三星电机株式会社专利技术

三星电机株式会社共有7934项专利

  • 一种白光发射装置,能够扩大用于实现白光的蓝色LED的波长范围。根据本发明的白光发射装置包括蓝色LED以及设置于蓝色LED上的橙色磷光体与绿色磷光体的混合物。
  • 提供了一种结构被改进以提高光取出效率的氮化物基半导体发光器件及其制备方法。该方法包括如下操作:在衬底上依次形成n盖层、有源层和p盖层;在p盖层的上表面上形成多个掩蔽点;在掩蔽点之间的p盖层部分上形成具有粗糙表面的p接触层;从p接触层的部...
  • 一种发光二极管封装件,用于防止半导体层间的电短路,且具有极好的接合强度。该发光二极管封装件包括:封装基板;发光二极管芯片,其接合至封装基板的上表面;以及接合材料,用于将发光二极管芯片接合至封装基板。该封装基板具有形成于其接合表面中的凹槽...
  • 本发明公开了一种发光二极管封装件,其在热辐射和易于制造方面极为卓越。在该发光二极管封装件中,Al基板具有形成于其上的反射杯。至少一个发光二极管芯片设置于反射杯的底表面上。Al阳极氧化膜延伸穿过Al基板,以将反射杯的底表面分成多个基板电极...
  • 本发明提供了一种具有改进的结构的GaN基半导体发光器件,其中改善了光输出和发光效率。GaN基半导体发光器件包括:n电极;p电极;以及设置在n电极和p电极之间的n型半导体层、有源层和p型半导体层,其中p电极包括:在p型半导体层上由Zn或Z...
  • 一种基于氮化物的半导体LED,包括:衬底;n型氮化物半导体层,形成在衬底上;有源层,形成在n型氮化物半导体层的预定区域上;p型氮化物半导体层,形成在有源层上;透明电极,形成在p型氮化物半导体层上;p型电极焊盘,形成在透明电极上;一对p型...
  • 本发明公开了一种半导体封装板的条结构及其阵列,其中半导体封装板的条结构的空置区域形成为预定形状,以使当将半导体封装板的若干条结构布置在面板上时,可增加布置在面板上的半导体封装板的条结构的数量。
  • 一种表面安装器件型发光二极管(SMD型LED),包括:引线框架,其包括一对引线端子;封装件,引线框架的一部分容纳在其中,该封装件具有发射窗口,开设该发射窗口以使得光线通过该发射窗口而发射;LED芯片,安装在封装件内部的引线框架上;导线,...
  • 一种提高效率和亮度的LED封装件。在该封装件中,本体在其上具有安装部。多个发光二极管芯片安装于该安装部上。安装部具有向上凸起的横截面,并具有非平面的顶部,使得至少两个相邻的发光二极管芯片具有面向不同方向的彼此相对的侧表面。
  • 本发明公开了一种使用LED作为光源的高亮度和高输出的LED封装及其制造方法。该LED封装包括:Al基底,具有形成在其中的凹进的多阶梯反射表面;光源,由安装在反射表面上并与图案化电极电连接的LED构成。该LED封装还包括形成在图案化电极和...
  • 一种发光二极管(LED)芯片,包括:基板;以及发光结构,该发光结构包括依次沉积在基板上的第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层,其中,当基板的长度为L,且基板的宽度为W时,L/W>10。
  • 本发明提供了一种LED封装件及其制造方法。该LED封装件包括由热和电导体制成的第一和第二引线框架,每个引线框架均包括平坦底座以及从该底座沿相反方向和朝上方向延伸的延伸部。该封装件还包括由树脂制成的封装件主体,并且该封装件主体被构造成环绕...
  • 一种制造电极图案的方法,包括:    准备第一支撑膜;    在所述第一支撑膜的一个表面上形成脱模剂图案,所述脱模剂图案限定内部电极形成区域;    通过使用薄膜技术,在所述脱模剂图案上形成电极层;    准备第二支撑膜;    在所述...
  • 一种氮化物基半导体LED,包括:衬底;n-型氮化物半导体层,形成在衬底上;活性层,形成在n-型氮化物半导体层的预定区域上;p-型氮化物半导体层,形成在活性层上;p-电极,形成在p-型氮化物半导体层上,该p-电极具有p-型分支电极;p-型...
  • 在半导体芯片中,本体具有其上形成有图案的顶表面、与顶表面相对的下表面以及多个侧表面。多个电极焊盘形成于本体的顶表面上,以连接至外部端子。屏蔽导电膜形成于本体的除形成有图案的顶表面之外的表面上。导电过孔延伸穿过本体,以连接一个电极焊盘和导...
  • 一种系统级封装(SIP)模块。该模块包括印刷电路板,该印刷电路板中形成有至少一个腔体。该模块还包括安装在腔体中的至少一个第一器件以及形成在该腔体底表面上并电连接至第一器件的电路图案。该模块还包括安装在与腔体底表面相对应的印刷电路板表面上...
  • 一种氮化物基半导体LED,包括:阳极;第一p型包覆层,具有与阳极相接触的第二n型包覆层,该第一p型包覆层形成于阳极下方,从而第一p型包覆层的一部分与阳极相接触;活性层,形成在第一p型包覆层下方;第一n型包覆层,具有不与活性层相接触的第二...
  • 本发明公开了一种电子元件封装件及其制造方法。制造电子元件封装件的方法包括:在第一载板上形成突部;在第一载板上堆叠绝缘层以及在绝缘层的表面上形成包括焊垫和焊球垫的电路图案;将电子元件安装在绝缘层的表面上并且将电子元件和焊垫电连接;以及移除...
  • 一种发光晶体管,包括:第一导电型集电极层,形成于基板上;第二导电型基极层,形成于所述集电极层的预定区域上;集电极,形成于所述集电极层上未形成有所述基极层的区域上;第一导电型发射极层,形成于所述基极层的预定区域上;基电极,形成于所述基极层...
  • 本发明提供了顶部发射N基发光器件及其制造方法。所述N基发光器件包括在衬底上顺序叠置的n型覆层、有源层、p型覆层和透明导电薄。所述透明导电薄膜具有通过湿法蚀刻然后退火且没有使用掩模而被纳米级图案化的表面,以改善光提取率。通过应用具有使用湿...