上海迷思科技有限公司专利技术

上海迷思科技有限公司共有21项专利

  • 本技术涉及新能源电池技术领域,具体涉及一种新能源电池防护设备,包括蓄电池、压力传感器、PCB板和防护组件,压力传感器安装在PCB板上,PCB板与蓄电池连接,防护组件包括防爆壳、盖板、插接块、卡块和缓冲构件,防爆壳安装在蓄电池上,盖板安装...
  • 本技术涉及燃气表生产技术领域,具体涉及一种燃气表用的温压检测传感器,包括工作台、下密封壳、检测组件和上密封壳,下密封壳安装在工作台上,上密封壳通过检测组件安装在工作台上,检测组件包括门型架、滑轨、基座、移动构件、安装架、导向杆、连接块和...
  • 本技术属于芯片封装技术领域,具体涉及一种压力传感器芯片封装结构,包括上压盖和下压盖,上压盖和下压盖之间设有安装板,上压盖和下压盖均连通有气嘴,安装板开设有通槽,上压盖固定连接有卡块,下压盖固定有卡环;通过上压盖上的卡块与下压盖上的卡环相...
  • 本技术涉及点胶设备技术领域,具体涉及一种芯片加工用点胶设备,包括点胶设备本体和烘干组件,烘干组件包括出风板、冷风管和风机,点胶设备本体用于对芯片进行点胶加工,烘干组件用于点胶时烘干胶水,加快胶水的凝固,提高芯片的生产效率,具体的,风机通...
  • 本技术涉及芯片拾取技术领域,具体涉及一种芯片加工的芯片拾取设备,通过安装架固定安装在基板上,第一支撑板固定安装在安装架上,吸取装置位于基板和安装架之间,环形槽体固定安装在安装架上,并位于安装架远离基板的一侧,滑动杆通过驱动组件滑动安装在...
  • 本技术涉及芯片加工设备技术领域,具体涉及一种芯片加工用模压设备;包括底座、下模、上模和辅助装置,辅助装置包括推动气缸、导轨、滑架、双头喷头、导入座和下行组件,芯片模压完成,并取出后,可控制推动气缸动作,推动滑架向靠近下模和上模的方向移动...
  • 本技术涉及传感器测试技术领域,具体涉及一种压力传感器的测试治具,包括底座、安装组件和辅助组件,安装组件包括测试凹模、探针板、放置模板、检测机和密封构件,测试凹模与底座固定连接,探针板与测试凹模固定连接,放置模板与测试凹模固定连接,检测机...
  • 本实用新型涉及
  • 本实用新型涉及
  • 本实用新型涉及压力传感器技术领域,具体涉及一种小尺寸压力
  • 本实用新型涉及一种小尺寸颅内压传感器包括显示终端,显示终端前端设有显示屏,显示终端后端连接有数据线和电源线,显示终端后端设有与数据线和电源线匹配的收线机构,收线机构包括收线柱
  • 本实用新型属于芯片加工技术领域,具体涉及一种芯片加工机构,包括加工台,加工台内开设有空腔,空腔内安装有伺服电机,加工台开设有通槽,伺服电机固定有转杆,转杆固定有加工盘,加工盘开设有放置槽,加工盘内开设有滑腔,加工盘开设有滑槽,滑槽内滑动...
  • 本实用新型涉及一种阵列压力传感器,包括底膜,底膜上侧设有承载膜,承载膜内部设有若干阵列排布的压力感应单元,承载膜上侧设有顶膜,压力传感器包括连接环和压力感应头,连接环固定装配于承载膜内部,连接环内侧设有装配环,装配环内侧两个中心对称有卡...
  • 本实用新型涉及光伏设备领域,公开了一种半导体晶圆生产湿法清洗设备,包括工作台,所述工作台的中部固定连接有清洗箱,所述工作台的顶面固定连接在支架的底面,所述支架的中部底面固定连接有有液压杆,所述转动轴的底端固定连接在盒盖的顶面,所述盒盖的...
  • 本实用新型涉及传感器技术领域,具体涉及一种差压传感器,包括安装块、进气通道、出气通道和传感器本体,进气通道设置在安装块的一侧,出气通道设在安装块的一侧,传感器本体固定安装在安装块内,还包括安装组件;安装组件包括插入板、连接板、滤尘膜、橡...
  • 本实用新型涉及压力传感器技术领域,具体涉及一种压力传感器的校准设备,包括固定台、连接架和安装组件,安装组件包括驱动块、导向块、连接座、固定块、活动块、探针、橡胶垫和限位块,驱动块用于上下移动导向块,导向块位于驱动块远离连接架的一侧,连接...
  • 本发明提供一种MEMS压力传感器的封装方法及封装结构,包括:基板和应力敏感芯片,基板的贴装区内形成有盲孔,粘合介质层一体化填充于盲孔内以及基板与应力敏感芯片之间的间隙,应力敏感芯片的感压部在基板上的投影位于所述盲孔以内,感压部下方具有足...
  • 本实用新型涉及封装设备技术领域,公开了一种气流传感器的封装设备,包括主箱,所述主箱的前后两侧均固定连接有风机组,所述主箱的内部左侧固定连接有两根伸缩杆,其中一根所述伸缩杆的一端固定连接有电机盒,所述电机盒的内部固定连接有电机,另一根所述...
  • 本发明提供一种双层悬浮红外热电堆及其制备方法,通过在红外吸收层吸收部下引入导热反射层,可提高吸收率,并将热量更快、更多地集中到热结端,有利于增大探测信号,提高探测性能;进一步的,通过设置预设牺牲层,使得具有较小宽度的刻蚀窗口即可形成具有...
  • 本发明提供一种双层悬浮红外热电堆的制备方法,通过形成位于红外吸收层下且覆盖刻蚀窗口的硅牺牲层,可在最后一道步骤中同时释放红外吸收层及热电偶复合层,形成包括第一层悬浮结构及第二层悬浮结构的双层悬浮红外热电堆,从而可有效降低工艺复杂度、提高...