一种垂直的ＧａＮ基ＬＥＤ的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠ｎ－型ＧａＮ基半导体层、有源层、以及ｐ－型ＧａＮ基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成ＬＥＤ单元；在各个所述分割的发光结构上形成ｐ－电极；在所...

本发明公开了一种机械品质因数Ｑ↓［ｍ］和机电耦合因数Ｋｐ优异的压电陶瓷组合物和由其制得的高输出功率的压电变压器。该压电陶瓷组合物包含：Ｐｂ↓［１－ａ］Ｓｒ↓［ａ］［（Ｎｉ↓［１／２］Ｗ↓［１／２］）↓［ｂ］（Ｍｎ↓［１／２］Ｎｂ↓［２／...

本发明公开了一种介电常数、机械品质因数Ｑ↓［ｍ］和机电耦合因数Ｋ优异ｐ的压电陶瓷组合物和由其制得的高输出功率的压电变压器。该压电陶瓷组合物包含：Ｐｂ［（Ｓｂ↓［１／２］Ｎｂ↓［１／２］）↓［ｘ］（Ｚｒ↓［０．４９５］Ｔｉ↓［０．５０５］...

在用于荧光灯的压电变压器中，在第一表面上各侧边中央区域处的电极尺寸小于在角落区域的电极尺寸。结果，将在压电块内产生的应力减至最小，防止了由应力引起的热，从而防止压电块的损伤和效率的降低。输入电极能够做成各种形状，例如，菱形、十字形和斜方形。

提供一种制备半导体衬底的方法。本方法包括第一步在ＧａＮ衬底上形成凹凸部分，以及第二步以快致横向生长的ＧａＮ薄膜覆盖垂直生长的ＧａＮ薄膜的横向生长速度，在ＧａＮ衬底上形成ＧａＮ薄膜，以便凹凸部分为ＧａＮ薄膜所覆盖。

在此公开了一种用于ＳＭＤ封装的引线接合方法。引线接合方法包括将其引线定位表面朝上地放置封装体的步骤。利用观察系统将带有焊料的引线布置在封装体的引线定位表面上。将引线点焊到封装体上以将引线固定到封装体。将与引线点焊在一起的封装体引线朝下布...

本发明公开了一种简单易行地制造板式磁阻感测片的方法。首先，在整个玻璃片上淀积一层成分为ＮｉＣｏ和ＮｉＦｅ的特性膜，曝光，蚀刻成预定的图形以形成感测部件。然后，通过在整个玻璃片上淀积一层ＳｉＯ↓［２］膜，将ＳｉＯ↓［２］膜曝光，将ＳｉＯ↓...

本发明公开了一种带有节点识别图案的压电变压器，所述节点识别图案用于标识各节点供肉眼识别，在这些节点将输入电极和输出电极电连接到外部，从而能够在手工导线焊接过程中容易地将输入电极和输出电极电连接到外部。并使得导线焊接过程能够自动地进行，而...

本发明公开了一种可以很容易地实现外部电连接以及电极的极化，同时获得稳定的输出特性的压电变压器。上述压电变压器包括压电元件，上述压电元件具有：两个相对的矩形主表面，即第一和第二表面；以及连接第一和第二表面的四个侧表面。上述压电元件沿纵向被...

一种芯片封装，包括： 芯片，具有带有第一端子的第一表面、带有至少一个第二端子的第二表面以及放在第一和第二表面间的侧壁，其中第二表面与第一表面相对； 在所述芯片的第一表面上形成的第一导电层； 在所述芯片的第二表面上形成的...

一种芯片封装，包括： 芯片，具有带有第一端子的第一表面和带有至少一个第二端子的第二表面，第二表面与第一表面相对； 第一衬底，安排在所述芯片的第一表面上并具有连接到第一端子的第一导电通孔；和 第二衬底，安排在所述芯片的第...

本发明公开了一种芯片比例封装和制造芯片比例封装的方法。芯片比例封装包括在芯片的上表面和下表面上形成的具有指定深度的导电层、在导电层的相同侧面上形成的并连接到印刷电路板的相应连接焊盘上的电极面。在整个封装尺寸上使芯片比例封装小型化。另外，...

公开了一种芯片比例封装以及制造该芯片比例封装的方法。芯片比例封装包括形成在绝缘层上并通过指定距离使彼此分开以便连接到两个端子的每一个上的第一和第二导电层，形成在芯片的第二表面上以便连接到芯片的第二表面的端子的第三导电层，以及形成在第一、...

本发明将提供以如下内容为特征的微惯性传感器，它包括：下玻璃基片；包括上述下玻璃基片上用来检测第一边缘和第一固定点以及侧面运动检测结构物在内的下硅层；包括分别对应于上述下硅层的第一边缘部、第一固定点及侧面运动检测结构物的第二边缘部、经内设...

公开了一种制造陶瓷芯片封装的方法，其中包含细小陶瓷颗粒的环氧树脂被施加到其上装有分别具有多个芯片的芯片封装的陶瓷衬底，从而提高了封装的可靠性和耐久性并最小化了封装的尺寸。该环氧树脂被施加到具有多个装在其上的芯片的除了指定区域之外的陶瓷衬...

本发明揭示了一种具有延伸到接触压电变压器并弹性支持压电变压器的引线架的外壳以及一种制造该外壳的方法。该外壳具有：上部外壳部分，至少具有两个凸出弹性支持压电变压器的第一引线架；以及下部外壳部分，至少具有两个凸出弹性接触压电变压器下表面的输...

一种具有变焦距功能的图像传感器组件，包括： 第一和第二滚筒，分别固定用于图像捕获的聚光器； 外壳，具有位于其侧壁上的导向槽，并且该外壳可移动地且稳固地在导向槽内容纳第一和第二滚筒的第一延伸部分，使得该第一和第二滚筒可沿着聚光...

一种发光二极管，包括：　　　　一基底；　　　　一形成在该基底上的Ｎ型化合物半导体层；　　　　一形成在Ｎ型化合物半导体层上的有源层；　　　　一形成在有源层上的Ｐ型化合物半导体层；　　　　一与Ｎ型化合物半导体层接触的Ｎ型电极；以及　　　　一...

公开了一种通过垂直堆叠和烧结多个陶瓷衬底形成的陶瓷多层衬底，其中连接条纵向形成在每个陶瓷衬底的内部图形和外部端子之间的连接区域上，从而避免了在处理外部端子的过程中内部图形的金属导电层的变形，并稳定地将内部图形连接到了外部端子，以及制造该...

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：　　　　（ａ）在衬底上顺序叠置第一半导体层、掩模层和金属层；　　　　（ｂ）使该金属层阳极氧化以将该金属层转变成包括多个纳米孔的金属氧化物层；　　　　（ｃ）利用该金属氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻该掩模层，...