磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器制造技术

本发明专利技术所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(4)，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器
本专利技术涉及磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器。本申请基于2016年4月21日在日本提出申请的特愿2016-085530号要求优先权，并将该专利申请内容引用于此。
技术介绍
作为取代在微型化方面已显现出限制的闪存器(flashmemory)等的下一代非易失性存储器，为人们所关注的有利用电阻变化型元件来存储数据的电阻变化型存储器例如MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory)、ReRAM(ResistanceRandomAccessMemory)、PCRAM(PhaseChangeRandomAccessMemory)等。作为存储器的高密度化(大容量化)的方法除了减小构成存储器的元件自身的方法之外，还有将构成存储器的每一个元件的存储位(recordingbit)多值化的方法，并且有方案提出各种各样的多值化方法(例如专利文献1～3)。对于MRAM中的一个来说有被称作为磁壁驱动型或者磁壁移动型的类型(例如专利文献4)。磁壁驱动型MRAM是通过以下所述步骤来实行数据的写入，即，在磁壁驱动层(或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，具备：磁壁驱动层，具有磁壁、第1区域、第2区域、和位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域；磁化固定层，经由非磁性层而设置于所述第3区域；以及下部电极层，在所述第3区域的设置有所述磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于俯视时与所述磁化固定层相重叠的位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.21 JP 2016-0855301.一种磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，具备：磁壁驱动层，具有磁壁、第1区域、第2区域、和位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域；磁化固定层，经由非磁性层而设置于所述第3区域；以及下部电极层，在所述第3区域的设置有所述磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于俯视时与所述磁化固定层相重叠的位置。2.如权利要求1所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，在所述磁壁驱动层与所述下部电极层之间进一步具备高阻层。3.如权利要求1或者2所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，所述磁壁驱动层的长度为60nm以上。4.如权利要求1～3中任意一项所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，进一步具备：与所述第1区域相接并具有第1磁化方向的第1磁化供给层；以及与所述第2区域相接并具有与所述第1磁化方向相反的第2磁化方向的第2磁化供给层。5.如权利要求4所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，所述磁壁驱动层、所述第1磁化供给层、所述第2磁化供给层、以及所述磁化固定层各自的磁化方向分别平行于各层。6.如权利要求4所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，所述磁壁驱动层、所述第1磁化供给层、所述第2磁化供给层、以及所述磁化固定层各自的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木智生，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP