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TDK株式会社专利技术
TDK株式会社共有5143项专利
生物传感器和生物芯片制造技术
本发明的生物传感器包括:基板,其具有形成有第一区域和与上述第一区域邻接配设的第二区域的面;磁阻效应元件,其配置于上述第一区域上,检测出的电阻值对应于所输入的磁场而发生变化;保护膜,其配置于上述第一区域上和第二区域上的两个区域上,覆盖上述...
电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件制造技术
本发明提供一种耐电压较高且可靠性良好的电介质组合物及使用了其的电子部件。所述电介质组合物其特征在于,具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以化学式(Sr1.00‑(s+t)BasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑aZra)x+...
电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件制造技术
本发明提供一种耐受电压高且可靠性良好的电介质组合物以及使用其的电子部件。该电介质组合物的特征在于,具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以(Sr1.00‑s‑tBasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑aZra)x+2.00(N...
层叠型电子部件制造技术
层叠型电子部件包括:包含层叠的多个电介质层和多个导体层的层叠体;相对于层叠体一体化的多个端子;和由导体形成且相对于层叠体一体化的屏蔽构件。层叠体具有底面、顶面和与底面和顶面连接的4个侧面。多个端子设置于层叠体的底面。屏蔽构件覆盖层叠体的...
低通滤波器制造技术
本发明的低通滤波器包括第一和第二输入输出端口;串联连接并且设置于第一输入输出端口与第二输入输出端口之间的第一和第二LC并联谐振器;和第一至第三路径。第一路径包括第一LC串联谐振器,并且连接最靠近第一输入输出端口的第一LC并联谐振器的第一...
磁阻效应器件及高频器件制造技术
本发明提供一种作为高频滤波器等高频器件起作用的磁阻效应器件。该磁阻效应器件具备:第一端口;第二端口;磁阻效应元件;第一信号线路,其与上述第一端口连接,并对上述磁阻效应元件施加高频磁场;第二信号线路,其将上述第二端口和上述磁阻效应元件相连...
线圈部件制造技术
本发明提供不易在焊料的接合部分产生裂纹的线圈部件。包括:导体层(31~34)和层间绝缘层(40~44)交替地层叠而成的线圈部(20)和外部端子(E1、E2)。导体层(31~34)具有线圈导体图案(C1~C4)和从线圈部(20)露出的电极...
电感元件制造技术
本发明提供一种电感元件,其具有:使导体卷绕成线圈状的绕组部、及包围绕组部的周围且包含磁性粉体和树脂的芯部。绕组部具有内周面。将从内周面朝向卷轴中心为规定范围内的距离的芯部的区域设为绕组内周附近区域。将在从卷轴中心向垂直的外侧方向上存在绕...
电感元件制造技术
本发明提供一种电感元件,其具有:使导体卷绕成线圈状的绕组部、及包围绕组部的周围且包含磁性粉体和树脂的芯部。将在从卷轴中心向垂直的外侧方向上存在绕组部且从卷轴中心朝向所述垂直的外侧方向为规定范围内的距离的芯部的区域设为中芯中央区域。将从卷...
交换偏置利用型磁化反转元件、交换偏置利用型磁阻效应元件、交换偏置利用型磁存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元元件制造技术
本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中,具备:反铁磁性驱动层(1),其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成;磁耦合层(2),其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动...
磁传感器制造技术
[技术问题]将适于闭环控制的磁传感器小型化及低成本化。[解决方案]具备:电连接于端子(41、42)间且沿x方向延伸的磁阻效应元件MR1和电连接于端子(43、44)间且沿着磁阻效应元件MR1在x方向上延伸的磁性体(31)。磁阻效应元件MR...
磁传感器制造技术
本发明提供一种不易受环境磁场影响的磁传感器。本发明的磁传感器具备:位于第1平面(P1)的磁检测元件(MR1~MR4)、以及设置在第2平面(P2)的磁性体(30A)。磁性体(30A)包括:第1、第2脚部(41、42)、以及位于第1、第2脚...
生物传感器和生物芯片制造技术
本发明的生物传感器包括:具有形成有第一区域和与第一区域邻接配设的第二区域的面的基板;配置于第一区域上、检测出的电阻值对应于所输入的磁场而发生变化的磁阻效应元件;配置于第二区域上的软磁性体薄膜;保护膜,其配置于第一区域上和第二区域上的两个...
电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件制造技术
本发明提供一种耐电压高且可靠性良好的电介质组合物及使用了其的电子部件。所述电介质组合物其特征在于,具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以化学式(Sr1.00‑(s+t)BasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑(a+d)Zra...
软磁性合金以及磁性部件制造技术
本发明涉及一种软磁性合金,其以Fe为主要成分,将上述软磁性合金的连续测定范围中的1nm×1nm×1nm的80000个以上的格子的Fe含量(原子%)作为y轴,将按各格子的Fe含量降序求得的累计频率(%)作为x轴时,累计频率20~80%的近...
磁化反转元件、磁阻效应元件和存储设备制造技术
该磁化反转元件具有:铁磁性金属层;和自旋轨道转矩配线,其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸,上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上,从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属...
磁铁、磁铁结构体及旋转角度检测器制造技术
磁铁、磁铁结构体及旋转角度检测器。本发明提供一种磁铁(4),磁铁(4)是具有圆柱或圆筒形状,且含有多个磁性晶粒的磁铁,其中,磁铁(4)的磁化方向是与圆柱或圆筒的轴正交的方向,磁性晶粒的易磁化轴的方向是各向同性的。
MEMS电容性传感器制造技术
MEMS电容性传感器(MCS)包括电容器(CMEMS),该电容器(CMEMS)包括背板(BP)和膜(M),其中该电容器(CMEMS)被布置在衬底(B)上。该电容性传感器(MCS)包括连接至该背板(BP)以提供输出信号(OS)的输出端(M...
自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器技术
本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线,上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成,在与上述...
磁传感器制造技术
本发明提供一种磁传感器,通过使磁通更大地弯曲来提高磁检测灵敏度的磁传感器。本发明的磁传感器具备:位于分离第1空间(S1)和第2空间(S2)的平面(P)的磁检测元件(MR1、MR2)、配置于第1空间(S1)且从z方向观察位于磁检测元件(M...
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