交换偏置利用型磁化反转元件、交换偏置利用型磁阻效应元件、交换偏置利用型磁存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元元件制造技术

本发明专利技术提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中，具备：反铁磁性驱动层(1)，其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成；磁耦合层(2)，其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(1)磁耦合；第一电极层(5)，其与第一区域(1a)接合；以及第二电极层(6)，其与第二区域(1b)接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】交换偏置利用型磁化反转元件、交换偏置利用型磁阻效应元件、交换偏置利用型磁存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元元件
本专利技术涉及交换偏置利用型磁化反转元件、交换偏置利用型磁阻效应元件、交换偏置利用型磁存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元元件。本申请基于2016年6月10日在日本申请的特愿2016-116677号及2016年12月2日在日本申请的特愿2016-235454号要求优先权，在此引用其内容。
技术介绍
作为取代在微型化方面已显现出限制的闪存器(flashmemory)等的下一代非易失性存储器，为人们所关注的有利用电阻变化型元件来存储数据的电阻变化型存储器，例如MRAM(磁阻式随机存取存储器，MagnetoresistiveRandomAccessMemory)、ReRAM(阻变存储器，ResistanceRandomAccessMemory)、PCRAM(相变随机存取存储器，PhaseChangeRandomAccessMemory)等。作为存储器的高密度化(大容量化)的方法，除了减小构成存储器的元件自身的方法之外，还有将构成存储器的每一个元件的存储位(recordingbit)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交换偏置利用型磁化反转元件，其中，具备：反铁磁性驱动层，其由第一区域和第二区域及位于这些区域之间的第三区域构成；磁耦合层，其在所述第三区域与所述反铁磁性驱动层磁耦合，并且磁化方向可变；第一电极层，其与所述第一区域接合；以及第二电极层，其与所述第二区域接合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.10 JP 2016-116677;2016.12.02 JP 2016-235451.一种交换偏置利用型磁化反转元件，其中，具备：反铁磁性驱动层，其由第一区域和第二区域及位于这些区域之间的第三区域构成；磁耦合层，其在所述第三区域与所述反铁磁性驱动层磁耦合，并且磁化方向可变；第一电极层，其与所述第一区域接合；以及第二电极层，其与所述第二区域接合。2.根据权利要求1所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，所述反铁磁性驱动层含有具有闪锌矿结构的反铁磁性材料。3.根据权利要求1所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，所述反铁磁性驱动层含有CuMnAs、Mn2Au的任一种的反铁磁性材料。4.根据权利要求1所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，所述反铁磁性驱动层从与所述磁耦合层接合侧起具有：反铁磁性层；和非磁性金属层，其与该反铁磁性层接合，并且通过电流流通而产生纯自旋流。5.根据权利要求1～4中任一项所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，在所述第三区域的设置有所述磁耦合层的面的相反侧的面具备设置于俯视时与所述磁耦合层重叠的位置的下部电极层。6.根据权利要求5所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，在所述反铁磁性驱动层和所述下部电极层之间具备高电阻层。7.根据权利要求1～6中任一项所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，所述反铁磁性驱动层由在赋予了使第一磁畴及第二磁畴这两种磁畴的比率变化的一定的负载量时，在仅成为第一磁畴或仅成为第二磁畴的两端的附近，所述比率相对于所述负载量的变化率不连续地变化的材料构成。8.根据权利要求1～6中任一项所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，所述反铁磁性驱动层由在赋予了使第一磁畴及第二磁畴这两种磁畴的比率变化的一定的负载量时，仅成为第一磁畴或仅成为第二磁畴的两端的附近的所述比率相对于所述负载量的变化率比所述两端之间的变化率小的材料构成。9.根据权利要求1～8中任一项所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中，与所述反铁磁性驱动层接合的所述第一电极层及所述第二电极层由具有相互反向的磁化的铁磁性体材料构成。10.根据权利要求9所述的交换偏置利用型磁化反转元件，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田龙雄，佐佐木智生，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP