半导体结构的制造与测量系统技术方案

本公开提供一种多个半导体结构的制造与测量系统。该系统包括一处理腔室以及一测量元件。该处理腔室经配置以执行下列操作：形成一第一鳍片阵列在一晶圆的一晶粒的一区块；以及形成一第二鳍片阵列在该第一鳍片阵列上。该测量元件经配置以在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得该第一鳍片阵列的一第一鳍片以及该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移，且还经配置以依据该位移而确定该晶圆的一状态。态。态。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造与测量系统


[0001]本申请案主张美国第17/508,961号及第17/510,786号专利申请案的优先权(即优先权日为“2021年10月22日”及“2021年10月26日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种多个半导体结构的制造及测量系统。特别是有关于一种在一晶圆上的制造与测量多个半导体结构的系统。

技术介绍

[0003]根据摩尔定律(Moore's law)，在半导体结构中的多个元素的密度急剧增加，且所述元素的尺寸迅速缩小。因此，由所述缩小的元素所引起的对准问题变得越来越重要。在一些传统方法中，对准是离线进行检查的。再者，传统测量的精确度不能适应所述缩小元件的尺寸。因此，当所述元件在预定位置处的位置进行制造时，该晶圆可能无法正常工作，而上述情况可能在制造完成之后才知道。因此，当该晶圆具有造成该晶圆不能作为产品制造的未对准的多个元件时，浪费所述晶圆的制造资源以及时间成本。再者，降低所述晶圆的生产量。
[0004]上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造及测量系统，包括：一处理腔室；以及一测量元件；其中该处理腔室经配置以执行多个操作，包括：形成一第一鳍片阵列在一晶圆的一晶粒的一区块中；以及形成一第二鳍片阵列在该第一鳍片阵列上；其中该测量元件经配置以在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得在该第一鳍片阵列的一第一鳍片与该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移，且还经配置以依据该位移而确定该晶圆的一状态。2.如权利要求1所述的系统，其中该位移是从该晶圆的顶视图所界定。3.如权利要求1所述的系统，其中该第一鳍片阵列与该第二鳍片阵列具有N个鳍片，其中N为一正整数，其中该测量元件还经配置以：测量该第一鳍片阵列的该第一鳍片与该第二鳍片阵列的该第一鳍片的一第一重叠比率；测量该第一鳍片阵列的一第N个鳍片与该第二鳍片阵列的一第N个鳍片的一第二重叠比率；以及测量该第一鳍片阵列的一第A个鳍片与该第二鳍片阵列的一第A个鳍片的一中心重叠比率；其中当N为一奇数时，则A等于(N+1)/2，而当N为...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑正达，黄祖文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：