本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构，该方法包括：于支撑基底上形成扩散阻挡层及金属种子层；于金属种子层上形成具有填充窗口的光刻胶层；于金属种子层上依次形成金属线层及缓冲层；于缓冲层上形成至少两层保护层的叠层结构，且在形成相邻两层保...

本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构，该方法包括：提供支撑基底，并于其上形成扩散阻挡层；通过涂胶、曝光、显影工艺，于扩散阻挡层上形成图形化的光刻胶层；于扩散阻挡层上形成上端小下端大的类喇叭状的形貌的金属线层；去除图形化的光刻胶层；...

本实用新型提供一种铜电极结构，结构包括带有TSV深孔的基底，所述TSV深孔中具有铜填充柱，所述铜填充柱和基底的接触界面具有氧化物隔离层，所述基底的第一侧通过胶层键合在基板上，所述铜填充柱凸出于所述基底，所述基底第二侧覆盖有PI光刻胶层，...

本发明提供一种涂胶曝光显影测量一体化装置及基于该装置的涂胶曝光显影测量方法，所述涂胶曝光显影测量一体化装置包括：主腔体，包括涂胶室、曝光室、显影室、测量室；所述涂胶室用于执行涂胶工序，所述曝光室用于执行曝光工序，所述显影室用于执行显影工...

本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成修复金属层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，形成焊垫，去除第二掩膜层及部分修复金属层，再在焊垫上形...

本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，形成焊垫，去除第二掩膜层，进行氧化处理，再在焊垫上形成金属线。本发明对焊垫周围的底...

本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，对底部金属进行酸洗处理，形成焊垫，去除第二掩膜层，再在焊垫上形成金属线。本发明可以...

本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，形成焊垫，去除第二掩膜层，对焊垫周围的底部金属进行粗化刻蚀处理，再在焊垫上形成金属...

本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，包括步骤：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属、具有第二窗口的第二掩膜层以及焊垫，去除第一掩膜层和第二掩膜层，再在焊垫上形成金属线。本发明可以防止在第一掩膜层的去除过程中对已经形成...

本发明提供一种晶圆级3D封装结构及其制备方法，其中，晶圆级3D封装结构包括重新布线层、第一电连接结构、第一塑封层、第一层间金属层、第二电连接结构、第二塑封层、第二层间金属层、芯片、焊球凸块及第三塑封层。本发明可实现芯片的晶圆级3D封装，...

本发明提供一种半导体芯片封装结构及其制备方法。制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有若干个半导体芯片；形成导电柱，导电柱与半导体芯片电连接；形成沟槽，沟槽位于各半导体芯片之间，且环绕各半导体芯片；形成环氧树脂层，环氧树脂层将半...

本发明提供一种半导体芯片封装结构及其制备方法。封装结构包括半导体芯片、导电柱、环氧树脂层、第一聚合树脂层、金属布线层、第二聚合树脂层、凸块下金属层、焊球及保护膜；导电柱位于半导体芯片的上表面；环氧树脂层将半导体芯片及导电柱塑封且覆盖半导...

本发明提供一种透镜天线封装结构、制备方法及电子设备，透镜天线封装结构包括重新布线层、馈电线、塑封层、天线、透镜、芯片及焊球凸块；其中，透镜覆盖天线，使得自然辐射出来的球面波束及柱面波束中的一种或组合，在经过透镜的折射后发生汇聚，最终形成...

本发明提供一种3DIC封装结构及制备方法，3DIC封装结构包括GPU芯片、HBM芯片、键合层、第一金属连接件、第二金属连接件、可控塌陷芯片连接层及基板；本发明直接将GPU芯片及HBM芯片通过键合层进行键合，且通过第一金属连接件电连接GP...

本实用新型提供了一种晶粒拾取装置，包括：载台，其包含用于放置晶粒的水平台面；设置于所述载台中的顶推元件，其包含可在垂直于所述水平台面的方向上切换伸出和缩进状态的顶针；在所述顶针处于伸出状态时，所述顶针的顶部高于所述水平台面且可在多个高度...

本实用新型提供了一种芯片封装结构，包括：衬底晶圆，其具有相对设置的第一表面和第二表面；硅通孔结构，其形成于所述衬底晶圆中且一端暴露于所述衬底晶圆的第一表面；焊垫结构，其形成于所述衬底晶圆的第一表面并连接所述硅通孔结构；修整槽，其形成于所...