多波长半导体激光装置制造方法及图纸

技术编号:3987506 阅读:168 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种光学设计简单、散热特性优良,且容易制造的多波长半导体激光装置。多波长半导体激光装置(100)构成为具备:板状的管座(10);底面承载于管座(10)上的柱状的副座架(21);设置在副座架(21)侧面上并且振荡波长不同的多个LD(31~33);以及贯穿管座(10)地设置并且配置在与副座架(21)侧面的棱角线(21a~21c)对置的位置的引脚端子(41~43),多个LD(31~33)的各发光点(31a~33a)到管座(10)的中心轴(10z)之间的距离实质上相等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发射不同波长的光的多波长半导体激光装置
技术介绍
现今,⑶、DVD、BD (Blu-ray Disc 蓝光光盘)等光盘作为大容量的记录介质被大 量采用。而用于这些光盘的记录和/或再现的激光二极管(以下,称为“LD”)的各振荡波 长是不同的,⑶用LD的振荡波长为780nm波段(红外),DVD用LD的振荡波长为650nm波 段(红色),BD用LD的振荡波长为405nm波段(蓝紫色)。因此,为了用一个光盘装置来 处理⑶、DVD及BD的信息,需要有红外、红色及蓝紫色这三种光源。有一种传统的多波长半导体激光装置,是在散热器上设置的蓝紫色LD上粘接并 置红色LD和红外LD,从而能够使用一个光盘装置来处理⑶、DVD及BD上的信息(例如,参 考专利文献1)。另外,还有一种多个LD的阵列,是在可弯曲的副座架(submount)上安装了多个 LD,将副座架弯曲成使安装的LD在内侧的三角柱形状,以此让多个LD光源相互靠近(例 如,参考专利文献2)。专利文献1 日本特开2006-59471号公报(图4)专利文献2 日本特开平8-111562号公报(图2)
技术实现思路
但是,在专利文献1记载的多波长激光装置中,因为红外LD和红色LD粘接地配置 在蓝紫色LD上,所以存在无法将红外LD和红色LD动作时产生的热量有效地散热到散热器 的问题。另外,存在难以使红外LD、红色LD和蓝紫色LD的发光点到组件中心的距离相等, 且光学设计变得复杂的问题。另外一方面,在专利文献2中记载的LD阵列中,能够使各LD发光点到组件中心的 距离相等,但是因为LD配置在弯曲成三角柱形状的副座架的内侧,所以对LD的布线作业变 得复杂,存在布线工序需要时间的问题。本专利技术为了解决上述问题而构思,提供一种光学设计简单、散热特性优良,且容易 制造的多波长半导体激光装置。本专利技术的多波长半导体激光装置,其特征在于具备板状的管座;柱状的副座架, 其底面承载于上述管座上;振荡波长不同的多个(复数个)激光二极管,设置在上述副座架 的侧面上;以及引脚端子,该引脚端子贯穿上述管座地设置,并且配置在与上述副座架侧面 的棱角线对置的位置,使上述多个激光二极管的发光点和上述的管座的中心轴的距离实质 上相等。根据本专利技术,能得到光学设计简单、散热特性优良,且容易制造的多波长半导体激 光装置。附图说明图1是表示本专利技术实施方式1中多波长半导体激光装置的结构的斜视图。图2是表示本专利技术实施方式1中多波长半导体激光装置的结构的俯视图。图3是表示本专利技术实施方式1中多波长半导体激光装置的变形例的结构的俯视 图。图4是表示本专利技术实施方式2中多波长半导体激光装置的结构的俯视图。图5是表示本专利技术实施方式3中多波长半导体激光装置的结构的俯视图。具体实施例方式实施方式1关于本专利技术的实施方式1的内容,参考图1和图2进行说明。图1中的多波长半导体激光装置100具备利用金属板材形成的圆板状的管座 (stem) 10 ;底面承载于管座10的上表面的正六角柱状的副座架21 ;设置在副座架21侧面 上的3个LD31 33 ;贯穿管座10地设置并且在与副座架21的棱角线21a 21c对置的 位置配置的3个引脚端子(lead pin) 41 43 ;以及连接到管座10的接地端子50。此外,管座10的中心轴10z,被配置为与包含多波长半导体激光装置100的半导体 激光器组件(package)(没有图示)的中心几乎一致。副座架21由铜合金等较高导热系数的金属材料形成,其中心轴21z被设置为与管 座10的中心轴10z —致。