磁传感器制造技术

本发明专利技术提供一种磁传感器，通过使磁通更大地弯曲来提高磁检测灵敏度的磁传感器。本发明专利技术的磁传感器具备：位于分离第1空间(S1)和第2空间(S2)的平面(P)的磁检测元件(MR1、MR2)、配置于第1空间(S1)且从z方向观察位于磁检测元件(MR1、MR2)之间的第1磁性体(31)以及配置于第2空间(S2)的第2磁性体(32)。从z方向看，磁检测元件(MR1)位于第1磁性体(31)和第2磁性体(32)的第1部分(32a)之间。从z方向看，磁检测元件(MR2)位于第1磁性体(31)和第2磁性体(32)的第2部分(32b)之间。根据本发明专利技术，由于第1磁性体集中的磁通被引到第2磁性体的第1部分和第2部分，所以能够使磁通更大地弯曲。由此，能够提高磁传感器的磁检测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器
本专利技术涉及磁传感器，具体而言，涉及具备将磁通集中于磁检测元件的磁性体的磁传感器。
技术介绍
使用了磁阻元件的磁传感器被广泛用于电流表、磁编码器等。在磁传感器中，设置有用于将磁通集中于磁检测元件的磁性体，在这种情况下，磁性体相对于磁检测元件偏移而配置(参照专利文献1和2)。由此，由于磁性体的作用，磁通的方向朝磁化固定方向弯曲，从而能够进行高灵敏度的检测。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5500785号公报专利文献2：日本特开2014-182096号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，在专利文献1和2中所记载的磁传感器中，由于仅仅是磁性体相对于磁检测元件偏移地配置，因此将磁通弯曲的能力不充分。因此，本专利技术的目的在于提供一种通过使磁通更大地弯曲来提高磁检测灵敏度的磁传感器。解决技术问题的手段本专利技术的磁传感器，其特征在于，具备：多个磁检测元件，包括位于分离第1空间和第2空间的平面的至少第1磁检测元件和第2磁检测元件；第1磁性体，其配置于所述第1空间，从与所述平面交叉的第1方向观察位于所述第1磁检测元件和所述第2磁检测元件之间；以及第2磁性体，其配置于所述第2空间，且至少具有第1部分和第2部分，从所述第1方向观察，所述第1磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第1部分之间，从所述第1方向观察，所述第2磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第2部分之间。根据本专利技术，由于第1磁性体集中的磁通被引到第2磁性体的第1部分和第2部分，所以能够使磁通更大地弯曲。因此，能够提高磁传感器的磁检测灵敏度。在此，优选第1磁性体和第2磁性体由软磁性材料构成。在本专利技术中，优选所述第2磁性体还包括连接所述第1部分和所述第2部分的第3部分，并且所述第1部分和所述第2部分具有比所述第3部分更加向所述平面侧突出的形状。由此，使磁通进一步弯曲的力量变得更大，从而能够进一步提高磁传感器的磁检测灵敏度。在这种情况下，优选所述第1部分和第2部分的端面位于所述平面附近。由此，磁通能更加锐角地弯曲，从而能够进一步提高磁传感器的磁检测灵敏度。在本专利技术中，优选所述多个磁检测元件与所述平面平行，且将作为所述第1及所述第2磁检测元件的排列方向的第2方向作为磁化固定方向。由此，磁通向磁化固定方向有很大的弯曲，因此磁传感器的磁检测灵敏度提高了。在这种情况下，优选与所述平面平行且与所述磁化固定方向交叉的第3方向上的所述第1磁性体的长度比所述第3方向上的所述多个磁检测元件的各自的长度都长。此外，在所述第3方向上的所述第2磁性体的长度也比所述第3方向上的所述多个磁检测元件的各自的长度更长。根据这些，可以在第3方向的较宽的区域中获得与磁化固定方向平行的磁场，从而能够进一步提高磁传感器的磁检测灵敏度。本专利技术的磁传感器优选进一步具备形成有所述多个磁检测元件的第1基板，所述第1磁性体固定于所述第1基板的一个表面上，所述第2磁性体固定于所述第1基板的另一个表面上。由此，能够使磁传感器的结构简单化。在这种情况下，本专利技术的磁传感器优选进一步具备具有收纳部的第2基板，优选所述第1基板的至少一部分被收纳于所述收纳部中。由此，由于第1基板和第2基板之间的台阶变小，因此两者的电连接变得容易。进一步，在这种情况下更优选所述收纳部贯通所述第2基板而设置。由此，可以使用更大的第2磁性体。专利技术效果根据本专利技术，通过更大地弯曲磁通能够提供磁检测灵敏度提高了的磁传感器。附图说明图1是示出本专利技术的第1实施方式的磁传感器10A的外观的大致立体图。图2是磁传感器10A的截面图。图3是磁传感器10A的俯视图。图4是用于说明磁检测元件MR1～MR4的连接关系的电路图。图5是示出本专利技术第2实施方式的磁传感器10B的外观的大致立体图。图6是磁传感器10B的截面图。图7是示出第1以及第2部分32a、32b的z方向上的突出量和检测灵敏度之间的关系的示意图。图8是示出将磁传感器10B载置于第2基板41上的例子的大致立体图。图9是示出将磁传感器10B载置于第2基板41上的例子的截面图。图10是示出本专利技术的第3实施方式的磁传感器10C的外观的大致立体图。图11是磁传感器10C的截面图。图12是示出将磁传感器10C载置于第2基板42上的例子的大致立体图。