磁传感器制造技术

本发明专利技术提供一种不易受环境磁场影响的磁传感器。本发明专利技术的磁传感器具备：位于第1平面(P1)的磁检测元件(MR1～MR4)、以及设置在第2平面(P2)的磁性体(30A)。磁性体(30A)包括：第1、第2脚部(41、42)、以及位于第1、第2脚部(41、42)之间且在与第2平面(P2)之间形成第1空间(61)的第1主体部(51)。磁检测元件(MR1～MR4)被第1主体部(51)覆盖。根据本发明专利技术，待检测的磁场聚集在第1及第2脚部(41、42)中，而磁检测元件(MR1～MR4)被第1主体部(51)覆盖，因此，能够经由第1主体部(51)能够使成为噪声的环境磁场绕开，由此能够减小环境磁场的影响。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器
本专利技术涉及磁传感器，具体而言，涉及具备将磁通集中于磁检测元件的磁性体的磁传感器。
技术介绍
使用磁电阻元件的磁传感器被广泛用于电流表、磁编码器等。在磁传感器中，有时会设置用于将磁通集中于磁检测元件的磁性体，在这种情况下，磁性体相对于磁检测元件偏移而配置(参照专利文献1和2)。由此，由于磁性体的作用，磁通的方向朝磁化固定方向弯曲，从而能够进行高灵敏度的检测。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5500785号公报专利文献2：日本特开2014-182096号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，在专利文献1和2中记载的磁传感器中，由于大多数磁检测元件从磁性体露出，因此存在容易受到成为噪声的环境磁场的影响的问题。因此，本专利技术的目的在于提供一种不易受环境磁场影响的磁传感器。解决技术问题的手段本专利技术所涉及的磁传感器具备：位于第1平面且至少包含第1磁检测元件的多个磁检测元件、以及设置在平行于第1平面的第2平面上的磁性体；其中，所述磁性体包括：在与所述第2平面之间形成第1空间的第1主体部、以及固定在所述第2平面上的第1脚部，所述第1磁检测元件被所述第1主体部覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：位于第1平面且至少包含第1磁检测元件的多个磁检测元件、以及设置于平行于所述第1平面的第2平面中的磁性体，所述磁性体包括：在与所述第2平面之间形成第1空间的第1主体部、以及相对于所述第1主体部突出、且固定于所述第2平面上的第1脚部，所述第1磁检测元件被所述第1主体部覆盖。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.17 JP 2016-0535211.一种磁传感器，其特征在于，具备：位于第1平面且至少包含第1磁检测元件的多个磁检测元件、以及设置于平行于所述第1平面的第2平面中的磁性体，所述磁性体包括：在与所述第2平面之间形成第1空间的第1主体部、以及相对于所述第1主体部突出、且固定于所述第2平面上的第1脚部，所述第1磁检测元件被所述第1主体部覆盖。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述多个磁检测元件进一步包括：被所述第1主体部覆盖的第2磁检测元件，所述磁性体进一步包括：相对于所述第1主体部突出、且固定于所述第2平面的第2脚部，所述第1主体部位于所述第1脚部和所述第2脚部之间，所述第1磁检测元件偏向所述第1脚部侧配置，所述第2磁检测元件偏向所述第2脚部侧配置。3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述第1空间在与所述第1平面和所述第2平面交叉且横穿所述第1脚部和所述第2脚部的方向上的截面形状为多边形。4.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述第1主体部在与所述第1平面和所述第2平面交叉且横穿所述第1脚部和所述第2脚部的方向上的底面具有曲线部分。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边圭，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP