一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，以通过所述定位标记点对所述目标缺陷进行定位。本发明专利技术实施例的技术方案，可以实现精准的缺陷定位。定位。定位。

【技术实现步骤摘要】
一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及数据处理
，尤其涉及一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，半导体集成电路芯片积点越来越小，已经达到7纳米
‑
5纳米，甚至3纳米
‑
2纳米，这对半导体集成电路芯片上的缺陷定位的挑战也越来越大。
[0003]现有的缺陷定位方案，难以对半导体集成电路芯片等类似样品进行精准的缺陷定位，有待改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种缺陷定位方法、装置、电子设备及存储介质，能够实现精准的缺陷定位。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种缺陷定位方法，可以包括：
[0006]在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；
[0007]通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。
[0008]根据本专利技术的另一方面，提供了一种缺陷定位装置，可以包括：
[0009]定位标记点位置确定模块，用于在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；
[0010]目标缺陷定位模块，用于通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。
[0011]根据本专利技术的另一方面，提供了一种电子设备，可以包括：
[0012]至少一个处理器；以及
[0013]与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0014]存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，计算机程序被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器执行时实现本专利技术任意实施例所提供的缺陷定位方法。
[0015]根据本专利技术的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，该计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术任意实施例所提供的缺陷定位方法。
[0016]本专利技术实施例的技术方案，在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；通过扫描电子显微镜中的电子束在定位标记点位置处轰击出定位标记点，以通过定位标记点对目标缺陷进行定位。上述技术方
案，采用电子束轰击出的定位标记点对目标缺陷进行定位，能够通过轰击出的更为清晰且精准的定位标记点，实现精准的缺陷定位。
[0017]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或是重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本专利技术实施例一中所提供的一种缺陷定位方法的流程图；
[0020]图2是本专利技术实施例一中所提供的一种目标分析层的示意图；
[0021]图3是本专利技术实施例一中所提供的另一种目标分析层的示意图；
[0022]图4是本专利技术实施例一中所提供的在一种目标分析层上轰击出的定位标记点的示意图；
[0023]图5是本专利技术实施例一中所提供的在另一种目标分析层上轰击出的定位标记点的示意图；
[0024]图6是本专利技术实施例一中所提供的在聚焦离子束仪器下观测到的定位标记点的示意图；
[0025]图7是本专利技术实施例二中所提供的一种缺陷定位方法的流程图；
[0026]图8是本专利技术实施例二中所提供的将扫描电子显微镜调整为目标放大倍率下的定位标记点位置的示意图；
[0027]图9是本专利技术实施例三所提供的缺陷定位装置的结构框图；
[0028]图10是实现本专利技术实施例的缺陷定位方法的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0029]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0030]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。“目标”、“原始”等的情况类似，在此不再赘述。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0031]实施例一
[0032]图1是本专利技术实施例一中所提供的一种缺陷定位方法的流程图。本实施例可适用于缺陷定位的情况。该方法可以由本专利技术实施例提供的缺陷定位装置来执行，该装置可以由软件和/或硬件的方式实现，该装置可以集成在电子设备上，该电子设备可以是各种用户终端或服务器。
[0033]参见图1，本专利技术实施例的方法具体包括如下步骤：
[0034]S110、在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置。
[0035]其中，扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)是一种介于透射电子显微镜和光学显微镜之间的一种观察手段。目标探针可以理解为设置在扫描电子显微镜内的探针，目标探针例如可以是纳米探针。目标分析样品可以是需求进行缺陷定位后进行分析的样品，具体来说，目标分析样品可以是已经失效，需求进行缺陷定位，并基于定位后的缺陷对失效原因进行分析的样品。目标分析样品例如可以是样品芯片。目标缺陷可以理解为需求定位的缺陷。目标缺陷位置可以理解为目标缺陷在目标分析样品上的位置。定位标记点可以理解为能够对目标缺陷进行定位的标记点。定位标记点位置可以理解为定位标记点在目标分析样品上的位置。
[0036]在本专利技术实施例中，在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缺陷定位方法，其特征在于，包括：在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置；通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，以通过所述定位标记点对所述目标缺陷进行定位。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述通过所述扫描电子显微镜中的电子束在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，包括：通过所述扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点；其中，所述目标放大倍率大于或等于预设放大倍率阈值，所述预设放大倍率阈值包括可使聚焦的电子束对所述目标分析样品造成损伤的最小放大倍率。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述通过所述扫描电子显微镜中在目标放大倍率下聚焦的电子束，在所述定位标记点位置处轰击出所述定位标记点，包括：通过所述扫描电子显微镜中在所述目标放大倍率下聚焦的电子束，在所述定位标记点位置处轰击目标轰击时长，以轰击出所述定位标记点；其中，所述目标放大倍率与所述目标轰击时长呈反比。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置，包括：基于所述目标缺陷位置，确定待轰击出的定位标记点的定位标记点数量，以及，所述定位标记点数量的定位标记点中的各个定位标记点分别对应的定位标记点位置。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述在通过扫描电子显微镜内的目标探针对目标分析样品进行分析，得到所述目标分析样品上的目标缺陷所在的目标缺陷位置的情况下，基于所述目标缺陷位置确定待轰击出的定位标记点的定位标记点位置之前，所述方法还包括：通过所述扫描电子显微镜，确定所述目标分析样品上的目标测试点所在的目标测试位置；通过所述目标探针在所述目标测试位置处进行测试，并在根据得到的测试结果确定所述目标分析样本上存在所述目标缺陷的情况下，确定所述目标缺陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：许仕轩，侯增，张沛，罗晓丹，华佑南，李晓旻，
申请(专利权)人：胜科纳米苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：