分析基板上的污染物的方法和处理基板的方法技术

提供了一种分析吸附到基板的表面的污染物的方法，所述方法包括：对基板执行处理的基板处理操作；将表面增强拉曼散射层引入到具有在所述基板处理操作中吸附污染物的表面的基板的操作；以及分析所述污染物的操作。以及分析所述污染物的操作。以及分析所述污染物的操作。

【技术实现步骤摘要】
分析基板上的污染物的方法和处理基板的方法


[0001]本专利技术涉及分析基板上的污染物的方法和处理基板的方法。

技术介绍

[0002]一般而言，为了制造半导体器件，通过诸如摄影、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积的各种过程在基板上形成期望的图案。在每个过程中使用各种处理液，并且在过程期间会产生诸如污染物的颗粒。为了去除颗粒，在每个过程之前和之后执行用于清洗颗粒的清洗过程。
[0003]吸附到基板的颗粒会极大地影响器件的产率，并且直接或间接地影响器件和元件，诸如引起半导体器件的短路和栅极氧化膜的劣化或缺陷。因此，为了去除颗粒或控制颗粒的产生，需要对颗粒的成分和结构进行分析。根据在基板处理过程中使用的处理液的类型，将颗粒分为金属污染物和有机污染物。在所提及的颗粒中，针对金属污染物的各种分析装置和方法已经开发出来，并且分析存在于基板上的痕量金属污染物成为可能。
[0004]分析基板上的有机污染物的一般方法包括红外光谱、飞行时间二次离子质谱(ToF
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SIMS)、化学分析电子能谱(ESCA)和气相色谱<br/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分析吸附到基板的表面的污染物的方法，所述方法包括：对基板执行处理的基板处理操作；将表面增强拉曼散射层引入到具有在所述基板处理操作中吸附污染物的所述表面的基板的操作；以及分析所述污染物的操作。2.一种分析吸附到基板的表面的污染物的方法，所述方法包括：将表面增强拉曼散射层引入到基板的表面的操作；对引入有所述表面增强拉曼散射层的基板执行处理的基板处理操作；以及对在所述基板处理操作中吸附到所述基板的污染物进行分析的操作。3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述分析所述污染物的操作通过拉曼分析来执行。4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述分析所述污染物的操作包括：将第一光发射到所述基板；检测从所述污染物产生并由所述表面增强拉曼散射层放大的第二光；以及通过分析所述第二光来分析所述污染物。5.如权利要求1或2所述的方法，其中在所述分析所述污染物的操作中，对所述污染物的分子结构进行分析。6.如权利要求1或2所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射层通过沉积表面增强拉曼散射材料来形成，并且所述表面增强拉曼散射材料被提供为能够产生表面等离激元激发的具有高导电性的金属材料。7.如权利要求6所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射材料包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)中的至少一种。8.如权利要求6所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射层以纳米结构提供。9.如权利要求8所述的方法，其中所述纳米结构包括纳米颗粒、纳米棒和纳米图案中的任何一种。10.如权利要求1或2所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金多情，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：