此外,侧面的棱角线不一定要做成棱边(edge)状,可以倒角或倒 圆角。3个LD31 33分别焊接在副座架21侧面中相邻接的3个侧面上,而且为了保证 从管座10的中心轴10z到各发光点31a 33a的距离实质上相等,LD31 33配置在各边 的中央部分。在这里,“距离实质上相等”是指可以存在光学设计上所允许的组装误差等。 还有,各LD31 33被配置为,使各LD31 33的激光沿着与管座的中心轴10z和副座架的 中心轴21z方向平行的方向发射。而LD31 33的振荡波长分别为780nm波段(红外)、 650nm波段(红色)、405nm波段(蓝紫色),没有特别限定设置的顺序。引脚端子41 43,通过绝缘体41a 43a贯穿管座10,且设置成在与副座架21 的棱角线21a 21c对置的位置上,围上副座架21。此外,引脚端子41 43最好设置成相 对于副座架21的中心轴21z旋转对称。通过将引脚端子41 43设置在这样的位置,使焊 接了 LD31 33的副座架21以副座架21的中心轴21z为轴进行旋转,从而能够容易引线 接合引脚端子41 43和LD31 33。如此,电性连接引脚端子41 43和LD31 33的p 侧电极(没有图示)。接地端子50与管座10通过焊接来接合,而且接地端子50经由管座10和副座架 21,与LD31 33的n侧电极电性连接(没有图示)。通过这样构成多波长半导体激光装置100,能够使管座10的中心轴10z,即半导体 激光器组件的中心和3个LD31 33的发光点31a 33a之间的距离大致相等,因此容易 进行包含多波长半导体激光装置100的光学系统的设计。特别是,将副座架21形成为正六角形状,并配置成使副座架的中心轴21z和圆板 状的管座10的中心轴10z几乎一致,因此容易使管座10的中心轴10z和LD31 33的发4光点31a 33a之间的距离相同。另外,3个LD31 33均焊接在副座架21,因此LD31 33动作时所产生的热量就 能够通过副座架21有效地向外部散热。而且,通过将引脚端子41 43配置在与副座架21的棱角线21a 21c对置的位 置,容易进行引脚端子41 43和LD31 33之间的引线接合,因此比起传统技术能够大幅 缩短布线工序,并且能够容易地制造多波长半导体激光装置100。特别是,通过将引脚端子41 43设置为相对于副座架21的中心轴21z旋转对称, 能够更加容易地进行引线接合。此外,在上述实施方式中,副座架21形成为正六角柱状,但是副座架21的形状不 用局限在正六角柱状,能够采用正n角柱(n为3以上的整数)状,例如,可以如图3所示那 样由正三角柱形成副座架21,并且配置成使副座架的中心轴21z和管座10的中心轴10z — 致。通过这样构成副座架21,能够将LD31 33的各发光点31a 33a靠近管座10的中心 轴10z,即半导体激光器组件的中心,因此能够容易进行包含多波长半导体激光装置100的 光学系统的设计。另外,即使副座架21不是正多角柱状,只要能使管座10的中心轴10z,即半导体激 光器组件的中心和二极管31 33的各发光点31a 33a之间的距离实质上相等就可以。 此外,侧面的棱角线不一定要做成棱边状,可以倒角或倒圆角。根据本实施方式,使多波长半导体激光装置100具备板状的管座10 ;底面承载于 管座10上的柱状的副座架21 ;设置在副座架21侧面上并且振荡波长不同的多个LD31 33 ;以及贯穿管座10地设置并且配置在与副座架21的侧面的棱角线21a 21c对置的位 置的引脚端子41 43。并且多波长半导体激光装置100构成为使多个LD31 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多波长半导体激光装置,其特征在于包括:板状的管座;柱状的副座架,其底面承载于上述管座上;振荡波长不同的多个激光二极管,设置在上述副座架的侧面上;以及引脚端子,贯穿上述管座地设置并且配置在与上述副座架侧面的棱角线对置的位置,上述多个激光二极管的发光点到上述管座的中心轴的距离实质上相等。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿部真司
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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