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三星电机株式会社专利技术
三星电机株式会社共有7934项专利
主轴电机制造技术
本发明涉及一种主轴电机,其包括:转轴、固定到转轴上并使得转轴转动的转子盖、用于可旋转支承转轴的轴承、保持轴承的保持架、以及直接安装到转子盖的内壁上的保持磁体。在本发明中,保持磁体位于轴承之上,以防止油从轴承泄漏到外面。
振动电机制造技术
本发明公开了一种振动电机。振动电机包括:基座和壳体,形成内部空间;轴,可旋转地插在基座和壳体内;转子,插入到轴上,并构造成可旋转,转子包括多个绕线圈和连接到绕线圈的换向器;配重,沿转子的外围安装;电刷,与换向器相接触,并定位于基座上;以...
振动电机制造技术
本发明公开了一种振动电机,包括:基座和壳体,形成内部空间;轴,可旋转地插在基座和壳体内;转子,插入到轴上,并构造成可旋转,转子包括多个绕线圈和连接到绕线圈的换向器;配重,安装到转子的下表面;电刷,与换向器相接触,并定位于基座上;以及磁体...
具有多个密封部的主轴电动机制造技术
一种主轴电动机,具有多个密封部,所述主轴电动机包括: 旋转部分,用于旋转安装于其上的记录介质; 固定部分,用于可旋转地支承所述旋转部分;以及 密封件,固定于所述固定部分,以便结合至所述旋转部分与所述固定部分之间的轴承部...
以液体填充液体动压轴承的系统和方法技术方案
本发明公开了一种以液体填充液体动压轴承的系统和方法。本发明的液体填充系统100包括:真空容器110,用于在其中容纳液体动压轴承10;泵111,密封地连接到真空容器110,并将空气从真空容器110排出到外部;超声波发生器140,用于在真空...
主轴电机制造技术
本发明提供了一种主轴电机。主轴电机(100)包括:转子壳体(142),用于旋转记录介质;旋转轴(141),固定地安装于转子壳体(142);轴承(115),用于可旋转地支撑旋转轴(141);轴承保持件(113),用于固定地支撑轴承,具有围...
主轴电机制造技术
本发明提供一种主轴电机。该主轴电机包括:装备有管状固定器的框架,管状固定器安装于框架中心以使管状固定器向上伸出,其中芯部安装在固定器的外圆周表面上;装配于管状固定器中的轴承,该轴承被分成为上部和下部,其中外部凹槽沿轴承上部与下部之间的界...
用于移动设备的致动器制造技术
本发明提供了一种用于移动设备的致动器,包括:保持件,具有沿其内侧表面缠绕的线圈;驱动单元,被插入到保持件中,使得驱动单元的四个侧表面与保持件的侧壁以预定距离间隔开,该驱动单元具有连接于其各侧表面的磁体;一对悬线,彼此对称地安装在驱动单元...
电机制造技术
本发明公开了一种电机。该电机包括:固定件;连接于固定件的转动件,该转动件关于假想的转动轴线转动;板,连接于转动件或安装在转动件上以支撑该转动件;盖帽,覆盖该板的至少一部分,以在板与盖帽之间形成预定空间;以及流体,放置在板与盖帽之间的空间...
功率因子校正变换器制造技术
本发明的PFC变换器包括桥式整流器;改善上述桥式整流器的功率因数的升压器;把上述升压器的输出从原边线圈感应到副边线圈上的变压器;对上述升压器的输出进行开关的开关部;对上述变压器的副边输出进行整流和平滑的输出部;检测上述输出部的输出电压并...
两波长半导体激光器件及其制造方法技术
在此公开了一种两-波长半导体激光器件。该两-波长半导体激光器件包括具有在其上彼此隔开的第一和第二区的第一导电材料衬底,在第一区上形成的第一半导体激光二极管,在第一导电材料衬底的第二区域上形成并包括与第一半导体激光二极管相同层的非有源层,...
多波长激光二极管制造技术
本发明涉及一种多波长激光二极管,其中振荡结构包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的半导体衬底和下覆层、有源层以及脊部;在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层,以及第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率...
脊形波导半导体激光二极管及其制作方法技术
提供了一种脊形波导半导体激光二极管及其制作方法。在半导体激光二极管中,其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上,第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面,其折射率低于有源层,半导体激光二极管经脊形部分与...
GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法技术
在此提供一种GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极,在它们之间夹着高阻蚀基片,以及用于产生激光或发光的材料层,第二电极与通过高阻蚀性基片...
具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法技术
提供了GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法。GaN系列表面发射激光二极管包含:有源层;有源层的相对侧面上的p型和n型材料层;形成在n型材料层上的第一分布布喇枚反射器(DBR);通过n型材料层与有源层连接的n型电极,以便为了发射激光给...
用于控制载流子内流路径的宽度的半导体激光二极管制造技术
提供一种用于控制载流子内流路径宽度的半导体激光二极管。该半导体激光二极管包括在p型电极和n型电极之间用于产生激光的p型材料、活性层和n型材料层,该p型电极与p型材料层受限制地接触。其中包含载流子内流宽度控制器,用于控制从p型电极流到活性...
分离半导体激光二极管的方法技术
本发明公开了一种分离半导体激光二极管的方法。在该方法中,在一衬底上形成n型化合物半导体层。在n型化合物半导体层上形成具有n型化合物半导体层的多个半导体激光二极管,使得半导体激光二极管的激光发射区彼此相连。在半导体激光二极管和用于彼此连接...
具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法技术
一种半导体激光二极管,包括: 衬底; 第一材料层,沉积于该衬底上; 有源层,沉积于该第一材料层上,并且发射激光光束;以及 第二材料层,沉积于该有源层上,并且包括相对该有源层垂直地凸出的脊形部分,以及通过向该脊形部...
半导体光电子器件制造技术
一种半导体光电子器件,包括: 有源层; 设置在所述有源层上方的上部波导层,和设置在所述有源层下方的下部波导层; 设置在所述上部波导层上方的上部包覆层,和设置在所述下部波导层下方的下部包覆层; 支撑所述下部包覆层、...
半导体发光二极管及其制造方法技术
一种半导体发光二极管,包括: 衬底,其上顺序堆叠有n型半导体层、有源层和p型半导体层;以及 p型电极,其包括形成在p型半导体层上的第一金属层、以及形成在第一金属层上并反射自有源层产生的光的第二金属层。
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