基于氮化物的半导体发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及基于氮化物的半导体ＬＥＤ，其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上，包括：基板；形成在基板上的发光结构；形成在发光结构上的电极；保护膜，其形成在所获得的具有在其中形成有电极的结构上，该保护膜暴露电极表面，该电极表面对应于通过凸起焊球连接至衬底的引线图案的部分；以及栅格形缓冲膜，其形成在通过保护膜暴露的电极表面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于氮化物的半导体发光二极管(LED)。在该基于氮化物的半导体LED中，当实施倒装芯片连接工艺(flip-chipbonding process)时，能防止芯片的发光区免受大于临界值的凸起焊球(bump ball)的过量加载的损坏。
技术介绍
由于基于氮化物的半导体如GaN等具有优异的物理和化学性能，所以它们被认为是发光二极管(例如发光二极管(LED)或激光二极管(LD))的基本材料。具体地，基于氮化物的半导体LED能产生蓝光或绿光以及紫外光，并且其亮度由于技术的发展而被快速地增加。因此，基于氮化物的半导体LED被应用于彩色(全色，full-color)显示面板、发光装置等。基于氮化物的半导体LED由具有组成式为InXAlYGa1-X-YN(0≤X，0≤Y，X+Y≤1)的氮化物半导体材料制成，以便获得蓝光或绿光。考虑到晶格匹配，基于氮化物的半导体晶体在用于生长单晶的基板如蓝宝石基板上进行生长。具体地，由于蓝宝石基板是电绝缘基板，所以最终的基于氮化物的半导体LED具有这样的结构，其中p电极和n电极均在相同的表面上形成。因为这样的结构特性，基于氮化物的半导体LED以适于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于氮化物的半导体发光二极管（ＬＥＤ），其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上，所述基于氮化物的半导体发光二极管包括：基板；发光结构，形成在所述基板上；电极，形成在所述发光结构上；保护膜，形成在所获得的具有在其中形成有所述电极的所述结构上，所述保护膜暴露所述电极表面，其中所述电极表面对应于通过所述凸起焊球连接至所述衬底的所述引线图案的部分；以及栅格形缓冲膜，形成在通过所述保护膜暴露的所述电极表面上。

【技术特征摘要】
KR 2005-10-17 10-2005-00974071.一种基于氮化物的半导体发光二极管(LED)，其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上，所述基于氮化物的半导体发光二极管包括基板；发光结构，形成在所述基板上；电极，形成在所述发光结构上；保护膜，形成在所获得的具有在其中形成有所述电极的所述结构上，所述保护膜暴露所述电极表面，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赫民，申贤秀，金昌完，金容天，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]