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多波长激光二极管制造技术
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文档序号:3317822
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本发明涉及一种多波长激光二极管,其中振荡结构包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的半导体衬底和下覆层、有源层以及脊部;在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层,以及第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率的金...
该专利属于三星电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电机株式会社授权不得商用。
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