本发明提供一种液晶显示面板，其包括：多组扫描线和多组数据线，每一组扫描线均包含有n条扫描线，每一组数据线均包含有n条数据线，多组扫描线和多组数据线相互交叉划分出多个像素区域，每个像素区域内均设置有一个像素电路；n≥2；每一个像素电路均分...

本发明提供一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置于阵列基板和彩膜基板之间并将二者粘合在一起的框胶，且框胶位于其上预设的玻璃切割线所围成的区域内，其还包括均设置于阵列基板和彩膜基板之间的内挡墙和外挡墙；内挡墙靠近框胶设置，外挡墙...

本发明提供一种液晶显示面板。该液晶显示面板在下基板靠近上基板一侧设置多个第一隔垫物，并在上基板靠近下基板的一侧设置与多个第一隔垫物一一对应的多个第二隔垫物，第一隔垫物包括依次设置的第一隔垫部及第二隔垫部，所述第一隔垫部的厚度大于第二隔垫...

本发明提供一种显示面板以及显示装置，其COA上基板包括：透明基板，黑色矩阵层，设置在透明基板上，透明中间层，设置在透明基板的裸露区域上，透明电极层，设置在黑色矩阵层以及透明中间层上，透明中间层的光折射率介于所述透明基板的光折射率和所述透...

本发明公开一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括一显示区，所述显示区包括多个像素单元，每个像素单元包括一主像素区和一次像素区；且像素单元距离所述显示区中心越近，像素单元的主像素区面积越大，次像素区面积越小。所述显示面板包括所述...

本发明公开了画面显示方法、计算机存储介质及显示装置，所述画面显示方法包括步骤：接收预定显示的画面，获取画面中各个子像素的亮度值；判断所述画面是否为重载画面：计算画面中的子像素在采样区域内的亮度值差异量，若所述画面中包含亮度值差异量大于预...

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种提高显示清晰度的面板，提供数据信号的数据线、与数据线交叉设置的栅极线，以及氧化铟锡电极和脱壳金属，数据线、所述脱壳金属与氧化铟锡电极之间的距离大于现有面板设计中的距离；或者，在薄膜晶体管中的G‑S...

本发明公开了一种液晶面板，包括若干条用于在驱动器和阵列基板的像素电极之间传输信号的信号传输线路，所述信号传输线路位于阵列基板的非显示区，包括第一信号线路和第一阻值调整线路，每条所述第一信号线路均串联至少一条第一阻值调整线路，且每条所述信...

本发明提供一种液晶显示面板及其制作方法。所述液晶显示面板包括：第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板以及设于所述第一基板与所述第二基板之间液晶层和挡墙；所述挡墙将所述液晶层分隔成交替排列的多个第一液晶区和多个第二液晶区，所述第一液晶...

本发明提供一种液晶显示面板及其制造方法。该液晶显示面板包括第一基板以及设于第一基板上的挡墙、配向膜及框胶，挡墙为环状，配向膜位于挡墙内侧，框胶位于挡墙外侧，挡墙包括由下至上依次设置的至少两层子挡墙，每一子挡墙均为环状，相邻两层子挡墙中，...

本发明提供一种配向膜材料及液晶显示面板的制作方法。所述配向膜材料包括：光敏性反应单体、光敏性聚酰亚胺及溶剂，所述光敏性反应单体的反应波长为第一波长，所述光敏性聚酰亚胺的反应波长为第二波长，所述第一波长大于所述第二波长，可通过两次不同波长...

本申请公开了一种显示面板及显示设备，该显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及设置于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；其中，阵列基板包括第一基板以及设置在第一基板上的多条栅极线和多条第一公共电极线，至少两条第一公共电极线连接，形成第一转角区域；...

本发明公开了一种量子点彩色滤光片基板及显示面板，该基板包括：玻璃基板；量子点转换层，设置在所述玻璃基板上，其包括顺序排列的彩色量子点；宾主液晶层，设置在所述玻璃基板与所述量子点转换层之间，所述宾主液晶层填充有宾主液晶混合物，所述宾主液晶...

本申请公开了一种投影显示装置，该投影显示装置包括：投影光机，用于发射自然光；起偏器，设置于投影光机的出射光路上，用于将自然光转化为偏振方向垂直的第一偏振光和第二偏振光；第一投影系统，接收第一偏振光并对第一偏振光进行调制以输出第一投影图像...

本发明提供一种高效铜钼蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为7～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为2～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～3％的稳定剂、占蚀刻液总质量百分比为3～10％的有机酸、占蚀刻液总...

一种用于铜钼膜层的刻蚀方法和刻蚀装置，所述刻蚀方法包括：步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；步骤S20，在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；步骤S30，将形成有所述光刻胶的基板置于刻蚀装置中；步骤S40，对所述刻蚀装置内部进行紫外线照射...

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括一有源层及设置在所述有源层上方的一栅极，所述有源层包括一主沟道区及一副沟道区，所述副沟道区围绕所述主沟道区设置，所述栅极与所述主沟道区对应设置，所述副沟道区的载流子的浓度大于所述主...

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：一基板；一有源层设置在所述基板上，所述有源层包括沟道区、设置在所述沟道区两侧的一导体化区；一第一栅极设置在所述有源层上方，且所述第一栅极在所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的...

本发明提供一种薄膜晶体管，包括栅极层、设置在栅极层上的光折射层、设置在光折射层上的绝缘层、设置在绝缘层上的有源层和设置在有源层上的有漏层。本发明通过光折射层的设置，并在栅极层和源漏层形成的寄生电容的作用下，改变光折射层的折射率，使背光源...

本发明提供了一种TFT阵列基板，包括：基板和依次设置于基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源极、漏极、钝化层；当栅极层的材质为铜，层间绝缘层的材质为氧化物时，栅极层的表面还设有第一保护层；和/或，当源极、漏极...