基板(110)、搭载于基板(110)的IC芯片(120)、包含从IC芯片(120)被供电且向与基板(110)垂直的z方向放射的多个贴片天线导体(141...

本发明涉及负极活性物质、负极及锂离子二次电池。负极活性物质含有碳材料和选自硫原子及硫化合物中的至少一种硫成分，上述硫成分相对于上述碳材料和上述硫成分的合计量的含量按照利用荧光X射线分析法测定的S换算，为0.0005质量％以上0.01质量...

本发明提供一种半导体封装件的制造方法，该半导体封装件是具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到的半导体封装件，其中，该制造方法具备：平滑面形成工序，在微凸起上形成平滑面；叠层工序，通过在一个半导体芯...

本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起，其中，该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以...

并行制造具备素体及导体的多个电子部件的电子部件的制造方法包括：在第一基材的表面上相互分开而设定的多个区域上分别形成成为电子部件的层叠体的工序；将层叠体从区域剥离的工序；和热处理层叠体的工序。形成层叠体的工序包括第一工序和第二工序。在第一...

本发明提供一种d33大且比电阻大的压电组合物、以及使用该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物由下述化学式(1)表示。x[BimFeO3]‑y[BamTiO3]‑z[BimAlO3] (1)[式(1)中，0.5≤x≤0.7995，0....

本发明的目的在于提供一种d33大且比电阻大的压电组合物、以及使用该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物以下述化学式(1)表示。x[BimFeO3]‑y[BamTiO3]‑z[SrmTiO3](1)，[式(1)中，0.5≤x≤0.8，...