The invention provides a thin film transistor and a preparation method thereof. The thin film transistor comprises an active layer and a gate arranged above the active layer. The active layer comprises a main channel area and a pair of channel areas. The sub-channel area is arranged around the main channel area. The gate and the main channel area are correspondingly arranged, and the carrier concentration in the sub-channel area is greater than that of the main channel area. The carrier concentration in the main channel region is described. The advantages of the present invention are to improve the mobility and stability of the active layer, thereby improving the stability of the thin film transistor.
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动频率也不断提高，传统非晶硅薄膜晶体管的电子迁移率(迁移率为单位电场下电子的平均漂移速度)很难满足需求，而且均一性差。铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，IGZO)是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，其具有高迁移率，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍。以铟镓锌氧化物等半导体氧化物材料作为有源层的金属氧化物薄膜晶体管大大提高了薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，具有高开态电流、低关态电流，可以迅速开关，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，且金属氧化物薄膜晶体管具有低的工艺温度、大的电子迁移率、优良的均匀性和表面平坦性等。其缺点在于，由于半导体氧化物对环境比较敏感，因此在稳定性方面性能较差图1是现有的具有底栅结构的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图。请参阅图1，在制作金属氧化物薄膜晶体管时，半导体氧化物有源层10通常采用湿法刻蚀形成，而源漏极11也是采用湿法刻蚀形成，因此，在制作源漏极11时，湿法刻蚀会对半导体氧化物有...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括一有源层及设置在所述有源层上方的一栅极，所述有源层包括一主沟道区及一副沟道区，所述副沟道区围绕所述主沟道区设置，所述栅极与所述主沟道区对应设置，所述副沟道区的载流子的浓度大于所述主沟道区的载流子浓度。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括一有源层及设置在所述有源层上方的一栅极，所述有源层包括一主沟道区及一副沟道区，所述副沟道区围绕所述主沟道区设置，所述栅极与所述主沟道区对应设置，所述副沟道区的载流子的浓度大于所述主沟道区的载流子浓度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为半导体氧化物有源层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括一钝化层，所述钝化层自下而上包括一氧化硅层及一氮化硅层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括一基板、一栅极绝缘层、一钝化层及一源漏极，所述有源层设置在所述基板上，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，所述栅极设置在所述栅极绝缘层上，所述钝化层覆盖所述基板、所述有源层、所述栅极绝缘层及所述栅极，所述源漏极穿过所述钝化层与所述有源层的源区及漏区连接。5.一种权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在一基板上形成所述有源层，所述有源层包括一主沟道区及一副沟道区，所述副沟道区围绕所述主沟道区设置；在所述有源层上方形成一栅极，所述栅极对应所述主沟道区设置；对所述有源层进行掺杂，所述副沟道区的载流子的浓度大于所述主沟道区的载流子浓度。6.根据权利要求5所述的薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟玉浩，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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