脊形波导半导体激光二极管及其制作方法技术

提供了一种脊形波导半导体激光二极管及其制作方法。在半导体激光二极管中，其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上，第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面，其折射率低于有源层，半导体激光二极管经脊形部分与一个电极接触，其中的脊形部分的侧面至少做成不同梯度的两部分。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到半导体激光二极管及其制作方法，更确切地讲，涉及到。
技术介绍
半导体激光器广泛地用于通讯领域如光通讯，或如CD播放器(CDP)、DVD播放器(DVDP)之类的设备作为传输数据或读写数据的工具。如上所述，由于各种原因半导体激光器得到了广泛应用，尤其是，例如它有能力将激光器特性保持在适当的有限空间中，这就使之能小型化，更重要的是它具有产生激光振荡的小临界电流值。由于能使用半导体激光器的工业领域增多，对半导体激光器的需要增大，具有小临界电流值的半导体激光器也就有了良好的销路。因此，已开发了或已在开发降低临界电流值的半导体激光器。图1表示上述半导体激光器的一个实例，图中表示带有脊形波导以降低激光振荡临界电流值的常规半导体激光二极管。参见图1，在蓝宝石衬底10上有一n-GaN层12。n-GaN层12可分为第一区R1和第二区R2。在第一区R1上相继形成n-AlGaN/GaN层24、n-GaN波导层26、有源层(InGaN层)28、p-GaN波导层30和p-AlGaN/GaN层32。n-AlGaN/GaN层24和p-AlGaN/GaN层32的折射率低于n-GaN波导层26和p-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光二极管，其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上，第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面，其折射率低于有源层，半导体激光二极管经脊形部分与一个电极接触，脊形部分的侧面至少做成不同梯度的两部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭准燮，赵济熙，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]