一种TFT阵列基板及制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种TFT阵列基板，包括：基板和依次设置于基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源极、漏极、钝化层；当栅极层的材质为铜，层间绝缘层的材质为氧化物时，栅极层的表面还设有第一保护层；和/或，当源极、漏极的材质为铜，钝化层的材质为氧化物时，源极、漏极的表面还设有第二保护层，第一保护层和第二保护层是通过溅射法制备而成的。本发明专利技术通过溅射法制备的第一保护层和第二保护层不需要经历高温，在室温下即可完成，解决了以化学气相沉积法制得的石墨烯为常规保护层时，TFT阵列基板在高温下易损坏、性能不稳定的问题，而且还使得栅极层、源极、漏极在制备ILD和PV时免受氧化的危害。

A TFT array substrate, its preparation method and display device

The invention provides a TFT array substrate, which comprises: a substrate and a light shielding layer, buffer layer, active layer, gate insulating layer, gate layer, interlayer insulating layer, source, drain and passivation layer arranged on the substrate in turn; when the material of the gate layer is copper and the material of the interlayer insulating layer is oxide, the surface of the gate layer is also provided with a first protective layer; and/or, when the source and drain are respectively provided with a copper oxide; When the material of passivation layer is oxide, there is a second protective layer on the surface of source and drain. The first protective layer and the second protective layer are prepared by sputtering. The first and second protective layers prepared by sputtering method can be completed at room temperature without high temperature. The problem of easily damaged and unstable performance of TFT array substrate at high temperature is solved when graphene prepared by chemical vapor deposition method is used as conventional protective layer. Moreover, the gate layer, source and drain are protected from oxidation hazard in preparing ILD and PV.

【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板及制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种TFT阵列基板及制备方法、显示装置。
技术介绍
当TFT阵列基板中栅极层(GATE)的材质为铜，层间绝缘层(ILD)的材质为氧化物时；和/或，当源极(S)、漏极(D)的材质为铜，钝化层(PV)的材质为氧化物时。此时通过化学气相沉积法在ILD和PV的成膜过程中由于氧元素的存在很容易将铜氧化，从而影响TFT阵列基板的性能。目前，有人在GATE、S和D的表面生长石墨烯，以此来充当GATE、S和D的保护层，避免了GATE、S和D与水汽和氧气的接触。但生长石墨烯的工序复杂，而且TFT阵列基板要至于高温中。高温势必对TFT阵列基板的性能产生了很严重的影响。因此，上述方案仍然不能满足工艺上的要求。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供了一种TFT阵列基板及制备方法、显示装置，利用TFT阵列基板常用的有源层材质来充当GATE、S和D的保护层。这不仅可以避免高温对TFT阵列基板带来的不利影响，还可以更好地保护GATE、S和D不被水汽和氧气氧化。本专利技术第一方面提供了一种TFT阵列基板，包括：基板和依次设置于所述基板上的遮光层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板和依次设置于所述基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层，所述层间绝缘层上开设有两个第一通孔，使所述有源层的相对两侧部分暴露；以及包括设置于所述层间绝缘层之上的源极、漏极和设置于所述源极、所述漏极上的钝化层，所述源极、所述漏极分别通过两个所述第一通孔与所述有源层的相对两侧连接；当所述栅极层的材质为铜，所述层间绝缘层的材质为氧化物时，所述栅极层的表面还设有第一保护层，所述第一保护层夹设于所述栅极层和所述层间绝缘层之间；和/或，当所述源极、所述漏极的材质为铜，所述钝化层的材质为氧化物时，所述源极、所述漏极的表面还设有第二保护层，所...

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板和依次设置于所述基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层，所述层间绝缘层上开设有两个第一通孔，使所述有源层的相对两侧部分暴露；以及包括设置于所述层间绝缘层之上的源极、漏极和设置于所述源极、所述漏极上的钝化层，所述源极、所述漏极分别通过两个所述第一通孔与所述有源层的相对两侧连接；当所述栅极层的材质为铜，所述层间绝缘层的材质为氧化物时，所述栅极层的表面还设有第一保护层，所述第一保护层夹设于所述栅极层和所述层间绝缘层之间；和/或，当所述源极、所述漏极的材质为铜，所述钝化层的材质为氧化物时，所述源极、所述漏极的表面还设有第二保护层，所述第二保护层夹设于所述源极、所述漏极和所述钝化层之间，所述第一保护层和所述第二保护层是通过溅射法制备而成的。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的材质包括氧化铟锡、氧化铟锌、铟镓锌氧化物或铟镓锌氧化物。3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的厚度为4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述栅极层之间还设有第一过渡层，所述第一过渡层的材质包括钼、钛或钼钛合金。5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极朝向所述基体的一侧的表面还设有第二过渡层，所述第二过渡层的材质包括钼、钛或钼钛合金。6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层和所述钝化层的材质为硅氧化合物。7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述缓冲层为单层结构的氮化硅层、氧化硅层或双层结构的氮化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵舒宁，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44