多晶介电体薄膜及电容元件制造技术

本发明专利技术目的在于提供相对介电常数大的多晶介电体薄膜及电容元件，其主要组成为钙钛矿型氮氧化物，所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn(a1+b1+o+n＝5)表示，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶介电体薄膜及电容元件
本专利技术涉及多晶介电体薄膜及电容元件。
技术介绍
近年来，伴随数字装置的小型化、高性能化，需要使用了高性能的介电体薄膜的电容元件。以往，就介电体薄膜而言，广泛采用使用了金属氧化物材料的薄膜。但是，金属氧化物材料制得的介电体薄膜的特性改善已逐渐逼近极限，需要有更高特性的新材料。新材料的候选者之一可列举钙钛矿(perovskite)结晶结构中的氧八面体中的一部分氧原子置换成氮原子而成的金属氮氧化物材料。但是难以获得具有金属氮氧化物材料的介电体薄膜。例如，专利文献1及专利文献2记载了制作钙钛矿型氮氧化物ABO2N粉末的方法。但是，专利文献1及专利文献2中针对获得使用钙钛矿型氮氧化物ABＯ2N的薄膜，没有任何揭示。又，非专利文献1记载了制作由钙钛矿型氮氧化物ABO2N构成的薄膜。但非专利文献1获得的薄膜是磊晶膜(epitaxialfilm)。磊晶膜是利用磊晶生长制得的薄膜。磊晶生长是一种薄膜结晶生长技术，是指在成为基板的结晶上进行结晶生长，整齐地排列在基底的基板的结晶面的结晶生长。磊晶膜有制造非常耗时的缺点。非专利文献1中记载了制造厚度20nm以下的磊晶膜要耗费5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶介电体薄膜，其为主要组成是钙钛矿型氮氧化物的多晶介电体薄膜，其特征为：所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn表示，其中，a1+b1+o+n＝5，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.01 JP 2016-0174781.一种多晶介电体薄膜，其为主要组成是钙钛矿型氮氧化物的多晶介电体薄膜，其特征为：所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn表示，其中，a1+b1+o+n＝5，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。2.如权利要求1所述的多晶介电体薄膜，其中，所述晶格的a轴长、b轴长及c轴长皆...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎久美子，千原宏，永峰佑起，山崎纯一，梅田裕二，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP