本发明属于晶圆治具技术领域，提出一种晶圆中心定位装置、晶圆检测设备及中心定位方法，晶圆中心定位装置承载部、限位部及导向部，承载部承载大尺寸的晶圆；限位部设置于承载部的表面一侧，并且朝向晶圆的一侧具有弧度，弧度与晶圆的周向侧壁适配；导向部...

本发明公开了一种封装芯片的三维截面样品及其制备方法。该三维截面样品制备方法包括：对待测封装芯片进行扫描分析，确定所述待测封装芯片是否存在异常区域；若是，根据所述异常区域的设置位置确定研磨位置以对所述待测封装芯片进行研磨和抛光，以得到第一...

本申请公开了一种热电子器件，包括第一基片和第二基片；第一基片的中心区域设置有凹窝结构；凹窝结构为绝缘体，其在第二基片的正投影为圆型，其向下形成凹窝状；凹窝结构与第二基片无接触，第一基片

本实用新型公开了一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架。该用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架包括样品架本体，所述样品架本体包括两个支臂，两个所述支臂相对设置，两个所述支臂之间设有用于放置样品的盛放柱；至少一个所述支臂上设有供镊子...

本发明公开了一种光纤异物检测装置及其制备方法。包括位于样品台一侧的光纤束，光纤束包括待测光纤与至少两个辅助光纤，辅助光纤与待测光纤接触；位于样品台一侧的固定夹具，固定夹具与光纤束至少部分接触，固定夹具用于固定光纤束，沿第一方向，光纤束的...

本发明提供了一种用于有机体器件内部异物分析的制样及检测方法，所述制样方法包括以下步骤：(1)对有机体器件内部的异物进行定位，然后在有机体器件中建立通道直至露出异物；(2)采用聚焦离子束对步骤(1)所述的异物依次进行第一切割和第二切割，得...

本发明公开了一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架。该用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架包括样品架本体，所述样品架本体包括两个支臂，两个所述支臂相对设置，两个所述支臂之间设有用于放置样品的盛放柱；至少一个所述支臂上设有供镊子夹持...

本实用新型公开了一种夹具及X射线成像系统。其中，夹具包括底座和夹具组件，夹具组件包括与底座固定连接的中空支撑柱、载物升降支架和样品固定螺栓，中空支撑柱包括竖直导向槽，载物升降支架和竖直导向槽活动连接，载物升降支架上设置有沿水平方向开口的...

本发明公开了一种填胶装置，包括密封主体、密封盖、导管、真空泵、样品台组件和胶体容器，密封盖与密封主体密封连接，导管连通密封主体内的中空腔体和真空泵，胶体容器位于中空腔体内，用于容纳胶体，样品台组件包括样品载台和摇杆，样品载台位于中空腔体...

本发明提供了一种超薄悬空膜透射电镜样品的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)使用铪源和氧源在悬空膜的表面交替进行多层原子层沉积，得到氧化铪层；(2)采用聚焦离子束在步骤(1)所述氧化铪层的表面依次沉积碳和金属薄膜，制得悬空膜透射电...

本实用新型公开了一种填胶装置，包括密封主体、密封盖、第一导管、第二导管、第一真空泵、第二真空泵、样品台组件和样品容器，密封盖与密封主体密封连接，以对密封主体的中空腔体进行密封，第一导管连通中空腔体与第一真空泵，第一导管上设置有胶体容器和...

本发明公开了一种高阶芯片的失效分析方法，该方法包括：提供待分析样品；待分析样品为已去除封装层的高阶芯片；待分析样品包括待分析的感兴趣区域；采用物理研磨法和/或双束电浆离子束依序剥离至少部分功能层，并对暴露于最外侧的功能层的感兴趣区域进行...

本发明提供一种芯片检测及失效分析过程中的剥层方法，所述剥层方法包括以下步骤：(1)获取芯片，确定分界层和目标分析层；(2)采用第一剥层方法对所述分界层以上的膜层进行逐层剥离；(3)采用第二剥层方法对所述分界层及分界层以下的膜层进行逐层剥...

本发明公开了一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法，样品包括待检测的平面，待检测的平面上包括待测区域和标记部；标记部为中心镂空结构的标记部，中心镂空结构的外边界位于待测区域外围，待测区域外边界至中心镂空结构的外边界之间的距离范围为10

本发明提供一种3DNADA闪存垂直通道的超薄电镜样品及其制样方法，所述制样方法包括：所述3DNADA闪存垂直通道向第一方向倾斜至与水平面呈A角度后，再经聚焦离子束进行切割，得到第一样品；所述第一样品向第二方向倾斜至与水平面呈B角度后，再...

本发明实施例公开了一种平面透射电镜样品的制备方法及平面透射电镜样品，该平面透射电镜样品的制备方法，包括：提供绝缘体上硅器件样品；从基底硅远离埋氧层的一侧表面开始，对绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察第一抛光面...

本发明提供一种采用红外光谱分析表面分散污染物的方法，所述方法包括以下步骤：(1)利用滚动溶剂球在目标区域内提取污染物，得到提取液；(2)将提取液注入金属窝中，溶剂挥发后污染物沉积于金属窝的底部；(3)采用红外光谱分析金属窝底部的污染物，...

本发明提供一种芯片去层方法，所述芯片去层方法包括：(1)在目标芯片之外的区域设置补偿件，使目标区域位于研磨中心位，得到待磨芯片；(2)步骤(1)所述待磨芯片经第一研磨，去除第一阶层，得到第一芯片；(3)步骤(2)所述第一芯片的目标区域的...

本发明实施例公开了一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的...

本发明实施例公开了一种缺陷分析方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取包含目标对象的待分析缺陷图片，并确定所述目标对象在所述待分析缺陷图片中所在的目标区域，其中，所述目标对象存在缺陷；获取预先定义的目标缺陷颜色，并基于所述目标缺...