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电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件制造技术

技术编号:19557855 阅读:18 留言:0更新日期:2018-11-24 23:18
本发明专利技术提供一种耐受电压高且可靠性良好的电介质组合物以及使用其的电子部件。该电介质组合物的特征在于,具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以(Sr1.00‑s‑tBasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑aZra)x+2.00(Nb1.00‑bTab)8.00‑xO30.00表示,上述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素,s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00,0≤t≤0.30,0.70≤s+t≤1.00,0≤x≤0.50,0.10≤a≤1.00,0≤b≤1.00,相对于上述主成分100摩尔,作为副成分含有0.1摩尔以上且20.00摩尔以下的选自Mn、Mg、Co、V、W、Mo、Si、Li、B、Al的至少一种。

Dielectric compositions, dielectric elements, electronic components and laminated electronic components

The invention provides a dielectric composition with high voltage tolerance and good reliability and an electronic component using the dielectric composition. The dielectric composition is characterized by being the principal component of tungsten bronze type composite oxides. The principal component is (Sr1.00 s tBasCat) 6.00 xRx (Ti1.00 aZra) x + 2.00 (Nb1.00 bTab) 8.00 x 230.00. The R is selected from Y, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tb, YLub, at least one element. S, t, x, A and B satisfy 0.70 < s < 1.00, 0 < T < 0.30, 0.70 < s + T < 1.00, 0 < x < 0.50, 0.10 < a < 1.00, 0 < B < 1.00. Compared with the above-mentioned principal component, they contain more than 0.1 moles and less than 20.00 moles, which are selected from a t least one of Mn, Mg, Co, V, W, Mo, Si, Li, B, Al.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件
本专利技术涉及特别适于在例如车载用那样的高温环境下使用的电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件。
技术介绍
例如,层叠陶瓷电容器因其可靠性高及成本廉价而被用于大量的电子设备。具体而言,为信息终端、家电、汽车电气设备等。特别是与用于信息终端或家电的层叠陶瓷电容器相比,车载用中使用的层叠陶瓷电容器在较高的温度区域中使用的情况较多,而要求直到更高温区域的保证。因此,作为层叠陶瓷电容器中使用的电介质材料,要求即使在高温区域下也具有较高的相对介电常数、较高的电阻率及较高的耐受电压。专利文献1中公开有一种在室温下呈现较高的相对介电常数,且在180℃的高温区域下也具有较高的电阻率的电介质陶瓷组合物。具体而言,公开了涉及使用了一种电介质陶瓷组合物的层叠陶瓷电容器的技术,该电介质陶瓷组合物含有以组成式(K1-yNay)Sr2Nb5O15(其中,0≤y<0.2)表示的钨青铜型复合氧化物作为主成分,且相对于上述主成分100摩尔份含有0.1摩尔份以上且40摩尔份以下的第一副成分和第二副成分。但是,如观察上述组成式可知,专利文献1中,作为主成分的构成元素含有碱金属元素的钾(K)及钠(Na)。碱金属的挥发性较高,因此,存在需要采用在工序内填补碱金属元素的工序等、制造时的处理容易变得复杂的问题。另外,存在如下问题点,即,由于含有挥发性较高的碱金属,在高温下进行热处理的脱粘结剂工序或烧结工序、再氧化工序中,在电介质组合物中容易生成碱金属引起的晶格缺陷,难以得到较高的耐受电压。因此,上述专利文献1中,没有公开关于高温区域下、较高的相对介电常数和较高的耐受电压的技术。另外,专利文献2中公开有一种关于陶瓷电容器的技术,该陶瓷电容器具备向在20℃下具有较高的品质因数Q和良好的温度系数,且150℃的耐受电压高的由组成式(Ca1-x(Ba,Sr)x)k(Zr1-yTiy)O3构成的钙钛矿型氧化物中添加了多个添加物的电介质陶瓷层。上述专利文献2中存在如下问题点,即,在150℃的高温区域呈现较高的耐受电压,但即使20℃下的相对介电常数最大,也仅得到125左右,在期待以后使用的175℃以上的高温区域下,难以得到期望的静电容量。另外,非专利文献1中公开有一种关于相对介电常数较高且介电损耗较小的钨青铜型电介质Ba2MTi2Nb3O15(M=Bi3+、La3+、Nd3+、Sm3+、Gd3+)的技术。得到室温下的相对介电常数高至100~700程度,且室温下的tanδ为5%以下的良好的值。另外,非专利文献2中公开有一种相对介电常数较高且介电损耗较小的钨青铜型电介质Ba2Sm2Ti4Ta6O30。得到室温下的相对介电常数高至120左右,且室温下的tanδ为3%以下的良好的值。但是,上述非专利文献1存在200℃下的相对介电常数相对于室温的相对介电常数的变化率较大的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:WO2006/114914号专利文献2:日本特开平11-224827号公报非专利文献非专利文献1:JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS101,104114(2007)“DielectricandstructuralstudiesofBa2MTi2Nb3O15(BMTNO15,M=Bi3+,La3+,Nd3+,Sm3+,Gd3+)tetragonaltungstenbronze-structuredceramics”非专利文献2:JournaloftheAmericanCeramicSociety,93[3]782-786(2010)“CrystalstructureandferroelectricbehaviorsofBa5SmTi3Ta7O30andBa4Sm2Ti4Ta6O30tungstenbronzeceramics”
