一种芯片去层方法技术

本发明专利技术提供一种芯片去层方法，所述芯片去层方法包括：(1)在目标芯片之外的区域设置补偿件，使目标区域位于研磨中心位，得到待磨芯片；(2)步骤(1)所述待磨芯片经第一研磨，去除第一阶层，得到第一芯片；(3)步骤(2)所述第一芯片的目标区域的四周经开槽至衬底层，并进行第二研磨，去除第二阶层，得到第二芯片；(4)步骤(3)所述第二芯片经刻蚀，去除第三阶层，完成去层。本发明专利技术提供的芯片去层方法针对先进工艺芯片可极大提高去层的成功率。芯片可极大提高去层的成功率。芯片可极大提高去层的成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片去层方法


[0001]本专利技术涉及芯片
，尤其涉及一种芯片去层方法。

技术介绍

[0002]随着先进制程的不断迭代芯片最小制程已经来到N4节点，与之相关的失效分析技术需要进行大幅度改进。芯片失效分析步骤一般经过：a)芯片电性热点定位；b)芯片去层
‑
扫描电子显微镜(Scanning electron microscope，SEM)逐层对热点位置高倍观察；c)纳米探针(Nano
‑
Prober，NP)对热点位置进行电性检查分析；d)对定位准确的失效位置进行结构检查以及表征；e)得出失效原因。
[0003]在以上5个步骤中，b)步骤芯片去层是人工参与最多的一个步骤，相对失效分析设备，人工操作精准度的无法达到微米尺寸，需要对样品进行多次的标记和预制样来提高去层操作的精准性。
[0004]随着半导体工艺的不断迭代，大规模计算单元以及片上系统(Systemonchip，SOC)使用7nm甚至更加先进的5nm工艺，针对7nm以上先进工艺，目前尚未有较为完善的去层工艺。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片去层方法，其特征在于，所述芯片去层方法包括：(1)在目标芯片之外的区域设置补偿件，使目标区域位于研磨中心位，得到待磨芯片；(2)步骤(1)所述待磨芯片经第一研磨，去除第一阶层，得到第一芯片；(3)步骤(2)所述第一芯片的目标区域的四周经开槽至衬底层，并进行第二研磨，去除第二阶层，得到第二芯片；(4)步骤(3)所述第二芯片经刻蚀，去除第三阶层，完成去层。2.根据权利要求1所述的芯片去层方法，其特征在于，步骤(1)中所述补偿件包括补偿芯片。3.根据权利要求1或2所述的芯片去层方法，其特征在于，步骤(2)中所述第一研磨包括人工研磨；优选地，所述第一研磨的研磨液包括氧化硅分散液；优选地，所述第一研磨中去除金属层的溶液包括稀硝酸溶液；优选地，所述稀硝酸溶液的浓度为20～30wt％；优选地，所述第一研磨后表面的平整度为50～100nm。4.根据权利要求1～3任一项所述的芯片去层方法，其特征在于，步骤(2)中所述第一阶层包括第一阶层厚度在1～3μm的金属层；优选地，所述第一阶层中金属线宽为10～30μm。5.根据权利要求1～4任一项所述的芯片去层方法，其特征在于，步骤(3)中所述开槽的设备包括激光开封机；优选地，所述开槽所围成区域的边长为目标区域的边长的1.2～1.4倍；优选地，所述开槽的宽度为10～20μm。6.根据权利要求1～5任一项所述的芯片去层方法，其特征在于，步骤(3)中所述第二研磨包括人工研磨；优选地，所述第二研磨的研磨液包括氧化硅分散液；优选地，所述第二阶层包括厚度在30～70nm的金属层；优选地，所述第二阶层中金属线宽为20～40nm；优选地，所述第二研磨后表面的平整度为30～70nm。7.根据权利要求1～6任一项所述的芯片去层方法，其特征在于，步骤(4)中所述第三阶层包括厚度为10～20nm的金属层；优选地，所述第三阶层中金属线宽为10～20nm；优选地，步骤(4)所述刻蚀包括先进行第一刻蚀，去除第三阶层中的第一子层，进行第一电性测试；再进行第二刻蚀，去除第三阶层中的第二子层，进行第二电性测试；再进行第三刻蚀，去除第三阶层中的第三子层，进行第三电性测试。8.根据权利要求7所述的芯片去层方法，其特征在于，所述第一刻蚀为依次进行的第一等离子体刻蚀、离子束刻蚀和第二等离子体刻蚀；优选地，所述第一等离子体刻蚀的刻蚀气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵一成，邓龙，戴最初，宋健，李晓旻，
申请(专利权)人：胜科纳米苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：