上海贝岭股份有限公司专利技术

上海贝岭股份有限公司共有611项专利

  • 本发明公开了一种上电复位电路,包括主POR单元、POR模块、电平转换模块;主POR单元的电源端与主电压源电连接;POR模块包括至少一个副POR单元,副POR单元的电源端与一个副电压源电连接;电平转换模块的输入端与副POR单元的输出端电连...
  • 本发明公开了一种采样时刻失配的校准方法、系统、电子设备及存储介质,该方法包括:选取TIADC的一个子通道作为参考子通道,其余子通道作为待校准子通道;在连续采样过程中对每个子通道与该子通道的下一个子通道的采样值进行互相关运算,根据各所述待...
  • 本发明公开了一种功率半导体器件动态特性测试系统,包括测试主机,测试主机集成了高压电容模块、低压电容模块、第二切换单元和至少一个测试拓扑电路;高压电容模块用于储存预设的高压电能;低压电容模块用于储存预设的低压电能;测试拓扑电路包括第一切换...
  • 本发明公开了一种LDO模块及其电压产生电路,该电压产生电路包括第一偏置单元及第二偏置单元;第一偏置单元包括至少四个MOS管及第一电阻;第二偏置单元包括至少两个MOS管及至少两个开关;第一偏置单元与第二偏置单元相连接;第一偏置单元通过第一...
  • 本发明公开了一种高压漏电保护电路及漏电分析芯片,所述高压漏电保护电路包括第一电流采样前端、第二电流采样前端、隔离耐压模块和信号分析电路;第一电流采样前端用于对高压火线进行电流采样以获得火线电流信号;第二电流采样前端用于对高压零线进行电流...
  • 本发明公开了一种RS485保护组件、发送驱动器及收发器,其中,RS485保护组件通过设置检测电路和保护信号产生电路,并通过检测电路检测RS485电压,并在高于预设第一电压时输出第一电压信号,低于预设第二电压时输出第二电压信号,使得保护信...
  • 本申请提供了一种集成电路及其钳位电路,钳位电路包括偏置模块、驱动模块及钳位电压产生模块;所述偏置模块包括第一偏置单元,所述第一偏置单元与所述驱动模块电连接;所述第一偏置单元用于接入所述集成电路的偏置电流产生电路;当检测到所述集成电路的上...
  • 本发明公开了一种EEPROM及其读写电路,其中读写电路包括:存储电路和若干组锁存器,每组锁存器包括电压切换电路和锁存电路;第一切换电路包括第一NMOS管,该管的栅极与第一锁存电路的数据传输端电连接,该管的源极与存储电路的第一电压端电连接...
  • 本发明公开了一种电荷泵及包括其的电子设备,所述电荷泵包括电压变换器、信号发生器、控制模块;所述信号发生器的第一输入端与所述电压变换器的正电压输出端连接,第二输入端与参考电源连接,输出端与所述第四NMOS管的栅极连接。本发明通过电荷泵的信...
  • 本发明公开了一种交直流计量系统及装置,包括信号采样模块、波形选择模块、有效值模块、功率模块、能量模块以及寄存器;信号采样模块用于采集电信号,并将电信号采样为波形信号输出至波形选择模块;波形选择模块用于对波形信号进行选择;有效值模块用于根...
  • 本发明公开了一种上电复位电路及电子设备,上电复位电路包括第一、第二和第三分压电阻、PNP三极管、比较器和第一反相器:第一分压电阻、比较器的供电端和第一反相器的供电端均与输入电源连接;第一分压电阻与第二、第三分压电阻和比较器的第一输入端连...
  • 本发明公开了一种抗共模干扰的调制解调电路,该调制解调电路包括调制电路和解调电路,该解调电路包括高通滤波器和比较器;调制电路与高通滤波器电连接,高通滤波器与比较器电连接;调制电路用于将输入信号转换为已调信号,并将已调信号传输至高通滤波器;...
  • 本发明公开了一种超级势垒整流器的制备方法以及超级势垒整流器,所述制备方法包括:在衬底上形成外延层;在所述外延层上热生长场氧化层;在所述场氧化层上刻蚀有源区;在所述有源区中注入离子并推结形成P阱;在所述有源区中刻蚀沟槽,所述沟槽贯穿所述P...
  • 本发明公开了一种基于MicroPython的微型测试平台、测试方法及存储介质,测试平台包括:交互模块,用于供用户根据不同类型的待测产品设定与不同类型的待测产品对应的测试条件;激励模块,用于根据待测产品的类型获取与待测产品对应的激励信号,...
  • 本发明公开了一种计量芯片以及测量系统,该计量芯片包括:计算模块,用于根据电流检测机构的检测结果计算待测设备的目标电流;校准模块,用于对电流检测机构进行校准;地址位引脚,用于根据外接的配置电阻生成相应的芯片地址。本发明的计量芯片既能够通过...
  • 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法,其中制造方法包括以下步骤:对若干衬底单元进行刻蚀以形成若干沟槽,若干沟槽包括第一沟槽和第二沟槽,第一沟槽用于形成第一绝缘栅双极晶体管的沟槽栅,第一绝缘栅双极晶体管为在第一衬底单元制造形成的绝...
  • 本发明公开了IGBT的制造方法和IGBT,其中IGBT的制造方法包括以下步骤:在半导体衬底中制作形成沟槽;在半导体衬底中制作形成载流子存储区,载流子存储区自沟槽的侧壁向衬底单元的内部延伸预设距离;对沟槽的底部进行刻蚀以使沟槽达到预设深度...
  • 本发明公开了一种电快速瞬变脉冲群测试系统,所述电快速瞬变脉冲群测试系统包括群脉冲发生器、自动收发模块和主控模块,自动收发模块分别与群脉冲发生器和主控模块连接,群脉冲发生器用于将生成的干扰信号耦合至自动收发模块,主控模块向自动收发模块发送...
  • 本发明公开了一种数字隔离器的接口电路及数字隔离器、数字隔离电路。其中,接口电路包括发送端接口电路与接收端接口电路;发送端接口电路包括发送控制端与发送端;接收端接口电路包括接收控制端与接收端;发送端接口电路用于在选择信号处于第一电平状态时...
  • 本发明提供一种电压控制、高电压产生电路及方法、设备和存储介质,电压控制电路包括:钳位电路、升压控制模块和控制器;钳位电路与一外部电路的输入端连接,升压控制模块分别与钳位电路和控制器电连接;外部电路的输入端接入一输入电压;控制器用于向升压...