提高底部金属与焊垫辨识度的方法技术

本发明专利技术提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，对底部金属进行酸洗处理，形成焊垫，去除第二掩膜层，再在焊垫上形成金属线。本发明专利技术可以通过对底部金属进行酸洗处理，通过进行酸洗处理的底部金属表面粗糙度影响后续形成焊垫的粗糙度，可以提高焊垫与其周围的未进行酸洗处理的底部金属之间的粗糙度差异，使得二者更容易辨识区分，从而有利于在焊垫上准确有效的制备金属线，提高金属线制备的良率。属线制备的良率。属线制备的良率。

【技术实现步骤摘要】
提高底部金属与焊垫辨识度的方法


[0001]本专利技术属于封装领域，特别是涉及一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法。

技术介绍

[0002]晶圆级封装(Wafer Level Packaging，WLP)的一般定义为：直接在晶圆(Wafer)上进行大多数或全部的封装及测试程序，之后再进行切割(Singulation)制成单颗芯片(Chip)。由于WLP具有较高的封装密度、较快的封装速度及较低的封装成本，已成为目前较为先进的封装方法之一，得到了广泛的应用。
[0003]现有封装工艺中，需要对金属层以及形成在这一金属层上的引出焊垫进行识别区分，存在二者之间难以有效区分的问题，例如，在封装工艺中，当在接地金属(如GND Cu)上形成焊垫金属之后，往往需要将二者辨识，从而可以在焊垫金属上制备金属线，如果二者之间的形貌、粗糙度等影响辨识的因素较接近，则难以将二者进行有效区分，势必影响后续金属线制备的良率，影响产品的良率。
[0004]因此，如何提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法以解决上述问题实属必要。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，用于解决现有技术中焊垫与其周围的底部金属辨识度较差难以有效区分等问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，所述方法包括：
[0007]提供基底；
[0008]于所述基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括定义底部金属位置的第一窗口；
[0009]于所述第一窗口中形成所述底部金属；
[0010]去除所述第一掩膜层；
[0011]于所述基底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包围所述底部金属且所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗口，所述第二窗口显露所述底部金属；
[0012]对所述第二窗口中显露的所述底部金属进行酸洗处理；
[0013]于进行所述酸洗处理后的所述底部金属上形成焊垫；以及
[0014]去除所述第二掩膜层，并于所述焊垫上制备金属线。
[0015]可选地，所述焊垫包括依次形成于所述第二窗口中所述底部金属表面的缓冲阻挡层及金属层。
[0016]可选地，所述缓冲阻挡层包括Ni层；所述金属层包括Au层；所述底部金属材料包括Cu。
[0017]可选地，所述缓冲阻挡层的厚度介于1.8μm-2.2μm之间；所述金属层的厚度介于0.1μm-1μm之间；所述底部金属的厚度介于3μm-6μm之间。
[0018]可选地，所述基底上还形成有种子层，所述第一窗口显露所述种子层，所述第一掩膜层及所述底部金属均形成于所述种子层上，其中，去除所述第一掩膜层之后去除所述种子层。
[0019]可选地，所述种子层包括依次形成于所述基底上的粘附层及上金属层，其中，所述上金属层的材料与所述底部金属的材料相同，所述粘附层包括Ti层。
[0020]可选地，所述基底包括支撑层、形成于所述支撑层上的剥离层以及形成于所述剥离层上的介质层，其中，所述底部金属基于所述第一窗口形成于所述介质层上。
[0021]可选地，形成所述金属线的工艺包括打线工艺。
[0022]可选地，进行所述酸洗处理的酸洗液包括H2SO4、H3PO4以及CH3COOH中的至少一种，所述酸洗液的浓度介于1％-20％之间。
[0023]本专利技术还提供另外一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，所述方法包括：
[0024]提供基底；
[0025]于所述基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括定义底部金属位置的第一窗口；
[0026]于所述第一窗口中形成所述底部金属；
[0027]于形成有所述底部金属及所述第一掩膜层的结构上形成焊垫掩膜层，所述焊垫掩膜层包括定义焊垫的第二窗口，且所述第二窗口显露所述底部金属；
[0028]对所述第二窗口中显露的所述底部金属进行酸洗处理；
[0029]于进行所述酸洗处理后的所述底部金属上形成焊垫；以及
[0030]去除所述焊垫掩膜层及所述第一掩膜层，并于所述焊垫上形成金属线。
[0031]可选地，所述焊垫的面积介于所述底部金属面积的1％-10％之间。
[0032]如上所述，本专利技术的提高底部金属与焊垫辨识度的方法，可以通过对底部金属进行酸洗处理，可以增加该部分底部金属的粗糙度，从而可以通过进行酸洗处理的底部金属表面粗糙度影响后续形成焊垫的粗糙度，进而可以提高焊垫与其周围的未进行酸洗处理的底部金属之间的粗糙度的差异，使得二者更容易辨识区分，从而有利于在焊垫上准确有效的制备金属线，提高金属线制备的良率。
附图说明
[0033]图1显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法的流程图。
[0034]图2显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中提供基底的结构示意图。
[0035]图3显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成第一掩膜层示意图。
[0036]图4显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成底部金属的示意图。
[0037]图5显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中去除第一掩膜层示意图。
[0038]图6显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成第二掩膜层示意图。
[0039]图7显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成焊垫的示意图。
[0040]图8显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中去除第二掩膜层示意图。
[0041]图9显示为实施例一提高底部金属与焊垫辨识度的方法过程中形成金属线的示意图。
[0042]图10显示为实施例二提高底部金属与焊垫辨识度方法过程中形成焊垫掩膜层的示意图。
[0043]元件标号说明
[0044]101
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基底
[0045]101a
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支撑层
[0046]101b
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剥离层
[0047]101c
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介质层
[0048]102
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第一掩膜层
[0049]102a
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第一窗口
[0050]103
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底部金属
[0051]104
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第二掩膜层
[0052]104a
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第二窗口
[0053]105
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焊垫...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；于所述基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括定义底部金属位置的第一窗口；于所述第一窗口中形成所述底部金属；去除所述第一掩膜层；于所述基底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包围所述底部金属且所述第二掩膜层包括定义焊垫的第二窗口，所述第二窗口显露所述底部金属；对所述第二窗口中显露的所述底部金属进行酸洗处理；于进行所述酸洗处理后的所述底部金属上形成焊垫；以及去除所述第二掩膜层，并于所述焊垫上制备金属线。2.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在于，所述焊垫包括依次形成于所述第二窗口中所述底部金属表面的缓冲阻挡层及金属层。3.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在于，所述缓冲阻挡层包括Ni层；所述金属层包括Au层；所述底部金属的材料包括Cu。4.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在于，所述缓冲阻挡层的厚度介于1.8μm-2.2μm之间；所述金属层的厚度介于0.1μm-1μm之间；所述底部金属的厚度介于3μm-6μm之间。5.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在于，所述基底上还形成有种子层，所述第一窗口显露所述种子层，所述第一掩膜层及所述底部金属均形成于所述种子层上，其中，去除所述第一掩膜层之后去除所述种子层。6.根据权利要求5所述的提高底部金属与焊垫辨识度的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，王荣荣，周祖源，吴政达，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：