晶圆级芯片扇出封装方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级芯片扇出封装方法，该方法包括以下步骤：提供芯片单元，其中，所述芯片单元包括裸芯片和重布线层；激光直写光刻设备获取所述裸芯片的实际位置信息；所述激光直写光刻设备根据所述实际位置信息调整数字掩模版的原始布线图形；所述激光直写光刻设备根据调整后的布线图形对所述重布线层进行曝光处理；在曝光处理后的布线图形处注入金属以形成重布线线路，其中，所述重布线线路实现所述裸芯片与外部焊盘的连接，和/或，所述重布线线路实现所述裸芯片的互联。根据本发明专利技术的晶圆级芯片扇出封装方法，实现了在裸芯片的位置发生偏移后，仍能够与重布线线路实现精确对接，提高了芯片封装良率。提高了芯片封装良率。提高了芯片封装良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级芯片扇出封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其是涉及一种晶圆级芯片扇出封装方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，晶圆级扇出封装技术包括系统级封装技术、板级封装技术、功率器件的模块封装等。其将不同衬底且不同功能的芯片集成在一起，在较小的区域内实现了芯片的堆叠和互联，大大减小了芯片的封装尺寸且增大了芯片的可靠性，具有广泛的应用前景和发展空间。
[0003]在晶圆级芯片的扇出封装过程中，芯片的放置位置是预先确定的，为了将芯片与另一芯片或外部焊盘之间进行连接，需要设计该芯片与该另一芯片之间或该芯片与外部焊盘之间的连接线路。常规的做法是，将芯片转移到预先确定的位置，再利用掩膜版进行曝光，形成连接线路图形，以最终使连接线路准确地将该芯片与该另一芯片连接或准确地将该芯片与外部焊盘连接。其中，掩膜版的图案或形状是根据设计好的上述连接线路而定制的，即掩膜版的图案是固定的。然而，在实际操作中，由于芯片转移过程中可能发生偏位、涨缩等，芯片转移后的实际放置位置相对于预先确定好的放置位置往往会有一定程度的偏移，从而导致按照掩膜版的图案进行曝光得到的连接线路图形无法与芯片进行准确地对接，从而无法将芯片与另一芯片或者芯片与外部焊盘准确地连接。
[0004]而且，上述问题使用传统的步进重复投影曝光机很难解决。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种晶圆级芯片扇出封装方法，所述晶圆级芯片扇出封装方法实现了在裸芯片的位置发生偏移后，仍能够与与重布线线路实现精确对接，提高了芯片封装良率。
[0006]根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法，包括以下步骤：提供芯片单元，其中，所述芯片单元包括裸芯片和重布线层；激光直写光刻设备获取所述裸芯片的实际位置信息；所述激光直写光刻设备根据所述实际位置信息调整数字掩模版的原始布线图形；所述激光直写光刻设备根据调整后的布线图形对所述重布线层进行曝光处理；在曝光处理后的布线图形处注入金属以形成重布线线路，其中，所述重布线线路实现所述裸芯片与外部焊盘的连接，和/或，所述重布线线路实现所述裸芯片的互联。
[0007]根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法，通过激光直写光刻设备获取裸芯片的实际位置信息，并根据裸芯片的实际位置信息调整数字掩模版的原始布线图形，以及根据调整后的布线图形对所述重布线层进行曝光处理，即使裸芯片的位置发生转移，通过参照裸芯片转移后的位置调整数字掩膜版的布线图形，获得的最终重布线线路仍可以与裸芯片准确对接，从而能够实现裸芯片与另一裸芯片或外部焊盘之间的准确连接，降低裸芯片的贴片精度依赖，减小芯片互连的难度，减少断路和短路问题，提升芯片封装良率，且与采用实体掩膜版的方式相比，无需定制新的实体掩膜版，节约成本。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述激光直写光刻设备包括自动对焦系统，所述激光直写光刻设备根据调整后的布线图形对所述重布线层进行曝光处理，包括：所述激光直写光刻设备获取所述芯片单元的翘曲信息；所述自动对焦系统根据所述翘曲信息调整曝光区域的对焦面；所述激光直写光刻设备根据调整后的布线图形在所述对焦面处对所述重布线层进行曝光。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述提供芯片单元包括：提供临时衬底基板；将裸芯片贴附在所述临时衬底基板上，所述裸芯片的一侧设有多个凸点；将所述裸芯片和所述裸芯片的多个所述凸点进行塑封处理，以形成塑封层；将所述裸芯片的多个所述凸点裸露出所述塑封层；在多个所述凸点的一侧的所述塑封层表面上形成所述重布线层。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述裸芯片的正面朝向所述临时衬底基板，将所述裸芯片的多个所述凸点裸露出所述塑封层，包括：将所述临时衬底基板与所述裸芯片和多个所述凸点进行剥离。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述裸芯片为多个，多个所述裸芯片沿垂直于所述裸芯片所在平面的方向上的高度不等。