一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法技术

本发明专利技术公开了一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法，样品包括待检测的平面，待检测的平面上包括待测区域和标记部；标记部为中心镂空结构的标记部，中心镂空结构的外边界位于待测区域外围，待测区域外边界至中心镂空结构的外边界之间的距离范围为10

【技术实现步骤摘要】
一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法


[0001]本专利技术涉及能谱分析
，尤其涉及一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法。

技术介绍

[0002]X射线光电子能谱分析技术(XPS)作为优异的表面能谱分析技术，有着超高表面灵敏度和能量分辨率。但是其横向分辨率较差，主要是X光本身束斑大而且聚焦困难。现在设备供应商一般是利用X光的二次电子成像技术，或者直接利用已经校准的光学显微镜来定位。无论哪种方法对于能谱微区，尤其是小于50微米的微区，都存在定位不准或者重复性差的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种待XPS能谱分析的样品和分析定位方法，以解决相关技术中在对小于50um的微区进行X光探测或成像时，对样品待测区域不能定位的问题。
[0004]为解决上述问题，本专利技术实施例提出了一种待XPS能谱分析的样品，所述样品包括待检测的平面，所述待检测的平面上包括待测区域和标记部；
[0005]所述标记部为中心镂空结构的标记部，所述中心镂空结构的外边界位于所述待测区域外围，所述待测区域外边界至所述中心镂空结构的外边界之间的距离范围为10
‑
20um；所述待测区域的外边界的尺寸在50um以下；
[0006]所述标记部与所述待测区域的探测信号形成反差；所述标记部能够被所述XPS能谱分析设备所探测，以使所述待测区域被所述XPS能谱分析设备探测。
[0007]可选地，所述标记部的中心与所述待测区域的中心重合。
[0008]可选地，所述标记部为中心对称图形形成的标记部。
[0009]可选地，所述标记部包括标记圆和/或多个标记条，所述标记圆与所述中心镂空结构的外边界重合；
[0010]多个所述标记条自所述中心镂空结构的外边界向外延伸。
[0011]可选地，所述标记条的长度范围为30
‑
60um，宽度范围为5
‑
10um。
[0012]可选地，所述标记条为三个，三个所述标记条两两之间的夹角为120度。
[0013]可选地，所述标记条为四个，四个所述标记条两两之间的夹角为90度，所述标记圆边界覆盖四个所述标记条近邻所述待测区域的一端。
[0014]可选地，所述标记部的材质为惰性金属。
[0015]可选地，所述惰性金属为金或铂。
[0016]可选地，所述标记部通过聚焦离子束标识方式或激光打标记方式形成。
[0017]为实现上述目的，本专利技术还提出了一种XPS能谱分析定位方法，基于如本专利技术任一项实施例所述的待XPS能谱分析的样品实现，包括：
[0018]通过XPS能谱分析设备探测所述标记部，并获取所述标记部的类型；
[0019]根据所述标记部的类型获取所述待测区域的位置；
[0020]在所述通过XPS能谱分析设备探测所述标记部之前还包括：
[0021]通过聚焦离子束显微镜获取所述样品中的待测区域的形状和位置；
[0022]基于所述待测区域的形状和位置获取与所述待测区域匹配的标记部的类型；
[0023]控制聚焦离子束在所述待测区域周围形成相应类型的所述标记部。
[0024]根据本专利技术实施例提出的待XPS能谱分析的样品和分析定位方法，样品包括待检测的平面，待检测的平面上包括待测区域和标记部；标记部为中心镂空结构的标记部，中心镂空结构的外边界位于待测区域外围，待测区域外边界至中心镂空结构的外边界之间的距离范围为10
‑
20um；待测区域的外边界的尺寸在50um以下；标记部与待测区域的探测信号形成反差；标记部能够被XPS能谱分析设备所探测，以使待测区域被XPS能谱分析设备探测。由此，通过提前在待测区域周边设置标记部，使得样品在被X光探测或成像时，能够通过标记部快速定位到待测区域，实现XPS能谱微区分析。
[0025]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本专利技术实施例提出的待XPS能谱分析的样品的示意图；
[0028]图2是本专利技术一个实施例提出的待XPS能谱分析的样品的示意图；
[0029]图3是本专利技术另一个实施例提出的待XPS能谱分析的样品的示意图；
[0030]图4是本专利技术实施例提出的用FIB标识成近120度角的三个标记的白金条(60umx10umx0.2um)的样品；
[0031]图5是本专利技术实施例提出的待XPS能谱分析的样品在XPS成像模式下显示Pt材质的标记部及中心待分析区域示意图；
[0032]图6是没有FIB标记的样品在XPS能谱分析设备中的光学显微镜下的示意图；
[0033]图7是本专利技术提出的XPS能谱分析定位方法的流程图。
具体实施方式
[0034]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0035]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或
描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
[0036]图1是本专利技术实施例提出的待XPS能谱分析的样品的示意图。如图1所示，所述样品100包括待检测的平面，所述待检测的平面上包括待测区域101和标记部102；
[0037]所述标记部102为中心镂空结构103的标记部，所述中心镂空结构103的外边界位于所述待测区域101外围，所述待测区域101外边界至所述中心镂空结构103的外边界之间的距离D范围为10
‑
20um；所述待测区域101的外边界的尺寸在50um以下；
[0038]所述标记部102与所述待测区域101的探测信号形成反差；所述标记部102能够被XPS能谱分析设备所探测，以使所述待测区域101被所述XPS能谱分析设备探测。
[0039]需要说明的是，该样品100可以为芯片、硅片、金属等，由于XPS能谱分析设备本身的限制，在对小于50um的微区进行探测或成像时，比较难以观察到，难以快速的定位到待测区域101。进而，可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种待XPS能谱分析的样品，其特征在于，所述样品包括待检测的平面，所述待检测的平面上包括待测区域和标记部；所述标记部为中心镂空结构的标记部，所述中心镂空结构的外边界位于所述待测区域外围，所述待测区域外边界至所述中心镂空结构的外边界之间的距离范围为10
‑
20um；所述待测区域的外边界的尺寸在50um以下；所述标记部与所述待测区域的探测信号形成反差；所述标记部能够被XPS能谱分析设备所探测，以使所述待测区域被所述XPS能谱分析设备探测。2.根据权利要求1所述的待XPS能谱分析的样品，其特征在于，所述标记部的中心与所述待测区域的中心重合。3.根据权利要求2所述的待XPS能谱分析的样品，其特征在于，所述标记部为中心对称图形形成的标记部。4.根据权利要求2或3所述的待XPS能谱分析的样品，其特征在于，所述标记部包括标记圆和/或多个标记条，所述标记圆与所述中心镂空结构的外边界重合；多个所述标记条自所述中心镂空结构的外边界向外延伸。5.根据权利要求4所述的待XPS能谱分析的样品，其特征在于，所述标记条的长度范围为30
‑
60um，宽度范围为5
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱雷，赵弇斐，胡团桥，刘瑶，黄凡，李晓旻，
申请(专利权)人：胜科纳米苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：