多波长激光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种多波长激光二极管，其中振荡结构包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的半导体衬底和下覆层、有源层以及脊部；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，以及第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率的金属制成。在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属层由在预定波长下的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。多波长激光二极管可以改进反射层结构，以在全部可见光范围中实现高反射率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多波长激光二极管，更具体涉及可以改进反射层结构以便在整个可见光范围内实现高反射率的多波长激光二极管。
技术介绍
激光二极管被用作用于各种存储的光学拾取，以便响应于电流的施加产生光。激光二极管在振荡层的一端上需要高反射率镜面或反射面，以便获得高功率激光束，其中制造这种反射面需要涂敷高反射性薄膜。为了产生这种高反射薄膜，迄今为止已进行了各种研究。图1是常规激光二极管的透视图；图2是沿图1的线II-II的剖面图，以及图3是沿图1的线III-III的另一剖面图。参考图1至3，激光二极管10包括用于产生光的振荡结构12、在振荡结构12的顶侧和下侧上分别涂敷的p-金属层26和n-金属层28、在振荡结构12的一端上形成的高反射率的反射层30以及在与反射层30相对的振荡结构12的另一端上形成的抗反射层40。振荡结构12包括在半导体衬底14上依次形成的下覆层16、有源层18、上覆层20和上帽盖层24。上覆层20具有在其中心上部中形成的脊部20a，以便在脊部22a的两侧形成非有源区22，如电流阻挡层。当正向电压施加到具有上述振荡结构12的激光二极管10的p-和n-金属层26和28时，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多波长激光二极管包括：包括半导体衬底和在半导体衬底上依次形成的下覆层、有源层以及脊部的振荡结构；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，第一金属层由在至少预定波长下的第一波长范围中具有高反射率的金属制成； 以及在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属由在预定波长下的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张泰盛，崔熙石，曹相德，全东珉，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]