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术是鉴于上述技术问题而完成的,提供一种适于车载用那样的能在175℃以上的高温环境下使用,不仅具有较高的直流耐受电压和较高的电阻率,还具有较高的相对介电常数的电介质组合物、使用其的电介质元件、电子部件以及层叠电子部件。用于解决技术问题的手段为了达成上述目的,本专利技术的电介质组合物特征在于:具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以(Sr1.00-s-tBasCat)6.00-xRx(Ti1.00-aZra)x+2.00(Nb1.00-bTab)8.00-xO30.00表示,所述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素,s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00,0≤t≤0.30,0.70≤s+t≤1.00,0≤x≤0.50,0.10≤a≤1.00,0≤b≤1.00。通过设为所述电介质组合物,可得到适于在高温环境下使用,不仅具有较高的直流耐受电压及较高的电阻率,而且还具有较高的相对介电常数的电介质组合物。另外,作为本专利技术的优选的方式,优选相对于上述主成分100摩尔,作为副成分含有0.10摩尔以上且20.00摩尔以下的选自Mn、Mg、Co、V、W、Mo、Si、Li、B、Al中的至少一种。由此,容易得到更高的电阻率、更高的直流耐受电压、及更高的相对介电常数。本专利技术所涉及的电介质元件,优选具备上述电介质组合物。本专利技术的电介质元件通过具备上述电介质组合物,从而可在车载用等的高温环境下使用。另外,本专利技术所涉及的电子部件,优选具备由上述电介质组合物构成的电介质层。本专利技术所涉及的层叠电子部件,其具有将由上述电介质组合物构成的电介质层和内部电极层交替层叠而成的层叠部分。本专利技术的电子部件及层叠电子部件通过具备由上述电介质组合物构成的电介质层,从而可在车载用等的高温环境下使用。具有由本专利技术的电介质组合物构成的电介质层的电子部件的用途没有特别限定,但在层叠陶瓷电容器、压电元件、芯片压敏电阻器、芯片热敏电阻器等中是有用的。专利技术效果本专利技术能够提供适于车载用那样的在175℃以上的高温环境下使用,且直流耐受电压、相对介电常数及电阻率较高的电介质组合物、使用其的电介质元件、电子部件以及层叠电子部件。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式的层叠陶瓷电容器的剖面图的图。符号说明1层叠陶瓷电容器2电介质层3内部电极层4外部电极10电容器元件主体具体实施方式以下,说明本专利技术的实施方式。本实施方式的电介质组合物的特征在于,具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以化学式(Sr1.00-s-tBasCat)6.00-xRx(Ti1.00-aZra)x+2.00(Nb1.00-bTab)8.00-xO30.00表示,上述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素,s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00,0≤t≤0.30,0.70≤s+t≤1.00,0≤x≤0.50,0.10≤a≤1.00,0≤b≤1.00。本实施方式的电介质组合物通过将以上述化学式表示的钨青铜型复合氧化物作为主成分,容易得到较高的耐受电压。对于其原因,专利技术人等考虑如下。本实施方式的主成分即上述钨青铜型复合氧化物具有带隙较宽的特征,因此,处于价带的电子难以向传导带激发,可抑制与传导相关本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种电介质组合物,其中,具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以(Sr1.00‑s‑tBasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑aZra)x+2.00(Nb1.00‑bTab)8.00‑xO30.00表示,所述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素,s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00,0≤t≤0.30,0.70≤s+t≤1.00,0≤x≤0.50,0.10≤a≤1.00,0≤b≤1.00。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.24 JP 2016-0604211.一种电介质组合物,其中,具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分,主成分以(Sr1.00-s-tBasCat)6.00-xRx(Ti1.00-aZra)x+2.00(Nb1.00-bTab)8.00-xO30.00表示,所述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素,s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00,0≤t≤0.30,0.70≤s+t≤1.00,0≤x≤0.50,0.10≤a≤1.00,0≤b≤1.00。2...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿满三四郎秋场博树竹内启子
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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