一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架。该用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架包括样品架本体，所述样品架本体包括两个支臂，两个所述支臂相对设置，两个所述支臂之间设有用于放置样品的盛放柱；至少一个所述支臂上设有供镊子夹持的夹持槽，所述夹持槽侧面开口且贯穿所述支臂的外侧边缘。通过采用上述方案，解决了现有的样品架在用镊子夹样品架时容易被夹弯曲、被夹伤以及被夹飞的问题。被夹飞的问题。被夹飞的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架


[0001]本技术涉及半导体芯片的
，尤其涉及一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架。

技术介绍

[0002]在半导体芯片样品透射电镜分析中，工程师首先要用聚焦离子束(FIB)进行精密制样，制备的透射电镜分析薄片样品非常小，大约只有头发丝的1/4大小，而且样品的厚度只有60nm左右。所以在制样过程中，需要使用一种特殊的样品架放置样品，将制作的微小的薄片样品从聚焦离子束(FIB)仪器中转移到透射电镜(TEM)仪器中进行分析。在透射电镜分析样品时，工程师要用头部非常尖的镊子将样品架从样品台上夹出来，然后转移样品到透射电镜分析用的特制的非常小的铜篮里。
[0003]但使用目前的样品架，由于样品架体积很小，在用镊子夹样品架时会把样品架夹弯曲和造成损伤，有时甚至会把整个样品架夹飞，同时微小的透射电镜分析薄片样品容易在转移时夹飞。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架，以解决现有的样品架在用镊子夹样品架时容易被夹弯曲、被夹伤以及被夹飞的问题。
[0005]根据本技术的一方面，提供了一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架，该用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架包括样品架本体，所述样品架本体包括两个支臂，两个所述支臂相对设置，两个所述支臂之间设有用于放置样品的盛放柱；
[0006]至少一个所述支臂上设有供镊子夹持的夹持槽，所述夹持槽侧面开口且贯穿所述支臂的外侧边缘。
[0007]在本技术的可选实施例中，所述夹持槽包括第一槽侧壁和第二槽侧壁，所述第一槽侧壁的一端与所述第二槽侧壁的一端连接，所述第一槽侧壁的另一端延伸至所述开口的一端，所述第二槽侧壁的另一端延伸至所述开口的另一端。
[0008]在本技术的可选实施例中，所述第一槽侧壁与所述第二槽侧壁的连接处至所述支臂的外侧边缘的距离为第一距离，所述第一距离大于200μm且小于300μm；
[0009]所述开口的两端的垂直距离为第二距离，所述第二距离大于100μm且小于200μm。
[0010]在本技术的可选实施例中，所述第一距离为大于240μm且小于260μm；
[0011]和/或，所述第二距离大于150μm且小于160μm。
[0012]在本技术的可选实施例中，所述第一距离为250.77μm；
[0013]和/或，所述第二距离为155.28μm。
[0014]在本技术的可选实施例中，所述夹持槽为扇形凹槽。
[0015]在本技术的可选实施例中，两个所述支臂之间形成置物槽，所述盛放柱的数量为多个，多个盛放柱间隔设置在两个所述支臂之间的所述置物槽内。
[0016]在本技术的可选实施例中，所述盛放柱用于供所述样品焊接固定；
[0017]所述支臂的上端至所述置物槽的槽底的距离大于所述盛放柱的上端至所述置物槽的槽底的距离；
[0018]和/或，所述支臂具有斜面，所述斜面靠近所述支臂的外侧边缘的一端高于所述斜面靠近所述置物槽的一端。
[0019]在本技术的可选实施例中，所述盛放柱的宽度大于70μm且小于100μm；
[0020]和/或，相邻两个所述盛放柱的距离大于200μm且小于250μm。
[0021]在本技术的可选实施例中，所述盛放柱的宽度大于80μm且小于90μm；
[0022]和/或，相邻两个所述盛放柱的距离大于220μm且小于230μm。
[0023]本技术实施例的技术方案，通过使样品架本体包括两个支臂，两个所述支臂相对设置，两个所述支臂之间设有用于放置样品的盛放柱。至少一个所述支臂上设有供镊子夹持的夹持槽，所述夹持槽侧面开口且贯穿所述支臂的外侧边缘，从而镊子在夹持样品架时镊子尖端可位于夹持槽内，此时镊子尖端能够被夹持槽卡住，能够使得受力更为均匀，样品架不容易被夹飞，同时也可以减少对镊子的用力，避免把样品架夹弯曲和造成损伤，从而大大提高样品转移和分析的成功率，同时也大大提高样品架的使用次数，提高使用率，大大降低使用成本，此外也可以保证样品的安全，解决了现有的样品架在用镊子夹样品架时容易被夹弯曲、被夹伤以及被夹飞的问题。
[0024]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本技术的范围。本技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本技术实施例提供的一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架和镊子的结构示意图；
[0027]图2为本技术实施例提供的一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架的结构示意图；
[0028]图3为本技术实施例提供的另一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架的结构示意图。
[0029]其中：1、样品架本体；11、支臂；111、斜面；12、盛放柱；13、置物槽；2、夹持槽；21、第一槽侧壁；22、第二槽侧壁；23、开口；4、镊子。
具体实施方式
[0030]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实
施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0031]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0032]图1为本技术实施例提供的一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架和镊子4的结构示意图，图2为本技术实施例提供的一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架的结构示意图，如图1和图2所示，该用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架包括样品架本体1，样品架本体1包括两个支臂11，两个支臂11相对设置，两个支臂11之间设有用于放置样品的盛放柱12。
[0033]至少一个支臂11上设有供镊子4夹持的夹持槽2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架，其特征在于，包括样品架本体(1)，所述样品架本体(1)包括两个支臂(11)，两个所述支臂(11)相对设置，两个所述支臂(11)之间设有用于放置样品的盛放柱(12)；至少一个所述支臂(11)上设有供镊子(4)夹持的夹持槽(2)，所述夹持槽(2)侧面开口(23)且贯穿所述支臂(11)的外侧边缘。2.根据权利要求1所述的用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架，其特征在于，所述夹持槽(2)包括第一槽侧壁(21)和第二槽侧壁(22)，所述第一槽侧壁(21)的一端与所述第二槽侧壁(22)的一端连接，所述第一槽侧壁(21)的另一端延伸至所述开口(23)的一端，所述第二槽侧壁(22)的另一端延伸至所述开口(23)的另一端。3.根据权利要求2所述的用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架，其特征在于，所述第一槽侧壁(21)与所述第二槽侧壁(22)的连接处至所述支臂(11)的外侧边缘的距离为第一距离，所述第一距离大于200μm且小于300μm；所述开口(23)的两端的垂直距离为第二距离，所述第二距离大于100μm且小于200μm。4.根据权利要求3所述的用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架，其特征在于，所述第一距离为大于240μm且小于260μm；和/或，所述第二距离大于150μm且小于160μm。5.根据权利要求4所述的用于半导体芯片透射电镜样品分析的样品架，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗晓丹，朱超，曹后平，华佑南，李晓旻，
申请(专利权)人：胜科纳米苏州股份有限公司，
类型：新型
国别省市：