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，所述裸芯片的正面远离所述临时衬底基板，将所述裸芯片的多个所述凸点裸露出所述塑封层包括：对所述塑封层进行研磨，以裸露出多个所述凸点。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，所述裸芯片为多个，多个所述裸芯片沿垂直于所述裸芯片所在平面的方向上的高度相等。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，在将所述裸芯片贴附在所述临时衬底基板上之前，所述方法还包括：在所述临时衬底基板上涂覆临时键合胶。
[0015]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0016]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0017]图1是根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法的流程图。
[0018]图2是图1中所示的步骤S1的子步骤。
[0019]图3是图1中所示的步骤S4的子步骤。
[0020]图4是根据本专利技术另一实施例的晶圆级芯片封装方法的流程图。
[0021]图5示出了根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法实现的裸芯片与调整后的重布线线路准确对接的示意图。
[0022]图6示出了根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法的原始设计线路图的示意图。
[0023]图7示出了现有技术中的芯片封装过程中裸芯片发生转移之后无法与原始设计的重布线线路对接的示意图。
[0024]附图标记：
[0025]裸芯片1；凸点11；外部焊盘2；重布线线路3；原始设计线路图200。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0027]首先参照图6
‑
图7简单介绍现有技术中的晶圆级芯片扇出封装技术存在的缺陷。
[0028]图6是原始设计线路图200，其中，裸芯片1的位置(裸芯片1上的凸点11的位置)、外部焊盘2的位置是预先确定好的，设计的重布线线路3可以实现与裸芯片1的凸点11的准确对接。
[0029]图7是实际贴片操作的线路示意图。由于将裸芯片1进行贴片时，裸芯片1的位置往往发生一定的偏移，因此，移位的裸芯片1无法与原始设计的重布线线路3进行准确对接，从而容易导致断路或短路问题。
[0030]为了解决上述问题，本专利技术实施例提出了一种晶圆级芯片扇出封装方法。下面参考图1
‑
图5描述根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法。
[0031]图1是根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法的流程图，如图1所示，根据本专利技术实施例的晶圆级芯片扇出封装方法，可以包括以下步骤：
[0032]S1：提供芯片单元。
[0033]参照图5所示，其中，芯片单元包括裸芯片1和重布线层。重布线层位于裸芯片1上且覆盖裸芯片1，重布线层的作用是在曝光之后获得最终的重布线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片扇出封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供芯片单元，其中，所述芯片单元包括裸芯片和重布线层；激光直写光刻设备获取所述裸芯片的实际位置信息；所述激光直写光刻设备根据所述实际位置信息调整数字掩模版的原始布线图形；所述激光直写光刻设备根据调整后的布线图形对所述重布线层进行曝光处理；在曝光处理后的布线图形处注入金属以形成重布线线路，其中，所述重布线线路实现所述裸芯片与外部焊盘的连接，和/或，所述重布线线路实现所述裸芯片的互联。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片扇出封装方法，其特征在于，所述激光直写光刻设备包括自动对焦系统，所述激光直写光刻设备根据调整后的布线图形对所述重布线层进行曝光处理，包括：所述激光直写光刻设备获取所述芯片单元的翘曲信息；所述自动对焦系统根据所述翘曲信息调整曝光区域的对焦面；所述激光直写光刻设备根据调整后的布线图形在所述对焦面处对所述重布线层进行曝光。3.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片扇出封装方法，其特征在于，所述提供芯片单元包括：提供临时衬底基板；将裸芯片贴附在所述临时衬底基板上，所述裸芯片的一侧设有多个凸点；将所述裸芯片和所述裸芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲鲁杰，赵美云，关远远，
申请(专利权)人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：