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交换偏置利用型磁化反转元件、交换偏置利用型磁阻效应元件、交换偏置利用型磁存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元元件制造技术
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文档序号:19397906
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本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中,具备:反铁磁性驱动层(1),其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成;磁耦合层(2),其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(...
该专利属于TDK株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过TDK株式会社授权不得商用。
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