本发明涉及一种倒装型氮化物半导体发光器件，其具有ｐ型和ｎ型氮化物半导体层，以及在其中间的有源层。本发明还具有：欧姆接触层，形成在ｐ型氮化物半导体层上；透光导电氧化物层，形成在欧姆接触层上；以及高反射金属层，形成在透光导电氧化物层上。

本发明涉及一种使用金凸点和喷墨打印技术的倒装芯片方法。所述倒装芯片方法包括：在半导体芯片上形成金凸点；利用喷墨打印技术将焊料墨印刷在基板的第一焊盘上；将半导体芯片安装到基板上，以使金凸点和第一焊盘接触；以及回流焊该基板。本发明可以降低加...

本发明提供了一种制造ＬＥＤ封装的方法，用于容易地制造具有优良热辐射特性的ＬＥＤ封装。在该方法中，制备具有凹部和形成于凹部中的反射面的金属封装基板；将封装基板选择性地阳极氧化并分成彼此分开的两个封装电极部。然后在凹部的底部上安装发光器件。...

提供了一种用于液晶显示器（ＬＣＤ）的采用发光二极管（ＬＥＤ）的背光单元。该背光单元包括蓝色光源、红色光源和绿色光源。该绿色光源包括紫外（ＵＶ）ＬＥＤ以及由ＵＶ　　ＬＥＤ发出的光激励的绿色荧光体。

本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近ｎ型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成ｎ型氮化物半导体层、有...

本发明涉及一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件包括衬底；在衬底上形成的ｎ型氮化物半导体层；在ｎ型氮化物半导体层上形成的有源层；在有源层上形成的ｐ型氮化物半导体层；在ｐ型氮化物半导体层上形成的透明电极；形成以连接在透明电极上的...

本发明提供了一种制造欧姆接触层的方法和制造具有该欧姆接触层的顶发射型氮化物基发光器件的方法。制造欧姆接触层的方法包括：在半导体层上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成包括多个纳米尺寸岛的掩模层；在所述第一导电材料层上和掩模层中...

本发明涉及使用晶片结合或金属结合的单片白光发射器件。在本发明中，设置了导电底座衬底。第一发光体通过金属层结合到导电底座衬底上。在第一发光体中，由底到顶依次层叠了ｐ型氮化物半导体层、第一有源层、ｎ型氮化物半导体层、和导电衬底。另外，第二发...

本发明涉及一种具有静电放电损坏防护功能的高亮度ＬＥＤ。具有静电放电损坏防护功能的高亮度ＬＥＤ包括：引线框，包括一对正负极引线；封装件，由合成树脂制成，在其中容纳有引线框的一部分；ＬＥＤ芯片，安装在封装件内部的引线框的上表面上；静电放电损...

本发明涉及一种具有金属反射层的ＬＥＤ封装及其制造方法，其中，金属反射层用于使光聚焦并通过该封装的一面发射。该ＬＥＤ封装包括：基底，在其上形成有电极；发光二极管芯片，设置在基底上；密封体，覆盖ＬＥＤ芯片和基底，以保护ＬＥＤ芯片。该ＬＥＤ封...

本发明提供了一种半导体封装板，其中，空白区形成有具有预定形状的铜图案，从而防止整个半导体封装板弯曲。本发明的技术特征是，铜图案包括沿半导体封装板纵向延伸的梁部分以及沿半导体封装板横向延伸的筋部分。

本发明提供了一种具有向侧面开放的ＬＥＤ窗口以向侧面发光的侧光ＬＥＤ。一对引线框架各用作接线端。ＬＥＤ芯片附于引线框架的一部分上并电连接到引线框架。封装体容纳引线框架并具有在ＬＥＤ芯片周围形成的凹陷。此外，高反射金属层被整体地形成在凹陷的...

本发明涉及一种氮化物发光装置，该发光装置包括第一和第二导电型氮化物层以及多个发射不同波长的光的活性区。该活性区依次形成在该第一和第二导电型氮化物层之间。该活性区包括至少一个具有多个第一量子阻挡层和量子势阱层的第一活性区，以及发射波长大于...

本发明提供了一种用于液晶显示器的背光单元。该背光单元包括：面光源；漫射片，均匀地漫射来自面光源的入射光；聚光片，聚集被漫射片漫射的光。该面光源包括：第一ＬＥＤ布置，其中，两个绿色ＬＥＤ、一个红色ＬＥＤ和一个蓝色ＬＥＤ以这种次序布置；第二...

提供了一种发光二极管（ＬＥＤ）及其制造方法，ＬＥＤ具有实现更高的发光效率和更好的光输出性能的改进结构。ＬＥＤ包括：在衬底上形成的ｎ－ＧａＮ层，其具有多个突起，因而具有非均匀表面，其中，突起的侧面相对于衬底的上表面倾斜第一倾斜角α（３５°...

本发明涉及一种倒装芯片ＢＧＡ板，其中去除板的每个角，以使其在制造过程中由于受热而产生的翘曲降低到最小程度。本发明的实施例通过防止板的翘曲而允许制造薄板，并且由于降低了芯片与板分离的危险，可提供高可靠性的板。

本发明提供了一种侧光式ＬＥＤ，该侧光式ＬＥＤ包括：基底；第一金属层和第二金属层，均具有以预定间隙彼此分隔并分别位于绝缘基底的上表面和下表面上的第一区和第二区。第一电连接件和第二电连接件形成在绝缘基底的厚度方向上，将第一金属层的第一区连接...

本发明涉及一种使用漫射体的用于促进颜色混合的ＬＥＤ封装件及其制造方法。所述ＬＥＤ封装件包括：基底，在其上形成有电极；ＬＥＤ芯片，安装在基底上。所述ＬＥＤ封装件还包括密封剂，涂敷在所述发光二极管芯片周围，所述密封剂含有漫射体。所述ＬＥＤ封...

提供的是一种具有单片保护元件的发光装置和发光装置的制造方法。发光装置包括：发光器，其具有一个阴极和一个阳极；电阻式保护元件，其通过阴极和阳极与发光器连接。这里，电阻式保护元件的电阻Ｒｓ的阻值介于发光器电流的正向电阻Ｒｆ和反向电阻Ｒｒ之间。

本发明涉及一种具有由导电纳米棒形成的透明导电低指数层的全向反射器和采用该全向反射器的发光二极管。该全向反射器包括：由导电纳米棒形成的透明导电低指数层；和由金属形成的反射层。