在ＢＧＡ封装及其制造方法中，接合垫的敞开区域被蚀刻到达到焊料掩模下方的一深度，以给出在底部中央平坦并且在外围倾斜的被蚀刻部分。以被蚀刻部分的此结构，接合垫为焊料提供增加的接合面积，从而使ＢＧＡ封装基板的可靠性被提高，从而显示出优良的界面...

本发明提供一种用于ＬＥＤ光源的透镜，其允许从ＬＥＤ光源发射的光以垂直于该透镜的垂直中心轴的方向射出透镜。本发明的透镜包括内部空间，其被限定在具有底面和上反射面的透镜体中，使得穿过内部空间的光在内部空间和透镜体之间的边界面的一部分（选择性...

公开了一种多波长光接收元件。该多波长光接收元件包括第一类型基片。第一本征层被放置在第一类型基片上。重掺杂第二类型埋藏层被放置在第一本征层上，并且第二本征层被放置在重掺杂第二类型埋藏层上。多个重掺杂第一类型指被浅嵌入在第二本征层中。第一类...

本发明公开了一种微镜阵列和制造该微镜阵列的方法。制造用在控制光学元件的光路中的微镜阵列的方法，包括：形成至少一个定位图案，其中，微镜将被设置在基板上；在定位图案中设置具有至少一个反射表面的微镜。

本发明公开了一种多芯片模块，其有助于在其中包括大容量无源元件并显示了较好的机械性能。多芯片模块包括：基于有机材料的层压基板，在其中插入高介电常数陶瓷层；至少一个射频／中频有源电路芯片，连接到该基板并且被设置为执行两个或更多射频／中频功能...

本发明涉及一种用于金属表面上形成的有机涂膜（例如有机可焊保护膜）的厚度测量方法。在此方法中，测量形成于第一金属表面上的至少一个参考有机涂膜的吸收光谱，以及由吸收光谱来计算预定波长范围内的吸收强度。通过破坏性测量来测量参考有机涂膜的厚度。...

这里所公开的是一种适合在光学拾取再现装置中使用的光检测器，其能够在高速度下以高效率检测来自具有大容量的存储介质，如ＢＤ的短波长的光（如大约４０５ｎｍ的光），以及这种光检测器的制造方法。

公开了一种具有半－刻蚀键合焊盘和切割电镀线的ＢＧＡ封装及其制造方法。在ＢＧＡ封装中，在设计步骤切割电镀线，以使用半－刻蚀形成预定的不均匀键合焊盘，由此增加键合焊盘和焊球之间的接触面积。因此，保证键合焊盘的优异表面性能和良好的点滴测试特性...

本发明公开了一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法和装置。该方法包括：将预备衬底放置在反应室中所安装的基座上；在预备衬底上生长氮化物单晶层；以及进行激光束照射，以在将预备衬底放入反应室的条件下，将氮化物单晶层与预备衬底分离。

本发明提供一种半导体发光器件以及制造该半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括衬底、位于所述衬底上且通过堆叠半导体材料层形成的至少两个发光单元、顺序堆叠在该发光单元之间的反射层和透明绝缘层、以及覆盖该发光单元的上表面的透明电极。

本发明涉及一种ＬＥＤ封装框架和含有该ＬＥＤ封装框架的ＬＥＤ封装。该ＬＥＤ封装框架包括：ＬＥＤ芯片；导热构件，由一块高导热材料制成，在侧部具有容纳部分，并装配有ＬＥＤ芯片；引线，一端插入导热构件的容纳部分，并电连接到ＬＥＤ芯片；电绝缘层，...

本发明涉及一种用于ＬＣＤ背光单元中的侧光ＬＥＤ封装。该侧光ＬＥＤ封装包括：ＬＥＤ芯片；条状引线框架，具有形成在其侧边缘中的齿结构。ＬＥＤ芯片装配在引线框架的表面上。一体的封装主体由树脂制成，且包括具有用于容纳ＬＥＤ芯片的腔体的中空的前一...

本发明提供了一种ＬＥＤ外壳，在该ＬＥＤ外壳中，导热部分具有芯片安装区域、与芯片安装区域相对的热连接区域和这两个区域之间的颈部。固定部分具有与颈部结合的第一端。电连接部分具有邻近于芯片安装区域布置的导线连接区域和与导线连接区域连接的外部电...

本发明提供了一种ＬＥＤ外壳及其制造方法。在该ＬＥＤ外壳中，导热部分具有芯片安装区域、与所述芯片安装区域相对的热连接区域和邻近于所述热连接区域形成的槽。电连接部分具有位于邻近于芯片安装区域的位置上的布线区域和通向布线区域的外部电源连接区域...

本发明涉及一种具有矩形俯视外形的氮化物半导体发光器件，其中ｎ电极和ｐ电极结果被适当地形成，以改善电流的传播并增强亮度。该发光器件包括：ｎ型氮化物半导体层，形成于衬底上；以及ｎ电极，包括ｎ侧焊盘和从ｎ侧焊盘延伸出的指型ｎ电极。该器件还包括...

本发明提供了一种具有改善的外部量子效率和亮度的第Ⅲ族氮化物发光器件。该发光器件包括依次形成的ｎ型镀层、有源层、和ｐ型镀层。而且，在ｐ型镀层上形成ｐ电极，其中，ｐ电极包括在ｐ型镀层上依次形成的ＣｕＩｎＯ↓［２］层、透明导电氧化物层、和反射...

本发明提供了一种ＬＥＤ封装和包含该ＬＥＤ封装的背光装置。ＬＥＤ封装具有底表面和从底表面围绕该封装的中心轴柱形延伸的光出射表面。另外，光反射表面位于底表面的相对侧并围绕所述的中心轴对称，使得从底表面入射的光被反射向光出射表面。此外，散射区...

本发明涉及用于波长转换的磷光体混合物以及使用该混合物的白光发射装置。本发明的磷光体混合物包括三种磷光体Ａ↓［５］（ＰＯ↓［４］）↓［３］Ｃｌ：Ｅｕ↑［２＋］、Ｄ↓［２］ＳｉＯ↓［４］：Ｅｕ、以及ＭＳ：Ｅｕ的组分，其中将近紫外线辐射转换成...

本发明涉及一种摄像模块，更具体来说，涉及一种摄像模块，其通过改变接合到ＰＣＢ的壳体的结构而被微型化，该ＰＣＢ之上引线结合了标准化图像传感器，以及涉及一种制造该摄像模块的方法。该摄像模块包括：ＰＣＢ，图像传感器通过引线结合部连接到ＰＣＢ；...

本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，ｎ型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在ｎ型氮化物半导体层上。而且ｐ型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在ｐ型氮化物半导体层和ｎ型氮化物半导体层之间，并包括量子...