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本发明提供一种芯片去层方法，所述芯片去层方法包括：(1)在目标芯片之外的区域设置补偿件，使目标区域位于研磨中心位，得到待磨芯片；(2)步骤(1)所述待磨芯片经第一研磨，去除第一阶层，得到第一芯片；(3)步骤(2)所述第一芯片的目标区域的四周...
该专利属于胜科纳米（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过胜科纳米（苏州）股份有限公司授权不得商用。

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