本发明涉及一种高输出的氮化物发光器件。该发光器件包括按其顺序沉积在基板上的第一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型氮化物半导体层。该发光器件还包括：第一和第二绝缘层，形成在氮化物半导体发光器件的不同上表面部分上；以及第一和第二结合...

本发明提供了一种包括ＬＥＤ芯片的ＬＥＤ封装。在该ＬＥＤ封装中，由折叠金属片形成的导热部分在其上形成有凹部，以将ＬＥＤ芯片容纳在其中。封装体容纳导热部分，并将ＬＥＤ芯片产生的光向上引导。此外，将透明密封体设置到至少导热部分的凹部中。引导件...

本发明提供了一种纳米线发光器件及其制造方法。在该发光器件中，形成有第一和第二导电型包覆层，活性层设置于其间。第一和第二导电型包覆层和活性层中的至少之一是半导体纳米线层，半导体纳米线层通过准备由半导体纳米线和有机粘结剂所组成的混合物层并从...

本发明提供了一种确保在发射光谱、色彩再现指数、色温、和颜色方面的多样性的高质量复合磷光粉，使用该磷光粉的发光器件，以及用于制备该复合磷光粉的方法。该复合磷光粉包括复合颗粒。每个复合颗粒包括至少两种类型的磷光体颗粒和光传输粘合剂。所述磷光...

本发明提供了能够防止荧光粉劣化的发光二极管封装及其制造方法。发光二极管封装包括：封装体，具有凹进部；发光二极管芯片，安装在凹进部的底表面上；以及透镜结构，设置在封装体的上表面上并与发光二极管芯片分离。荧光粉散布在透镜结构的至少一部分中。

本发明提供了一种ＧａＮ基半导体ＬＥＤ及其制造方法。该ＧａＮ基半导体ＬＥＤ可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在ＧａＮ基半导体ＬＥＤ中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具...

本发明提供了一种用于制造能够容易执行芯片分离工艺的垂直结构的ＬＥＤ（发光二极管）的方法。在该方法中，在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构，其中，发光结构包括在生长基板上顺序设置的ｎ型覆层、有源层、和ｐ型覆层。在发...

一种ＬＥＤ背光单元，包括：光源；板，包括印刷在其下侧上的电路图案，并具有穿透的至少一个安装孔，光源插入在安装孔中；金属支架，光源的下侧安装在其内表面上，金属支架容纳与金属支架平行地设置且与金属支架间隔一定间隙的板；反射器，布置在板的顶表...

本发明公开了一种无芯基板的制造方法。该方法包括以下步骤：（ａ）在金属板的一侧上形成绝缘层；（ｂ）在绝缘层上形成过孔，用于金属板与另一侧之间的电连接；以及（ｃ）通过蚀刻金属板形成多个突出的功能焊盘。根据本发明的无芯基板及其制造方法具有通过...

一种基于氮化物的半导体ＬＥＤ包括：衬底；在衬底上形成的ｎ型氮化物半导体层；在ｎ型氮化物半导体层的预定区域上形成的有源层；形成在有源层上的ｐ型氮化物半导体层；在ｐ型氮化物半导体层上形成的电流扩散层；在电流扩散层上形成的ｐ电极，该ｐ电极具有...

本发明涉及基于氮化物的半导体ＬＥＤ，其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上，包括：基板；形成在基板上的发光结构；形成在发光结构上的电极；保护膜，其形成在所获得的具有在其中形成有电极的结构上，该保护膜暴露电极表面，该电极表面对应于通...

本发明涉及一种抑制电流集中的高质量半导体发光器件。该半导体发光器件包括依次形成在衬底上的ｎ型半导体层、有源层和ｐ型半导体层。半导体发光器件还包括形成在ｐ型半导体层上的ｐ电极和形成在ｎ型半导体层的台面蚀刻部分的表面上的ｎ电极。在ｎ型半导体...

本发明提供了一种垂直基于ＧａＮ的ＬＥＤ。该垂直基于ＧａＮ的ＬＥＤ包括：ｎ电极；ｎ型ＧａＮ层，形成在ｎ电极之下；有源层，形成在ｎ型ＧａＮ层之下；ｐ型ＧａＮ层，形成在有源层之下，该ｐ型ＧａＮ层具有在不与有源层接触的表面上形成的第一不平坦结构...

一种用于背光单元的侧面发光ＬＥＤ封装件，包括：封装件本体，其包括具有倾斜内侧壁的腔室；第一和第二引线框架，其布置在框架本体中，该封装件本体的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引线框架中的至少一个的一部分暴露于外部；发光二极管芯片，其安装在...

一种用于倒装芯片连接的焊剂接合结构，其中改变了其上施加焊剂的连接焊盘的形状，以便增加通过使用回流工艺形成的焊剂接合部的尺寸，因而实现了高可靠性的焊剂接合。焊剂接合结构包括：连接焊盘（焊桥型图案），由以预定间距彼此隔开的至少两个图案区域组...

本发明公开了一种压电喷墨打印头及其制造方法。压电喷墨打印头构造成具有两个堆叠并连结的衬底。上衬底由单晶硅衬底或ＳＯＩ衬底形成并包括穿过该上衬底的墨入口。下衬底由ＳＯＩ衬底形成，ＳＯＩ衬底具有第一硅层、中间氧化层和第二硅层顺序堆叠的结构。...

提供了一种具有提高了光提取效率的改进结构的氮化物基半导体发光器件及其制造方法。所述氮化物基半导体发光器件包括在衬底上依次叠置的ｎ－覆层、有源层和ｐ－覆层，其中，所述ｎ－覆层包括第一覆层、第二覆层和插置在所述第一覆层和所述第二覆层之间并由...

本发明公开了一种倒装发光器件，该发光器件包含：衬底、形成于衬底顶面上的ｎ型半导体层、形成于ｎ型半导体层顶面上的有源层、形成于有源层顶面上的ｐ型半导体层、形成于ｐ型半导体层顶面上的ｐ型电极、以及形成于ｎ型半导体层顶面的暴露部分上的ｎ型电极...

本发明提供了用于喷墨头的压电致动器及其制造方法。所述压电致动器形成在振动板上，用于向各个压力室提供驱动力。该压电致动器包括：形成在所述振动板上的下电极；形成在下电极上、处于对应于各个压力室的位置的压电层；形成在下电极上的支撑垫，该支撑垫...

本发明的一个方面的特征在于一种具有凹腔的层叠封装件的制造方法。该方法可以包括：（ａ）在上基板的一侧中形成第一上基板凹腔；（ｂ）将上半导体芯片安装在上基板的另一侧上；（ｃ）在下基板的一侧中形成下基板凹腔；（ｄ）将下半导体芯片安装在形成于下...