本实用新型提供一种晶圆保护治具，所述晶圆保护治具至少包括：底座、连接轴、导轨、第一固定装置、第二固定装置及晶圆仓，底座与导轨通过连接轴进行连接，其中，当底座水平放置时，导轨绕连接轴所能旋转的角度大于0度且小于等于30度；在导轨上设置有进...

本发明提供一种用于PoP封装的扇出型封装单元及其制作方法，该制作方法包括：形成第一重新布线层；于第一重新布线层的第一主面与半导体芯片之间形成混合键合结构，以将半导体芯片分别电性耦合至第一重新布线层的第一主面；于第一重新布线层的第一主面上...

本发明提供一种晶圆级封装器件及其制备方法，所述晶圆级封装器件至少包括模塑层和制作于所述模塑层中的3D IPD结构。本发明通过在模塑层中制备集成的3D IPD结构，可以实现制备更高性能的系统式封装结构，另外，本发明的晶圆级封装器件可以同时...

本实用新型提供一种加液系统，包括液罐、第一管道及第二管道；所述液罐的顶部设置有加液口；所述第一管道插设在所述液罐内，所述第一管道的第一端置于所述液罐的底部，第二端置于所述液罐外；所述液罐外的第一管道上设置有止回阀；所述第二管道的第一端通...

本发明提供一种半导体互连结构的制备方法，在第一半导体基底的表面形成电性连接的第一金属互连层、在第二半导体基底的表面形成电性连接的第二金属互连层，并于第一金属互连层及第二金属互连层中的至少一个的表面边缘形成键合件，基于键合件提供位于第一金...

本发明的芯片封装结构及制备方法，所述芯片封装结构包括：基板；重新布线层；芯片；塑封层；凹槽，位于所述塑封层中，且显露所述芯片；液态导热金属，所述液态导热金属填充于于所述凹槽中；散热盖板，所述散热盖板与所述基板固定连接且与所述凹槽形成密封...

本发明提供一种基于TSV互连的半导体封装结构及制备方法，将TSV柱的一端直接作为连接件，可减少一次金属连接件的制备工艺，从而可节约成本，降低互联阻抗，适用于所有涉及TSV转接板的封装工艺；具有沟槽的第二介电层可作为显露的TSV柱保护侧墙...

本申请提供了一种扇出型芯片封装结构及封装方法，该芯片封装结构包括第一芯片、封装层、第一重布线层、第二芯片和第二重布线层。通过将第一重布线层和第二重布线层相互电连接的方式，将包覆在封装层和第二重布线层内的第一芯片与第一重布线层上的第二芯片...

本实用新型提供一种测漏系统，包括主抽真空管路、预抽真空管路及探测装置；所述主抽真空管路的第一端连接腔室，第二端连接真空泵；所述主抽真空管路上从第一端到第二端依次设置有摆阀及分子泵；所述预抽真空管路的第一端连接所述腔室，第二端连接在所述真...

本发明提供一种超高密度连接系统三维扇出型封装结构及其制作方法，结构包括第一绝缘层、第一金属焊垫、金属柱、第一半导体芯片、第二绝缘层、第二金属焊垫、第一模塑层、第一重新布线层、第二半导体芯片、第二模塑层、第二重新布线层及焊球。该结构使用R...

本发明提供一种半导体结构的制备方法，通过分步形成电镀金属层，可在具有不同面积的第一导电件及第二导电件上形成具有良好平坦度的第一电镀金属层及第二电镀金属层，从而可促进后续工艺的进行，降低工艺控制难度，大大提高最终制备的半导体结构的性能和成...

本发明提供一种水平垂直双辐射方向的天线封装结构及制备方法。方法包括步骤：提供支撑基底，于支撑基底表面形成分离层；于分离层上形成重新布线层；于重新布线层上形成天线阵列层，与金属线层电连接；天线阵列层包括多个分别呈阵列排布的第一天线和第二天...

本发明的芯片封装结构及制备方法，包括基板、芯片、热界面材料层及散热部件，其中，芯片位于基板上与基板电连接；热界面材料层包括围坝结构和容置腔内的液态金属，围坝结构位于芯片上与其密封固定连接，散热部件形成在热界面材料层上，与围坝结构密封固定...

本发明提供一种水平辐射方向的天线封装结构及制备方法。制备方法包括步骤：提供支撑基底，形成分离层；于分离层上形成重新布线层；于重新布线层上形成天线阵列层，与金属线层电连接；天线阵列层包括呈阵列排布的多个天线，天线沿水平方向辐射；形成塑封材...

本发明提供一种扇出型系统级封装结构及制作方法，该方法包括：提供支撑载体、形成第一重新布线层、金属连接柱、第二重新布线层，形成导电凸块与第一重新布线层电连接，提供第一功能芯片和元器件分别与第二重新布线层电连接，提供一封装晶圆，将导电凸块与...

本发明提供一种2.5D封装结构及制备方法，先制备包括电连接的转接板、芯片、封装层的封装体，通过连接桥将独立设置的封装体电连接，以形成互连封装体，而后进行与基板的电连接，从而通过连接桥可实现将多个小尺寸的转接板相互电连接进而形成更大尺寸的...

本发明提供一种聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法，聚酰亚胺过孔的制备方法包括：S1：提供表面附有金属焊盘的基板；S2：于基板上形成聚酰亚胺层；S3：于聚酰亚胺层上形成金属层；S4：于金属层上形成预设层，并于预设层上形成第一预过...

本发明提供一种三维封装结构及其制备方法，所述三维封装结构包括：封装基板、重布线层、若干个TSV桥接基板、若干个芯片及塑封材料层；其中，所述重布线层位于所述封装基板的上表面，其与所述封装基板键合连接；若干个所述TSV桥接基板位于所述重布线...

本实用新型提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构至少包括：至少一个芯片、基板、散热盖、粘结胶、热界面材料层、以及多个胶柱；所述芯片焊接在所述基板上；所述散热盖通过所述粘结胶粘结在所述基板上，所述散热盖和所述基板形成容纳所述芯片的腔体；所...

本发明提供一种三维堆叠的扇出型封装结构及其制备方法，该扇出型封装结构从上至下依次包括芯片堆叠体、硅转接层、传输芯片、包覆层及基板，并通过设置重新布线层或金属焊球实现硅转接层与基板的电连接从而进行信号传输。其中，传输芯片设置于硅转接层的下...