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上海贝岭股份有限公司专利技术
上海贝岭股份有限公司共有612项专利
分频时钟电路制造技术
本发明公开了一种分频时钟电路,分频时钟电路包括第一反相器、第二反相器、第一同步复位D触发器以及偶数个对应于各通道的时钟支路;第一同步复位D触发器的输入端包括第一时钟接口与第一复位接口;第一反相器的输出端与第一时钟接口相连接;第二反相器的...
内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法技术
本公开提供了一种内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法,该MOSFET包括金属化漏极、N型衬底、N+缓冲层、多层N‑外延层、P型体区、JFET区、P+接触区、N+源区、栅氧化层、N型多晶硅栅极、二氧化硅层间介质、P型多晶硅和金属化源...
CAN收发器电路及其芯片制造技术
本公开提供一种CAN收发器电路及其芯片,所述CAN收发器电路包括接收器电路和唤醒逻辑电路;所述接收器电路的输入端通过高电平CAN总线引脚和低电平CAN总线引脚与CAN总线连接;所述接收器电路的输出端与所述唤醒逻辑电路的输入端连接;其中,...
信号调制器及过采样转换器制造技术
本公开提供了一种信号调制器及过采样转换器,其中,调制器包括控制电路,以及依次电连接的第一积分电路、若干第二积分电路、信号求和电路和信号转换电路;其中,第一积分电路包括第一增益调节单元;信号求和电路包括第二增益调节单元;控制电路用于基于调...
电源电压选择电路、芯片和充电设备制造技术
本公开提供了一种电源电压选择电路、芯片和充电设备,该电源电压选择电路包括第一电源、第二电源、电路输出端、第一稳压管、第二稳压管、第一二极管、第一开关器件、第二开关器件和第三开关器件,第一电源与第一二极管、第一开关器件连接,第一稳压管与第...
高边开关芯片制造技术
本公开提供了一种高边开关芯片,高边开关芯片包括开关电路和第一过流保护电路;第一过流保护电路包括第一负载电路和反馈电路,第一负载电路与开关电路并联连接,反馈电路分别与第一负载电路中的第一负载、开关电路连接。本公开通过在高边开关芯片中设置第...
放大电路及比较器制造技术
本公开提供了一种放大电路及比较器,该放大电路设置于比较器中,放大电路包括电连接的第一放大单元和第二放大单元;其中,第一放大单元包括若干依次串联的第一预放大器,第二放大单元包括至少一个第二预放大器;第二预放大器中晶体管的尺寸小于第一放大单...
逐次逼近寄存器型模数转换器和电子设备制造技术
本发明提供一种逐次逼近寄存器型模数转换器和电子设备,模数转换器包括:电容阵列、比较器、SAR逻辑模块和失配修正模块;电容阵列包括至少两个电容子阵列;每一电容子阵列包括若干权重电容和第一预设数量的小数电容,小数电容设置于最低位的权重电容与...
沟槽栅MOS-GCT器件及其制备方法技术
本发明公开了一种沟槽栅MOS‑GCT器件及其制备方法,其中,沟槽栅MOS‑GCT器件包括P型半导体掺杂门极区、P型半导体掺杂漏区、N型半导体辅助区、N型半导体掺杂阴极区、P型半导体掺杂基区、N型半导体掺杂漂移区、N型半导体掺杂场阻止区、...
电平转换器的校准方法与电池管理系统技术方案
本发明公开了一种电平转换器的校准方法与电池管理系统,其中,所述电平转换器的校准方法的步骤包括:配置电平转换器的共模输入电压和差模输入电压,获取电平转换器的共模输出电压和差模输出电压;基于电平转换器的共模输入电压、差模输入电压、共模输出电...
基准产生电路和电子设备制造技术
本发明提供一种基准产生电路和电子设备,基准产生电路包括:主模块、输出模块、过冲抑制模块、输出控制模块和启动模块;主模块产生正温度系数电流,并将正温度系数电流输出至输出模块;输出模块将正温度系数电流转换为正温度系数电压以及产生负温度系数电...
Trench MOS器件及其制造方法技术
本发明公开了一种Trench MOS器件及其制造方法,所述制造方法包括:S1.提供一衬底;S2.在所述衬底一表面上淀积LPTEOS,并对所述表面进行刻蚀,形成沟槽;S3.以剩余所述LPTEOS作为掩蔽层,在沟槽底部进行N型重掺杂得到N型...
电源系统及电压校准方法技术方案
本发明公开了一种电源系统及电压校准方法。电源系统包括电压可调电路,电压可调电路包括数模转换模块以及运算放大器;数模转换模块的一端与运算放大器的同相输入端电连接;运算放大器的正电源端与外部电源电连接,运算放大器的负电源端接地;运算放大器的...
用于降压型开关稳压器的斜坡补偿电路和开关稳压器制造技术
本发明提供一种用于降压型开关稳压器的斜坡补偿电路和开关稳压器,电路包括:电流采样补偿模块和比较器模块;电流采样补偿模块分别接入偏置电流和栅极控制信号,分别与比较器模块的正相输入端和功率开关管的源极电连接,比较器模块的反相输入端接入EA输...
高频变压器制造技术
本发明公开了一种高频变压器,高频变压器包括骨架;在骨架的两边分别增加至少一个管脚;将骨架进行单边加宽
芯片及芯片测试模式进入方法技术
本发明公开了一种芯片及芯片测试模式进入方法,芯片包括:SDA引脚,用于接收时钟信号并将时钟信号传送至测试功能命令收发模块;SCL引脚,用于接收数据信号并将数据信号传送至测试功能命令收发模块;测试功能命令收发模块,用于接收时钟信号、数据信...
芯片及芯片测试模式进入方法技术
本发明公开了一种芯片及芯片测试模式进入方法,芯片包括:SDA引脚,用于接收时钟信号并将时钟信号传送至测试功能命令收发模块;SCL引脚,用于接收数据信号并将数据信号传送至测试功能命令收发模块;测试功能命令收发模块,用于接收时钟信号、数据信...
IGBT器件及其控制方法技术
本发明公开一种IGBT器件及其控制方法,器件包括:选取至少一个沟槽栅,并通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第二外部信号输入端,形成第二控制栅极;通过选取在第二控制栅极对应的沟槽栅的一侧或两侧相邻的沟槽栅,通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第...
IGBT器件及其控制方法技术
本发明公开一种IGBT器件及其控制方法,器件包括:选取至少一个沟槽栅,并通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第二外部信号输入端,形成第二控制栅极;通过选取在第二控制栅极对应的沟槽栅的一侧或两侧相邻的沟槽栅,通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第...
电压基准电路制造技术
本发明公开了一种电压基准电路,具体地,电压基准电路通过对负温度系数的非线性电流进行曲率调整,并将调整后的负温度系数的非线性电流进行转换得到正温度系数的非线性电压,从而将正温度系数的非线性电压和非线性的负温度系数电压进行叠加后作为基准电压...
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