图13是示出将磁传感器10C载置于第2基板42上的例子的侧视图。图14是示出在磁传感器10C上附加回轭(backyoke)61、62的例子的大致立体图。符号说明10A～10C……磁传感器；20……传感器芯片；21……第1基板；21a……元件形成面；22……绝缘膜；23……搭载区域；31……第1磁性体；32……第2磁性体；32a……第1部分；32b……第2部分；32c……第3部分；32t、32t1、32t2……端面；41、42……第2基板；41a……第2基板的主面；43……贯通孔；51……恒定电压源；52……电压检测电路；61、62……回轭；B1、B2……接合焊垫；BW……接合线；C1、C2……连接点；MR1～MR4……磁检测元件；P……平面；S1……第1空间；S2……第2空间具体实施方式以下，参考附图详细地说明本专利技术的优选实施方式。<第1实施方式>图1是示出本专利技术的第1实施方式的磁传感器10A的外观的大致立体图。此外，图2是磁传感器10A的截面图，图3是磁传感器10A的俯视图。特别地，图2示出了沿图3所示的A-A线的截面。如图1～图3所示，本实施方式的磁传感器10A具备传感器芯片20和被固定于传感器芯片20的第1磁性体31和第2磁性体32。传感器芯片20具备具有大致长方体形状的第1基板21，在第1基板21的元件形成面21a上形成有四个磁检测元件MR1～MR4。元件形成面21a由xy面构成，并且构成平面P的一部分，所述平面P将配置有第1磁性体31的第1空间S1、配置有第2磁性体32的第2空间S2分离。元件形成面21a被绝缘膜22覆盖。作为传感器芯片20的制作方法，通常是在组装基板上同时形成多个传感器芯片20，再将它们分离来得到多个感器芯片20。本专利技术并不限定于此，也可以分别制作各个传感器芯片20。磁检测元件MR1～MR4只要是根据磁通密度的不同其物理特性发生变化的元件都没有特别地限定，在本实施方式中，使用电阻根据磁场的朝向发生变化的磁阻效应元件(MR元件)。磁检测元件MR1～MR4的磁化固定方向全部都一致在图2和图3中的箭头B所示的方向(x方向上的正侧)。第1以及第2磁性体31、32是由铁氧体等透磁率高的软磁性材料构成的块，在本实施方式中具有大致长方体形状。其中，第1磁性体31固定于传感器芯片20的一个表面侧，因此位于第1空间S1。另一方面，第2磁性体32固定于传感器芯片20的另一个表面侧上，因此位于第2空间S2中。第1磁性体31固定于被定义在传感器芯片20的一个表面上的搭载区域23。搭载区域23在俯视图中(即，从作为第1方向的z方向看)位于传感芯片20的中央部，且位于磁检测元件MR1、MR3和磁检测元件MR2、MR4之间。具体而言，磁检测元件MR1、MR2排列在作为第2方向的x方向上，磁检测元件MR3、MR4排列在x方向上。此外，磁检测元件MR1、MR3排列在作为第3方向的y方向上，磁检测元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：多个磁检测元件，包括位于分离第1空间和第2空间的平面的至少第1磁检测元件和第2磁检测元件，第1磁性体，配置于所述第1空间，从与所述平面交叉的第1方向观察位于所述第1磁检测元件和所述第2磁检测元件之间；以及第2磁性体，配置于所述第2空间，至少具有第1部分和第2部分，从所述第1方向观察，所述第1磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第1部分之间，从所述第1方向观察，所述第2磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第2部分之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.03 JP 2016-0405761.一种磁传感器，其特征在于，具备：多个磁检测元件，包括位于分离第1空间和第2空间的平面的至少第1磁检测元件和第2磁检测元件，第1磁性体，配置于所述第1空间，从与所述平面交叉的第1方向观察位于所述第1磁检测元件和所述第2磁检测元件之间；以及第2磁性体，配置于所述第2空间，至少具有第1部分和第2部分，从所述第1方向观察，所述第1磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第1部分之间，从所述第1方向观察，所述第2磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第2部分之间。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述第2磁性体还包括连接所述第1部分和所述第2部分的第3部分，并且所述第1部分和所述第2部分具有比所述第3部分更加向所述平面侧突出的形状。3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述第1部分和所述第2部分的端面位于所述平面附近。4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述多个磁检测元件与所述平面平行，且将作...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边圭，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP